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2026-05-12
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半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法
检测项目:正向电压、开关时间、高温反偏试验、老炼试验、绝缘电阻、外观及机械检验、高温寿命、密封 等 17 项,点击展开全部
检测对象:半导体二极管(稳压管,TVS,TSS,硅桥,硅堆,肖特基二极管)
检测对象:半导体IGBT电路
检测对象:固定电容器
检测对象:固定电阻器
检测对象:电子元器件
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法
检测项目:老炼试验、外观及机械检验、粒子碰撞噪声检测试验、密封、静电放电敏感度分级、键合强度、二极管特性曲线、芯片粘附强度 等 13 项,点击展开全部
检测对象:半导体IGBT电路
检测对象:电子元器件
检测对象:半导体二极管(稳压管,TVS,TSS,硅桥,硅堆,肖特基二极管)
微电子器件试验方法和程序 GJB 548C-2021 方法
微电子器件试验方法和程序 GJB 548C-2021 方法
检测项目:绝缘电阻、粒子碰撞噪声检测试验、密封、静电放电敏感度分级、键合强度、芯片粘附强度、低气压、X射线检查/照相 等 12 项,点击展开全部
检测对象:固定电容器
检测对象:电子元器件
电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法
电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法
检测项目:品质因数、高温寿命、电容量、绝缘电阻、直流电阻、温度系数、粒子碰撞噪声检测试验、密封 等 10 项,点击展开全部
检测对象:固定电感器
检测对象:固定电容器
检测对象:固定电阻器
检测对象:电子元器件
微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 方法
微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 方法
检测项目:粒子碰撞噪声检测试验、密封、静电放电敏感度分级、键合强度、芯片粘附强度、低气压、X射线检查/照相、恒定加速度 等 10 项,点击展开全部
检测对象:电子元器件
半导体器件的试验方法 标准试验方法 MIL-STD-750F
半导体器件的试验方法 标准试验方法 MIL-STD-750F
检测项目:稳态热阻R(th)<Sub>ja</Sub>,R<Sub>jc</Sub>、开关时间、高温寿命、静电放电敏感度分级、X射线检查/照相、反向恢复特性
检测对象:半导体二极管(稳压管,TVS,TSS,硅桥,硅堆,肖特基二极管)
检测对象:半导体IGBT电路
检测对象:电子元器件
GB/T 29332-2012
半导体器件 分立器件第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)
检测项目:栅极漏电流I<Sub>GES</Sub>、栅电荷(Qg,Qgs,Qgd)、集电极峰值电流I<Sub>CM</Sub>、最大集电极电流I<Sub>C</Sub>
检测对象:半导体IGBT电路
GB/T4023-2015
半导体器件分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管
检测项目:稳态热阻R(th)<Sub>ja</Sub>,R<Sub>jc</Sub>、瞬态热阻Z<Sub>th</Sub>、反向恢复时间
检测对象:半导体二极管(稳压管,TVS,TSS,硅桥,硅堆,肖特基二极管)
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-1997 方法
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-1997 方法
检测项目:外观及机械检验、高温寿命、粒子碰撞噪声检测试验
检测对象:电子元器件
GB/T 6571-1995
半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第Ⅳ章第1节4.2.3,
检测项目:反向恢复时间t<Sub>rr</Sub>、反向恢复时间
检测对象:半导体IGBT电路
检测对象:半导体二极管(稳压管,TVS,TSS,硅桥,硅堆,肖特基二极管)
GB/T4586-1994
半导体分立器件和集成电路 第8部分:场效应功率晶体管 第Ⅳ章
检测项目:正向跨导g<sub>fs</sub>
检测对象:半导体IGBT电路
JESD51
半导体器件结到外壳热阻瞬态双界面测试方法 -14-
检测项目:稳态热阻R(th)<Sub>ja</Sub>,R<Sub>jc</Sub>
检测对象:半导体IGBT电路
半导体器件结到外壳热阻瞬态双界面测试方法 JESD51-14-
半导体器件结到外壳热阻瞬态双界面测试方法 JESD51-14-
检测项目:稳态热阻R(th)<Sub>ja</Sub>,R<Sub>jc</Sub>
检测对象:半导体二极管(稳压管,TVS,TSS,硅桥,硅堆,肖特基二极管)
GB/T 8554-1998
电子和通信设备用变压器和电感器测量方法及试验程序
检测项目:电感量
检测对象:固定电感器
GB/T2693-2001
电子设备用固定电容器第一部分:总规范
检测项目:损耗角
检测对象:固定电容器
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法 1031,方法
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法 1031,方法
检测项目:高温寿命
检测对象:电子元器件
GB/T 2423.23-2013
环境试验 第2部分:试验方法 试验Q:密封
检测项目:密封
检测对象:电子元器件
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法 1036,方法
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法 1036,方法
检测项目:间歇工作寿命
检测对象:电子元器件
GB/T2423.21-2008
电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验M:低气压
检测项目:低气压
检测对象:电子元器件
GB/T 4937.2-2006
半导体器件 机械和气候试验方法 第2部分:低气压
检测项目:低气压
检测对象:电子元器件
GB/T2423.40-2013
环境试验 第2部分:试验方法 试验Cx:未饱和高压蒸汽恒定湿热
检测项目:高压蒸煮
检测对象:电子元器件
GB/T2423.1-2008
电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验A:低温
检测项目:低温试验
检测对象:电子元器件
GB/T2423.2-2008
电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验B:高温
检测项目:高温试验
检测对象:电子元器件
GB/T 2423.15-2008
电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验Ga和导则:稳态加速度
检测项目:恒定加速度
检测对象:电子元器件
GB/T2423.5-2019
电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验Ea和导则:冲击
检测项目:冲击试验
检测对象:电子元器件
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法 2056,方法
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法 2056,方法
检测项目:扫频振动试验
检测对象:电子元器件