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西安卫光科技有限公司检测与应用中心

当前查看:西安卫光科技有限公司检测与应用中心

陕西省 · 西安市

地址:西安市电子二路61号

联系电话:029-88219593

数据更新时间

2026-05-12

能力范围

当前展示该机构前 100 条能力;该机构共 225 条能力记录。

按标准归类为 26 个标准,每个标准下方直接显示可检测项目,点击可展开全部。

半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法

半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法

17 项检测项目

检测项目:正向电压、开关时间、高温反偏试验、老炼试验、绝缘电阻、外观及机械检验、高温寿命、密封 等 17 项,点击展开全部

检测对象:半导体二极管(稳压管,TVS,TSS,硅桥,硅堆,肖特基二极管)

正向电压二极管特性曲线

检测对象:半导体IGBT电路

开关时间高温反偏试验老炼试验

检测对象:固定电容器

绝缘电阻

检测对象:固定电阻器

外观及机械检验高温寿命

检测对象:电子元器件

密封静电放电敏感度分级键合强度芯片粘附强度间歇工作寿命低气压X射线检查/照相恒定加速度冲击试验

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法

13 项检测项目

检测项目:老炼试验、外观及机械检验、粒子碰撞噪声检测试验、密封、静电放电敏感度分级、键合强度、二极管特性曲线、芯片粘附强度 等 13 项,点击展开全部

检测对象:半导体IGBT电路

老炼试验

检测对象:电子元器件

外观及机械检验粒子碰撞噪声检测试验密封静电放电敏感度分级键合强度芯片粘附强度低气压X射线检查/照相恒定加速度冲击试验扫频振动试验

检测对象:半导体二极管(稳压管,TVS,TSS,硅桥,硅堆,肖特基二极管)

二极管特性曲线

微电子器件试验方法和程序 GJB 548C-2021 方法

微电子器件试验方法和程序 GJB 548C-2021 方法

12 项检测项目

检测项目:绝缘电阻、粒子碰撞噪声检测试验、密封、静电放电敏感度分级、键合强度、芯片粘附强度、低气压、X射线检查/照相 等 12 项,点击展开全部

检测对象:固定电容器

绝缘电阻

检测对象:电子元器件

粒子碰撞噪声检测试验密封静电放电敏感度分级键合强度芯片粘附强度低气压X射线检查/照相恒定加速度冲击试验扫频振动试验随机振动试验

电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法

电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法

10 项检测项目

检测项目:品质因数、高温寿命、电容量、绝缘电阻、直流电阻、温度系数、粒子碰撞噪声检测试验、密封 等 10 项,点击展开全部

检测对象:固定电感器

品质因数高温寿命

检测对象:固定电容器

电容量绝缘电阻高温寿命

检测对象:固定电阻器

直流电阻温度系数高温寿命

检测对象:电子元器件

粒子碰撞噪声检测试验密封X射线检查/照相冲击试验

微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 方法

微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 方法

10 项检测项目

检测项目:粒子碰撞噪声检测试验、密封、静电放电敏感度分级、键合强度、芯片粘附强度、低气压、X射线检查/照相、恒定加速度 等 10 项,点击展开全部

检测对象:电子元器件

粒子碰撞噪声检测试验密封静电放电敏感度分级键合强度芯片粘附强度低气压X射线检查/照相恒定加速度冲击试验扫频振动试验

半导体器件的试验方法 标准试验方法 MIL-STD-750F

半导体器件的试验方法 标准试验方法 MIL-STD-750F

6 项检测项目

检测项目:稳态热阻R(th)<Sub>ja</Sub>,R<Sub>jc</Sub>、开关时间、高温寿命、静电放电敏感度分级、X射线检查/照相、反向恢复特性

检测对象:半导体二极管(稳压管,TVS,TSS,硅桥,硅堆,肖特基二极管)

稳态热阻R(th)<Sub>ja</Sub>,R<Sub>jc</Sub>反向恢复特性

检测对象:半导体IGBT电路

开关时间稳态热阻R(th)<Sub>ja</Sub>,R<Sub>jc</Sub>

检测对象:电子元器件

高温寿命静电放电敏感度分级X射线检查/照相

GB/T 29332-2012

半导体器件 分立器件第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)

4 项检测项目

检测项目:栅极漏电流I<Sub>GES</Sub>、栅电荷(Qg,Qgs,Qgd)、集电极峰值电流I<Sub>CM</Sub>、最大集电极电流I<Sub>C</Sub>

检测对象:半导体IGBT电路

栅极漏电流I<Sub>GES</Sub>栅电荷(Qg,Qgs,Qgd)集电极峰值电流I<Sub>CM</Sub>最大集电极电流I<Sub>C</Sub>

GB/T4023-2015

半导体器件分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管

3 项检测项目

检测项目:稳态热阻R(th)<Sub>ja</Sub>,R<Sub>jc</Sub>、瞬态热阻Z<Sub>th</Sub>、反向恢复时间

检测对象:半导体二极管(稳压管,TVS,TSS,硅桥,硅堆,肖特基二极管)

稳态热阻R(th)<Sub>ja</Sub>,R<Sub>jc</Sub>瞬态热阻Z<Sub>th</Sub>反向恢复时间

半导体分立器件试验方法 GJB 128B-1997 方法

半导体分立器件试验方法 GJB 128B-1997 方法

3 项检测项目

检测项目:外观及机械检验、高温寿命、粒子碰撞噪声检测试验

检测对象:电子元器件

外观及机械检验高温寿命粒子碰撞噪声检测试验

GB/T 6571-1995

半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第Ⅳ章第1节4.2.3,

2 项检测项目

检测项目:反向恢复时间t<Sub>rr</Sub>、反向恢复时间

检测对象:半导体IGBT电路

反向恢复时间t<Sub>rr</Sub>

检测对象:半导体二极管(稳压管,TVS,TSS,硅桥,硅堆,肖特基二极管)

反向恢复时间

GB/T4586-1994

半导体分立器件和集成电路 第8部分:场效应功率晶体管 第Ⅳ章

1 项检测项目

检测项目:正向跨导g<sub>fs</sub>

检测对象:半导体IGBT电路

正向跨导g<sub>fs</sub>

JESD51

半导体器件结到外壳热阻瞬态双界面测试方法 -14-

1 项检测项目

检测项目:稳态热阻R(th)<Sub>ja</Sub>,R<Sub>jc</Sub>

检测对象:半导体IGBT电路

稳态热阻R(th)<Sub>ja</Sub>,R<Sub>jc</Sub>

半导体器件结到外壳热阻瞬态双界面测试方法 JESD51-14-

半导体器件结到外壳热阻瞬态双界面测试方法 JESD51-14-

1 项检测项目

检测项目:稳态热阻R(th)<Sub>ja</Sub>,R<Sub>jc</Sub>

检测对象:半导体二极管(稳压管,TVS,TSS,硅桥,硅堆,肖特基二极管)

稳态热阻R(th)<Sub>ja</Sub>,R<Sub>jc</Sub>

GB/T 8554-1998

电子和通信设备用变压器和电感器测量方法及试验程序

1 项检测项目

检测项目:电感量

检测对象:固定电感器

电感量

GB/T2693-2001

电子设备用固定电容器第一部分:总规范

1 项检测项目

检测项目:损耗角

检测对象:固定电容器

损耗角

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法 1031,方法

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法 1031,方法

1 项检测项目

检测项目:高温寿命

检测对象:电子元器件

高温寿命

GB/T 2423.23-2013

环境试验 第2部分:试验方法 试验Q:密封

1 项检测项目

检测项目:密封

检测对象:电子元器件

密封

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法 1036,方法

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法 1036,方法

1 项检测项目

检测项目:间歇工作寿命

检测对象:电子元器件

间歇工作寿命

GB/T2423.21-2008

电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验M:低气压

1 项检测项目

检测项目:低气压

检测对象:电子元器件

低气压

GB/T 4937.2-2006

半导体器件 机械和气候试验方法 第2部分:低气压

1 项检测项目

检测项目:低气压

检测对象:电子元器件

低气压

GB/T2423.40-2013

环境试验 第2部分:试验方法 试验Cx:未饱和高压蒸汽恒定湿热

1 项检测项目

检测项目:高压蒸煮

检测对象:电子元器件

高压蒸煮

GB/T2423.1-2008

电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验A:低温

1 项检测项目

检测项目:低温试验

检测对象:电子元器件

低温试验

GB/T2423.2-2008

电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验B:高温

1 项检测项目

检测项目:高温试验

检测对象:电子元器件

高温试验

GB/T 2423.15-2008

电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验Ga和导则:稳态加速度

1 项检测项目

检测项目:恒定加速度

检测对象:电子元器件

恒定加速度

GB/T2423.5-2019

电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验Ea和导则:冲击

1 项检测项目

检测项目:冲击试验

检测对象:电子元器件

冲击试验

半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法 2056,方法

半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法 2056,方法

1 项检测项目

检测项目:扫频振动试验

检测对象:电子元器件

扫频振动试验

机构信息

机构名称

西安卫光科技有限公司检测与应用中心

所在地区

陕西省 · 西安市

企业地址

西安市电子二路61号

法定代表人

周建国

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