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2026-05-12
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军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027B-2021 工作项目
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027B-2021 工作项目
检测项目：X射线、键合强度、剪切强度、玻璃钝化层完整性、外部目检、颗粒碰撞噪声检测、引出端强度、密封 等 9 项，点击展开全部
检测对象：集成电路
检测对象：半导体分立器件
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法
检测项目：外观和机械、高温寿命（非工作）、温度循环（空气-空气)、恒定加速度、粒子碰撞噪声检测、密封、X射线照相、老炼（二极管、整流管和稳压管） 等 9 项，点击展开全部
检测对象：半导体分立器件
微电子器件试验方法和程序 GJB 548C-2021 方法
微电子器件试验方法和程序 GJB 548C-2021 方法
检测项目：外部目检、稳定性烘焙、温度循环、恒定加速度、粒子碰撞噪声检测、密封、X射线照相、老炼
检测对象：集成电路
电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法
电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法
检测项目：电容量、直流电阻、绝缘电阻、介质耐电压、温度冲击、高温寿命、X射线照相
检测对象：电容器
检测对象：固定电阻器
检测对象：电子及电气元件
半导体集成电路运算（电压）放大器测试方法的基本原理 SJ/T 10738-1996
半导体集成电路运算（电压）放大器测试方法的基本原理 SJ/T 10738-1996
检测项目：静态功耗P<Sub>D</Sub>、输入失调电压V<Sub>IO</Sub>、输入失调电流I<Sub>IO</Sub>、输入偏置电流I<Sub>IB</Sub>、共模抑制比K<Sub>CMR</Sub>、电源电压抑制比K<Sub>SVR</Sub>、输出峰峰电压Vopp
检测对象：半导体集成电路运算放大器
GB/T 4587-1994
半导体器件 分立器件和集成电路 第 7 部分：双极型晶体管 第Ⅳ章第一节
检测项目：集电极-基极截止电流（直流法）I<Sub>CBO</Sub>、发射极-基极截止电流（直流法）I<Sub>EBO</Sub>、集电极-发射极截止电流（直流法）I<Sub>CEO</Sub>、I<Sub>CER</Sub>、I<Sub>CEX</Sub>、I<Sub>CES</Sub>、集电极-发射极饱和电压V<Sub>CEsat</Sub>、基极-发射极饱和电压V<Sub>BEsat</Sub>、发射极电流为零时的集电极-击穿电压V<Sub>(BR)CBO</Sub>
检测对象：双极型晶体管
半导体集成电路 TTL电路测试方法的基本原理 SJ/T10735-1996
半导体集成电路 TTL电路测试方法的基本原理 SJ/T10735-1996
检测项目：输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>、输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>、输入高电平电流I<Sub>IH</Sub>、输入低电平电流I<Sub>IL</Sub>、高阻态输出电流I<Sub>OZ</Sub>、输出截止态电流I<Sub>O（OFF）</Sub>
检测对象：数字集成电路
GB/T 4377-1996
半导体集成电路 电压调整器测试方法的基本原理
检测项目：基准电压V<Sub>REF</Sub>、电压调整率S<Sub>V</Sub>、电压稳定系数S<Sub>VS</Sub>、电流调整率S<Sub>I</Sub>、电流稳定系数S<Sub>IS</Sub>
检测对象：半导体集成电路电压调整器
GB/T 4586-1994
半导体器件 分立器件 第 8 部分:场效应晶体管 第Ⅳ章
检测项目：结栅型（A型）的栅极截止电流、漏极电流（A、B 和C型）I<Sub>D</Sub>、栅-源截止电压（A和B型）V<Sub>GSoff</Sub>、静态漏-源通态电阻r<Sub>DSon</Sub>、漏-源通态电压V<Sub>DSon</Sub>和断态电阻r<Sub>DSoff</Sub>
检测对象：场效应管
有失效率等级的功率型电磁继电器通用规范 GJB 2888A-2011
有失效率等级的功率型电磁继电器通用规范 GJB 2888A-2011
检测项目：线圈电阻、静态接触电阻和触点电压降、规定的动作或自保持/复归、保持和释放电压、动作和释放时间或自保持/复归时间
检测对象：继电器
GB/T 14028-2018
半导体集成电路 模拟开关测试方法
检测项目：导通电阻Ron、导通电阻路差△Ron、截止态漏极漏电流ID（off）、导通态漏电流IDS（on）
检测对象：半导体集成电路模拟开关
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027B-2021 工作项目0100、0200、0300、
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027B-2021 工作项目0100、0200、0300、
检测项目：外部目检、密封、内部目检、制样镜检
检测对象：电子及电气元件
有可靠性指标的固体电解质钽电容器总规范 GJB 63C-2015
有可靠性指标的固体电解质钽电容器总规范 GJB 63C-2015
检测项目：损耗角正切、漏电流、等效串联电阻
检测对象：电容器
GB/T 6571-1995
半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关） 和调整二极管 第Ⅳ章第1节
检测项目：正向电压V<Sub>F</Sub>、反向电流Ir、工作电压Vz
检测对象：二极管
射频固定和可变电感器通用规范 GJB 5025-2003
射频固定和可变电感器通用规范 GJB 5025-2003
检测项目：电感量、Q值
检测对象：电感器
射频固定和可变片式电感器通用规范 GJB 1864A-2011
射频固定和可变片式电感器通用规范 GJB 1864A-2011
检测项目：Q值、电感量
检测对象：电感器
电连接器试验方法 GJB 1217A-2009 方法
电连接器试验方法 GJB 1217A-2009 方法
检测项目：介质耐电压、绝缘电阻
检测对象：电连接器
柔软和半硬射频电缆通用规范 GJB 973A-2004
柔软和半硬射频电缆通用规范 GJB 973A-2004
检测项目：介质耐电压、绝缘电阻
检测对象：线缆
GB/T 3048.4-2007
电线电缆电性能试验方法 第4部分 导体直流电阻试验
检测项目：导体直流电阻
检测对象：线缆
GB/T 3048.5-2007
电线电缆电性能试验方法 第5部分 绝缘电阻试验
检测项目：绝缘电阻
检测对象：线缆
2类瓷介固定电容器通用规范 GJB 924A-2012
2类瓷介固定电容器通用规范 GJB 924A-2012
检测项目：损耗角正切
检测对象：电容器
1类瓷介固定电容器通用规范 GJB 468A-2011
1类瓷介固定电容器通用规范 GJB 468A-2011
检测项目：损耗角正切
检测对象：电容器
半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000
半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000
检测项目：电源电流I<Sub>DD</Sub>
检测对象：半导体集成电路模拟开关
片式膜固定电阻器通用规范 GJB1432B-2009
片式膜固定电阻器通用规范 GJB1432B-2009
检测项目：外观和机械
检测对象：电子及电气元件
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027A-2006 0100、0200、0300、
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027A-2006 0100、0200、0300、
检测项目：X射线
检测对象：电子及电气元件
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027B-2021 0100、0200、0300、
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027B-2021 0100、0200、0300、
检测项目：引出端强度
检测对象：电子及电气元件