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北京京瀚禹电子工程技术有限公司

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地址:北京市昌平区沙河镇松兰堡村西海特光电院内办公楼1层102室

联系电话:010-80765808

数据更新时间

2026-05-12

能力范围

当前展示该机构前 100 条能力;该机构共 2670 条能力记录。

按标准归类为 22 个标准,每个标准下方直接显示可检测项目,点击可展开全部。

GB/T 17574-1998

半导体器件集成电路 第2部分:数字集成电路 第Ⅳ篇第二节

21 项检测项目

检测项目:电源电流I<Sub>DD</Sub>、输入高电平电流I<Sub>IH</Sub>、输入低电平电流I<Sub>IL</Sub>、输出高阻态电流I<Sub>OZH</Sub>、输出高阻态电流I<Sub>OZL</Sub>、输入钳位电压V<Sub>IK</Sub>、输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>、输出低电平电压V<Sub>OL</Sub> 等 21 项,点击展开全部

检测对象:CMOS数字集成电路

电源电流I<Sub>DD</Sub>输入高电平电流I<Sub>IH</Sub>输入低电平电流I<Sub>IL</Sub>输出高阻态电流I<Sub>OZH</Sub>输出高阻态电流I<Sub>OZL</Sub>

检测对象:半导体集成电路TTL电路

输入钳位电压V<Sub>IK</Sub>输入高电平电流I<Sub>IH</Sub>输入低电平电流I<Sub>IL</Sub>输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>输出短路电流I<Sub>OS</Sub>输出高阻态时高电平电流I<Sub>OZH</Sub>输出高阻态时低电平电流I<Sub>OZL</Sub>电源电流I<Sub>DD</Sub>延迟时间t<Sub>d</Sub>建立时间t<Sub>S</Sub>功能测试:(静态测试、动态测试)结电容C<Sub>j</Sub>

检测对象:半导体器件集成电路存储器

功能测试(全0全1,55AA、互补读写、Match算法等)输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>输出高阻态电流I<Sub>OZH</Sub>输出高阻态时低电平电流I<Sub>OZL</Sub>输入高电平电流I<Sub>IH</Sub>输入低电平电流I<Sub>IL</Sub>动态条件下的总电源电流静态条件下的电源电流存储器的特定时间:读存取时间存储器的特定时间:写恢复时间延迟时间

半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理 SJ/T10735-1996

半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理 SJ/T10735-1996

15 项检测项目

检测项目:输入钳位电压V<Sub>IK</Sub>、输入高电平电流I<Sub>IH</Sub>、输入低电平电流I<Sub>IL</Sub>、输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>、输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>、输出短路电流I<Sub>OS</Sub>、输出高阻态时高电平电流I<Sub>OZH</Sub>、输出高阻态时低电平电流I<Sub>OZL</Sub> 等 15 项,点击展开全部

检测对象:半导体集成电路TTL电路

输入钳位电压V<Sub>IK</Sub>输入高电平电流I<Sub>IH</Sub>输入低电平电流I<Sub>IL</Sub>输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>输出短路电流I<Sub>OS</Sub>输出高阻态时高电平电流I<Sub>OZH</Sub>输出高阻态时低电平电流I<Sub>OZL</Sub>电源电流I<Sub>DD</Sub>输出由低电平到高电平传输延迟时间t<Sub>PLH</Sub>输出由高电平到低电平传输延迟时间t<Sub>PHL</Sub>输出由高阻态到高电平传输延迟时间t<Sub>PZH</Sub>输出由高阻态到低电平传输延迟时间t<Sub>PZL</Sub>输出由高电平到高阻态传输延迟时间t<Sub>PHZ</Sub>输出由低电平到高阻态传输延迟时间t<Sub>PLZ</Sub>

集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006

集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理 SJ20961-2006

9 项检测项目

检测项目:功耗P<Sub>W</Sub>、输入阻抗R<Sub>IN</Sub>、数字输入高电平电压V<Sub>IH</Sub>、数字输入低电平电压V<Sub>IL</Sub>、数字输入高电平电流I<Sub>IH</Sub>、数字输入低电平电流I<Sub>IL</Sub>、数字输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>、数字输出低电平电压V<Sub>OL</Sub> 等 9 项,点击展开全部

检测对象:集成电路模拟/数字转换器

功耗P<Sub>W</Sub>输入阻抗R<Sub>IN</Sub>数字输入高电平电压V<Sub>IH</Sub>数字输入低电平电压V<Sub>IL</Sub>数字输入高电平电流I<Sub>IH</Sub>数字输入低电平电流I<Sub>IL</Sub>数字输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>数字输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>增益误差E<Sub>G</Sub>

GB/T 36477-2018

半导体集成电路 快闪存储器测试方法

7 项检测项目

检测项目:输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>、输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>、输出高阻态电流I<Sub>OZH</Sub>、输出高阻态时低电平电流I<Sub>OZL</Sub>、输入高电平电流I<Sub>IH</Sub>、输入低电平电流I<Sub>IL</Sub>、动态条件下的总电源电流

检测对象:半导体器件集成电路存储器

输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>输出高阻态电流I<Sub>OZH</Sub>输出高阻态时低电平电流I<Sub>OZL</Sub>输入高电平电流I<Sub>IH</Sub>输入低电平电流I<Sub>IL</Sub>动态条件下的总电源电流

半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T 10739-1996

半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理 SJ/T 10739-1996

7 项检测项目

检测项目:输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>、输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>、输出高阻态电流I<Sub>OZH</Sub>、输出高阻态时低电平电流I<Sub>OZL</Sub>、输入负载电流I<Sub>LI</Sub>、工作状态时V<Sub>DD</Sub>电源电流I<Sub>DD</Sub>、维持状态时V<Sub>DD</Sub>电源电流I<Sub>DDS</Sub>

检测对象:半导体器件集成电路存储器

输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>输出高阻态电流I<Sub>OZH</Sub>输出高阻态时低电平电流I<Sub>OZL</Sub>输入负载电流I<Sub>LI</Sub>工作状态时V<Sub>DD</Sub>电源电流I<Sub>DD</Sub>维持状态时V<Sub>DD</Sub>电源电流I<Sub>DDS</Sub>

集成电路 模拟数字、数字模拟转换器测试方法 GJB9388-2018

集成电路 模拟数字、数字模拟转换器测试方法 GJB9388-2018

7 项检测项目

检测项目:功耗P<Sub>W</Sub>、增益误差E<Sub>G</Sub>、失调误差E<Sub>O</Sub>、满度误差E<Sub>FS</Sub>、微分非线性D<Sub>NL</Sub>、积分非线性I<Sub>NL</Sub>、失码M<Sub>C</Sub>

检测对象:集成电路模拟/数字转换器

功耗P<Sub>W</Sub>增益误差E<Sub>G</Sub>失调误差E<Sub>O</Sub>满度误差E<Sub>FS</Sub>微分非线性D<Sub>NL</Sub>积分非线性I<Sub>NL</Sub>失码M<Sub>C</Sub>

半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000

半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T 10741-2000

6 项检测项目

检测项目:输出高阻态电流I<Sub>OZH</Sub>、输出高阻态电流I<Sub>OZL</Sub>、输出短路电流I<Sub>OS</Sub>、正向阈值电压V<Sub>IT+</Sub>、负向阈值电压V<Sub>IT-</Sub>、滞后电压 △V<Sub>T</Sub>

检测对象:CMOS数字集成电路

输出高阻态电流I<Sub>OZH</Sub>输出高阻态电流I<Sub>OZL</Sub>输出短路电流I<Sub>OS</Sub>正向阈值电压V<Sub>IT+</Sub>负向阈值电压V<Sub>IT-</Sub>滞后电压 △V<Sub>T</Sub>

半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000

半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理 SJ/T10741-2000

2 项检测项目

检测项目:输入高电平电流I<Sub>IH</Sub>、输入低电平电流I<Sub>IL</Sub>

检测对象:CMOS数字集成电路

输入高电平电流I<Sub>IH</Sub>输入低电平电流I<Sub>IL</Sub>

GB/T 35006-2018

半导体集成电路 电平转换器测试方法

2 项检测项目

检测项目:输出高阻态电流I<Sub>OZH</Sub>、输出高阻态电流I<Sub>OZL</Sub>

检测对象:CMOS数字集成电路

输出高阻态电流I<Sub>OZH</Sub>输出高阻态电流I<Sub>OZL</Sub>

半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理 SJ/T 10735-1996

半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理 SJ/T 10735-1996

2 项检测项目

检测项目:输入高电平电压V<Sub>IH</Sub>、输入低电平电压V<Sub>IL</Sub>

检测对象:半导体集成电路TTL电路

输入高电平电压V<Sub>IH</Sub>输入低电平电压V<Sub>IL</Sub>

GB/T 36474-2018

半导体集成电路 第三代双倍数据速率同步动态随机存储器(DDR3 SDRAM)测试方法

2 项检测项目

检测项目:输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>、输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>

检测对象:半导体器件集成电路存储器

输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>

军用装备实验室环境试验方法第2部分:低气压(高度)试验 GJB150.2A-2009 7.3.1 7.3.2

军用装备实验室环境试验方法第2部分:低气压(高度)试验 GJB150.2A-2009 7.3.1 7.3.2

1 项检测项目

检测项目:低气压(高度)试验

检测对象:专用设备

低气压(高度)试验

军用装备实验室环境试验方法第9部分:湿热试验 GJB150.9A-

军用装备实验室环境试验方法第9部分:湿热试验 GJB150.9A-

1 项检测项目

检测项目:湿热试验

检测对象:专用设备

湿热试验

机载设备环境条件及试验方法 冲击 HB5830.2-

机载设备环境条件及试验方法 冲击 HB5830.2-

1 项检测项目

检测项目:冲击

检测对象:机载设备

冲击

机载设备环境条件及试验方法 运输振动 HB 5830.6-1984 4.1,

机载设备环境条件及试验方法 运输振动 HB 5830.6-1984 4.1,

1 项检测项目

检测项目:运输振动试验

检测对象:机载设备

运输振动试验

机载设备环境条件及试验方法 炮击振动 HB5830.7-

机载设备环境条件及试验方法 炮击振动 HB5830.7-

1 项检测项目

检测项目:炮击振动

检测对象:机载设备

炮击振动

机载设备环境条件及试验方法 高温 HB5830.8-

机载设备环境条件及试验方法 高温 HB5830.8-

1 项检测项目

检测项目:高温

检测对象:机载设备

高温

机载设备环境条件及试验方法 低温 HB5830.9-

机载设备环境条件及试验方法 低温 HB5830.9-

1 项检测项目

检测项目:低温

检测对象:机载设备

低温

机载设备环境条件及试验方法 温度冲击 HB5830.10-

机载设备环境条件及试验方法 温度冲击 HB5830.10-

1 项检测项目

检测项目:温度冲击

检测对象:机载设备

温度冲击

机载设备环境条件及试验方法 外挂振动 HB 5830.15-

机载设备环境条件及试验方法 外挂振动 HB 5830.15-

1 项检测项目

检测项目:外挂振动

检测对象:机载设备

外挂振动

机载设备环境条件及试验方法 温度-湿度-高度 HB5830.16-

机载设备环境条件及试验方法 温度-湿度-高度 HB5830.16-

1 项检测项目

检测项目:温度-湿度-高度

检测对象:机载设备

温度-湿度-高度

机载设备环境条件及试验方法 温度-高度 HB5830.17-

机载设备环境条件及试验方法 温度-高度 HB5830.17-

1 项检测项目

检测项目:温度-高度

检测对象:机载设备

温度-高度

机构信息

机构名称

北京京瀚禹电子工程技术有限公司

所在地区

北京市 · 北京市

企业地址

北京市昌平区沙河镇松兰堡村西海特光电院内办公楼1层102室

法定代表人

张天闯

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