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北京京瀚禹电子工程技术有限公司

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地址:北京市昌平区沙河镇松兰堡村西海特光电院内办公楼1层102室

联系电话:010-80765808

数据更新时间

2026-05-12

能力范围

当前机构按“电子器件”筛选,展示 126 条相关能力。

按标准归类为 27 个标准,每个标准下方直接显示可检测项目,点击可展开全部。

微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法

微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法

22 项检测项目

检测项目:外部目检和外观及机械检查、外形尺寸、温度循环、粒子碰撞噪声检测、高温贮存、老炼、细检漏、粗检漏 等 22 项,点击展开全部

检测对象:电子元器件

外部目检和外观及机械检查外形尺寸温度循环粒子碰撞噪声检测高温贮存老炼细检漏粗检漏恒定加速度老炼(频率老化、稳态工作功率、稳态功率、间歇功率、间歇工作寿命、高温寿命试验、电压老炼、电压处理)声学扫描显微镜检查引出端强度键合强度剪切强度粘接强度X射线检查扫描电子显微镜(SEM)检查

检测对象:微电子器件

低气压(高空工作)耐湿盐雾(盐汽)扫频振动随机振动

微电子器件试验方法和程序 GJB548C-2021 方法

微电子器件试验方法和程序 GJB548C-2021 方法

20 项检测项目

检测项目:外部目检和外观及机械检查、外形尺寸、温度循环、粒子碰撞噪声检测、高温贮存、老炼、细检漏、粗检漏 等 20 项,点击展开全部

检测对象:电子元器件

外部目检和外观及机械检查外形尺寸温度循环粒子碰撞噪声检测高温贮存老炼细检漏粗检漏恒定加速度外部目检(包含外观及机械检查)老炼(频率老化、稳态工作功率、稳态功率、间歇功率、间歇工作寿命、高温寿命试验、电压老炼、电压处理)声学扫描显微镜检查可焊性引出端强度键合强度剪切强度粘接强度X射线检查扫描电子显微镜(SEM)检查玻璃钝化层完整性检查

微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 方法

微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 方法

15 项检测项目

检测项目:绝缘电阻、声学扫描显微镜检查(芯片粘接的超声检测)、可焊性、引出端强度(引线牢固性)、键合强度、剪切强度(芯片剪切强度)、粘接强度(芯片粘附强度、X射线检查 等 15 项,点击展开全部

检测对象:固体继电器

绝缘电阻

检测对象:电子元器件

声学扫描显微镜检查(芯片粘接的超声检测)可焊性引出端强度(引线牢固性)键合强度剪切强度(芯片剪切强度)粘接强度(芯片粘附强度X射线检查扫描电子显微镜(SEM)检查玻璃钝化层完整性检查内部气体成份分析(内部水汽含量)耐溶剂性外部目检(包含外观及机械检查)外形尺寸静电放电敏感度

微电子器件试验方法和程序 GJB 548C-2021 方法

微电子器件试验方法和程序 GJB 548C-2021 方法

13 项检测项目

检测项目:声学扫描显微镜检查(芯片粘接的超声检测)、可焊性、引出端强度(引线牢固性)、键合强度、剪切强度(芯片剪切强度)、粘接强度(芯片粘附强度、X射线检查、扫描电子显微镜(SEM)检查 等 13 项,点击展开全部

检测对象:电子元器件

声学扫描显微镜检查(芯片粘接的超声检测)可焊性引出端强度(引线牢固性)键合强度剪切强度(芯片剪切强度)粘接强度(芯片粘附强度X射线检查扫描电子显微镜(SEM)检查玻璃钝化层完整性检查内部气体成份分析(内部水汽含量)耐溶剂性外形尺寸静电放电敏感度

GB/T 15651.3-2003

半导体分立器件和集成电路 第5-3部分:光电子器件测试方法

10 项检测项目

检测项目:反向电流I<Sub>R</Sub>、集电极-发射极饱和电压V<Sub>CEsat</Sub>、集电极-发射极截止电流I<Sub>CEO</Sub>、电流传输比C<Sub>TR</Sub>、脉冲上升时间、下降时 间、延迟时间、反向电流、集电极-发射极饱和电压、集电极-发射极截止电流 等 10 项,点击展开全部

检测对象:半导体光电耦合器

反向电流I<Sub>R</Sub>集电极-发射极饱和电压V<Sub>CEsat</Sub>集电极-发射极截止电流I<Sub>CEO</Sub>电流传输比C<Sub>TR</Sub>脉冲上升时间、下降时 间、延迟时间反向电流集电极-发射极饱和电压集电极-发射极截止电流电流传输比脉冲上升时 间、下降时 间、延迟时间(开关时间)

微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005

微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005

4 项检测项目

检测项目:低温试验、高温试验、可焊性、玻璃钝化层完整性检查

检测对象:电子元器件

低温试验高温试验可焊性玻璃钝化层完整性检查

微电子器件试验方法和程序 GJB548C-2021

微电子器件试验方法和程序 GJB548C-2021

3 项检测项目

检测项目:低温试验、高温试验、内部水汽含量

检测对象:电子元器件

低温试验高温试验内部水汽含量

半导体光电子器件筛选与验收通用要求 GJB 5018-2001 方法

半导体光电子器件筛选与验收通用要求 GJB 5018-2001 方法

3 项检测项目

检测项目:正向电压V<Sub>F</Sub>、反向电流I<Sub>R</Sub>、击穿电压V<Sub>BR</Sub>

检测对象:发光二极管

正向电压V<Sub>F</Sub>反向电流I<Sub>R</Sub>击穿电压V<Sub>BR</Sub>

半导体光电子器件筛选与验收通用要求 GJB5018-2011

半导体光电子器件筛选与验收通用要求 GJB5018-2011

2 项检测项目

检测项目:老炼、老炼(频率老化、稳态工作功率、稳态功率、间歇功率、间歇工作寿命、高温寿命试验、电压老炼、电压处理)

检测对象:电子元器件

老炼老炼(频率老化、稳态工作功率、稳态功率、间歇功率、间歇工作寿命、高温寿命试验、电压老炼、电压处理)

半导体光电子器件外壳通用规范 GJB 5438-

半导体光电子器件外壳通用规范 GJB 5438-

2 项检测项目

检测项目:引线电阻、介质耐压

检测对象:外壳

引线电阻介质耐压

微电子器件试验方法MIL-STD-883 方法

微电子器件试验方法MIL-STD-883 方法

1 项检测项目

检测项目:外部目检和外观及机械检查

检测对象:电子元器件

外部目检和外观及机械检查

微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法2007 条件A

微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法2007 条件A

1 项检测项目

检测项目:振动

检测对象:电子元器件

振动

微电子器件试验方法和程序 GJB548C-2021 方法2007 条件A

微电子器件试验方法和程序 GJB548C-2021 方法2007 条件A

1 项检测项目

检测项目:振动

检测对象:电子元器件

振动

微电子器件试验方法和程序 GJB 548C-2021 方法2036条件A B

微电子器件试验方法和程序 GJB 548C-2021 方法2036条件A B

1 项检测项目

检测项目:耐焊接热

检测对象:电子元器件

耐焊接热

微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 方法2010.1、2013、2014、

微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 方法2010.1、2013、2014、

1 项检测项目

检测项目:内部目检(内部目检和结构检查、内部检查、封帽前目检)

检测对象:电子元器件

内部目检(内部目检和结构检查、内部检查、封帽前目检)

微电子器件试验方法和程序 GJB 548C-2021 方法2010.2、2013、2014、

微电子器件试验方法和程序 GJB 548C-2021 方法2010.2、2013、2014、

1 项检测项目

检测项目:内部目检(内部目检和结构检查、内部检查、封帽前目检)

检测对象:电子元器件

内部目检(内部目检和结构检查、内部检查、封帽前目检)

半导体光电子器件外壳通用规范 GJB 5438-2005

半导体光电子器件外壳通用规范 GJB 5438-2005

1 项检测项目

检测项目:绝缘电阻

检测对象:外壳

绝缘电阻

微电子器件试验方法和程序、 GJB548B-2005 方法

微电子器件试验方法和程序、 GJB548B-2005 方法

1 项检测项目

检测项目:机械冲击

检测对象:微电子器件

机械冲击

微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法1014.2 条件A1、A

微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法1014.2 条件A1、A

1 项检测项目

检测项目:细检漏

检测对象:电子元器件

细检漏

微电子器件试验方法和程序 GJB548C-2021 方法1014.2 条件A1、A

微电子器件试验方法和程序 GJB548C-2021 方法1014.2 条件A1、A

1 项检测项目

检测项目:细检漏

检测对象:电子元器件

细检漏

微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法1014.2 条件C

微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法1014.2 条件C

1 项检测项目

检测项目:粗检漏

检测对象:电子元器件

粗检漏

微电子器件试验方法和程序 GJB548C-2021 方法1014.2 条件C

微电子器件试验方法和程序 GJB548C-2021 方法1014.2 条件C

1 项检测项目

检测项目:粗检漏

检测对象:电子元器件

粗检漏

微电子器件试验方法和程序 GJB548C-2021 2036条件A B

微电子器件试验方法和程序 GJB548C-2021 2036条件A B

1 项检测项目

检测项目:耐焊接热

检测对象:电子元器件

耐焊接热

微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法2010.1、方法2013、方法2014、方法

微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法2010.1、方法2013、方法2014、方法

1 项检测项目

检测项目:内部目检

检测对象:电子元器件

内部目检

微电子器件试验方法和程序 GJB548C-2021 方法2010.2、方法2013、方法2014、方法

微电子器件试验方法和程序 GJB548C-2021 方法2010.2、方法2013、方法2014、方法

1 项检测项目

检测项目:内部目检

检测对象:电子元器件

内部目检

微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005

微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005

1 项检测项目

检测项目:内部水汽含量

检测对象:电子元器件

内部水汽含量

微电子器件试验方法和程序 AEC-Q100-

微电子器件试验方法和程序 AEC-Q100-

1 项检测项目

检测项目:ESD HBM

检测对象:车用集成电路

ESD HBM

机构信息

机构名称

北京京瀚禹电子工程技术有限公司

所在地区

北京市 · 北京市

企业地址

北京市昌平区沙河镇松兰堡村西海特光电院内办公楼1层102室

法定代表人

张天闯

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