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2026-05-12
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按标准归类为 19 个标准，每个标准下方直接显示可检测项目，点击可展开全部。
GB/T 6798-1996
半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理
检测项目：输入失调电压V<SUB>IO、输入失调电流I<SUB>IO、输入偏置电流I<SUB>IB、静态功耗P<SUB>D、开环电压增益A<SUB>VD、共模抑制比K<SUB>CMR、电源电压抑制比K<SUB>SVR、输出高电平电压V<SUB>OH 等 12 项，点击展开全部
检测对象：半导体集成电路电压比较器
半导体集成电路运算放大器测试方法 QJ 2491-1993
半导体集成电路运算放大器测试方法 QJ 2491-1993
检测项目：输入失调电压V<SUB>IO、输入失调电流I<SUB>IO、输入偏置电流I<SUB>IB、静态功耗P<SUB>D、开环电压增益A<SUB>VD、共模抑制比K<SUB>CMR、电源电压抑制比K<SUB>SVR、最大输出电压V<SUB>OPP 等 9 项，点击展开全部
检测对象：半导体集成电路运算（电压）放大器
GB/T4587-1994
半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 第Ⅳ章 第1节
检测项目：集电极-基极截止电流I<SUB>CBO、发射极-基极截止电流I<SUB>EBO、集电极-发射极截止电流I<SUB>CEO、集电极-发射极饱和电压V<SUB>CEsat、基极-发射极饱和电压V<SUB>BEsat、放大倍数H<SUB>FE、集电极-基极击穿电压V(BR)<SUB>CBO、发射极-基极击穿电压V(BR)<SUB>EBO
检测对象：双极型晶体管
GB/T17574-1998
半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路 第Ⅳ篇 方法
检测项目：输入钳位电压VIK、输出高电平电压VOH、输出低电平电压VOL、输入高电平电流IIH、输入低电平电流IIL、输出短路电流IOS、输出高阻态电流IOZ、静态条件下的电源电流IQ
检测对象：TTL集成电路
检测对象：CMOS集成电路
检测对象：MOS随机存储器
混合集成电路DC/DC变换器测试方法 SJ20646-1997
混合集成电路DC/DC变换器测试方法 SJ20646-1997
检测项目：输出纹波电压Vrip、电压调整率Sv、电流调整率Si、输入电流Ii、效率、绝缘电阻
检测对象：混合集成电路DC/DC变换器
电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法
电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法
检测项目：电阻值R、电容量C、品质因数(Q)、绝缘电阻R<SUB>i、温度冲击试验、高温寿命试验
检测对象：固定电阻器
检测对象：电容器
检测对象：电子及电气元件
半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法
半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法
检测项目：温度循环（空气-空气）、外部目检、老炼（二极管、整流管、稳压管）、老炼（晶体管）、密封、粒子碰撞噪声检测试验
检测对象：半导体分立器件
有失效率等级的电磁继电器通用规范 GJB65C-2021
有失效率等级的电磁继电器通用规范 GJB65C-2021
检测项目：线圈电阻、静态接触电阻、规定的动作或自保持/复归，保持和释放值(电压)、动作和释放时间、绝缘电阻、介质耐电压
检测对象：电磁继电器
半导体光电耦合器测试方法 SJ/T2215-2015 方法
半导体光电耦合器测试方法 SJ/T2215-2015 方法
检测项目：正向压降VF、反向漏电流IR、集电极和发射极击穿电压V(BR)CEO、集电极和发射极截止电流ICEO、集电极-发射极饱和电压VCESAT、电流传输比CTR
检测对象：光电耦合器
微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法
微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法
检测项目：温度循环、外部目检、稳定性烘焙、密封、粒子碰撞噪声检测试验
检测对象：微电子器件
《晶体振荡器通用规范》 GJB 1648A-2011 方法
《晶体振荡器通用规范》 GJB 1648A-2011 方法
检测项目：频率精度、输出高电平、输出低电平、占空比
检测对象：晶体振荡器
GB/T4586-1994
半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 第Ⅳ章 测试方法
检测项目：栅-源阈值电压V<SUB>GS(th)、栅极截止电流和栅极泄漏电流I<SUB>GSS、漏极截止电流I<SUB>DSS
检测对象：场效应晶体管
电连接器试验方法 GJB1217A-2009 方法
电连接器试验方法 GJB1217A-2009 方法
检测项目：介质耐电压、绝缘电阻、接触电阻
检测对象：电连接器
射频固定和可变片式电感器通用规范 GJB1864A-2011 方法
射频固定和可变片式电感器通用规范 GJB1864A-2011 方法
检测项目：电感量、Q值、直流电阻
检测对象：电感
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027B-2021 工作项目0202
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027B-2021 工作项目0202
检测项目：外部目检、制样镜检
检测对象：多层瓷介（独石）电容器
GB/T6571-1995
半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 第Ⅳ章 测试方法 第1节
检测项目：正向直流电压V<SUB>F、反向漏电流I<SUB>R
检测对象：信号（包括开关）和调整二极管
微电子器件试验方法和程序 GJB548C-2021 方法1015.1条件D
微电子器件试验方法和程序 GJB548C-2021 方法1015.1条件D
检测项目：老炼试验
检测对象：微电子器件老炼实验
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027B-2021 工作项目1003
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027B-2021 工作项目1003
检测项目：外部目检
检测对象：表面安装和外引线同向引出晶体管、二极管
军用电子元器件破坏性物理分析 GJB4027A-2006 工作项目1003
军用电子元器件破坏性物理分析 GJB4027A-2006 工作项目1003
检测项目：内部目检
检测对象：表面安装和外引线同向引出晶体管、二极管