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西安环宇芯微电子有限公司

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陕西省 · 西安市

地址:陕西省西安市雁塔区电子西街3号西京国际电气中心A、C座4层

联系电话:13609159105

数据更新时间

2026-05-12

能力范围

当前展示该机构前 100 条能力;该机构共 410 条能力记录。

按标准归类为 15 个标准,每个标准下方直接显示可检测项目,点击可展开全部。

GB/T17574-1998

《半导体器件集成电路 第2部分:数字集成电路》 第Ⅳ篇 第2节

13 项检测项目

检测项目:输入钳位电压 <I>V</I><Sub>IK</Sub>、输出高电平电压 <I>V</I><Sub>OH</Sub>、输出低电平电压 <I>V</I><Sub>OL</Sub>、输入高电平电流 <I>I</I><Sub>IH</Sub>、输入低电平电流 <I>I</I><Sub>IL</Sub>、输出高阻态电流 <I>I</I><Sub>OZ</Sub>、静态条件下的电源电流 <I>I</I><Sub>DD</Sub>、输出短路电流 <I>I</I><Sub>OS</Sub> 等 13 项,点击展开全部

检测对象:数字集成电路

输入钳位电压 <I>V</I><Sub>IK</Sub>输出高电平电压 <I>V</I><Sub>OH</Sub>输出低电平电压 <I>V</I><Sub>OL</Sub>输入高电平电流 <I>I</I><Sub>IH</Sub>输入低电平电流 <I>I</I><Sub>IL</Sub>输出高阻态电流 <I>I</I><Sub>OZ</Sub>静态条件下的电源电流 <I>I</I><Sub>DD</Sub>输出短路电流 <I>I</I><Sub>OS</Sub>功能测试

检测对象:半导体集成电路微处理器及外围接口电路

输入高电平电流<I> I</I><Sub>IH</Sub>输入低电平电流 <I>I</I><Sub>IL</Sub>输出高阻态电流<I> I</I><Sub>OZ</Sub>静态条件下的电源电流 <I>I</I><Sub>CC</Sub>输出高电平电压 <I>V</I><Sub>OH</Sub>输出低电平电压 <I>V</I><Sub>OL</Sub>

检测对象:半导体集成电路模拟开关

输出高电平电压 <I>V</I><Sub>OH</Sub>输出低电平电压 <I>V</I><Sub>OL</Sub>输入高电平电流 <I>I</I><Sub>IH</Sub>输入低电平电流<I>I</I><Sub>IL</Sub>静态条件下的电源电流 <I>I</I><Sub>DD</Sub>

《半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理》 SJ/T10741-2000

《半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理》 SJ/T10741-2000

13 项检测项目

检测项目:输入钳位电压 <I>V</I><Sub>IK</Sub>、输入高电平电压<I> V</I><Sub>IH</Sub>、输入低电平电压 <I>V</I><Sub>IL</Sub>、输出高电平电压 <I>V</I><Sub>OH</Sub>、输出低电平电压<I> V</I><Sub>OL</Sub>、输入高电平电流 <I>I</I><Sub>IH</Sub>、输入低电平电流 <I>I</I><Sub>IL</Sub>、输出高电平电流 <I>I</I><Sub>OH</Sub> 等 13 项,点击展开全部

检测对象:半导体集成电路CMOS电路

输入钳位电压 <I>V</I><Sub>IK</Sub>输入高电平电压<I> V</I><Sub>IH</Sub>输入低电平电压 <I>V</I><Sub>IL</Sub>输出高电平电压 <I>V</I><Sub>OH</Sub>输出低电平电压<I> V</I><Sub>OL</Sub>输入高电平电流 <I>I</I><Sub>IH</Sub>输入低电平电流 <I>I</I><Sub>IL</Sub>输出高电平电流 <I>I</I><Sub>OH</Sub>输出低电平电流<I> I</I><Sub>OL</Sub>输出高阻态时高电平电流 <I>I</I><Sub>OZH</Sub>输出高阻态时低电平电流 <I>I</I><Sub>OZL</Sub>电源电流 <I>I</I><Sub>DD</Sub>输出短路电流 <I>I</I><Sub>OS</Sub>

《半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理》 SJ/T10735-1996

《半导体集成电路TTL电路测试方法的基本原理》 SJ/T10735-1996

12 项检测项目

检测项目:输入钳位电压 <I>V</I><Sub>IK</Sub>、输出高电平电压 <I>V</I><Sub>OH</Sub>、输出低电平电压 <I>V</I><Sub>OL</Sub>、输入电流 <I>I</I><Sub>I</Sub>、输入高电平电流<I> I</I><Sub>IH</Sub>、输入低电平电流<I> I</I><Sub>IL</Sub>、输出短路电流 <I>I</I><Sub>OS</Sub>、输出高阻态时高电平电流 <I>I</I><Sub>OZH</Sub> 等 12 项,点击展开全部

检测对象:半导体集成电路TTL电路

输入钳位电压 <I>V</I><Sub>IK</Sub>输出高电平电压 <I>V</I><Sub>OH</Sub>输出低电平电压 <I>V</I><Sub>OL</Sub>输入电流 <I>I</I><Sub>I</Sub>输入高电平电流<I> I</I><Sub>IH</Sub>输入低电平电流<I> I</I><Sub>IL</Sub>输出短路电流 <I>I</I><Sub>OS</Sub>输出高阻态时高电平电流 <I>I</I><Sub>OZH</Sub>输出高阻态时低电平电流 <I>I</I><Sub>OZL</Sub>电源电流 <I>I</I><Sub>CC</Sub>输出高电平时电源电流 <I>I</I><Sub>CCH</Sub>输出低电平时电源电流 <I>I</I><Sub>CCL</Sub>

《电连接器试验方法》 GJB1217A-2009 方法

《电连接器试验方法》 GJB1217A-2009 方法

10 项检测项目

检测项目:盐雾、加速度、啮合力和分离力、接触件插入力和分离力、机械寿命、介质耐电压、低电平接触电阻、绝缘电阻 等 10 项,点击展开全部

检测对象:电连接器

盐雾加速度啮合力和分离力接触件插入力和分离力机械寿命介质耐电压低电平接触电阻绝缘电阻接触电阻电压驻波比(<i>VSWR</i>)

《半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理》 SJ/T10739-1996

《半导体集成电路MOS随机存储器测试方法的基本原理》 SJ/T10739-1996

10 项检测项目

检测项目:输出高电平电压 <I>V</I><Sub>OH</Sub>、输出低电平电压<I> V</I><Sub>OL</Sub>、输入负载电流 <I>I</I><Sub>LI</Sub>、输出高阻态时高电平电流<I> I</I><Sub>OZH</Sub>、输出高阻态时低电平电流 <I>I</I><Sub>OZL</Sub>、工作状态时<I>V</I><Sub>DD</Sub>电源电流<I> I</I><Sub>DD</Sub>、工作状态时<I>V</I><Sub>CC</Sub>电源电流 <I>I</I><Sub>CC</Sub>、维持状态时<I>V</I><Sub>DD</Sub>电源电流<I> I</I><Sub>DDS</Sub> 等 10 项,点击展开全部

检测对象:半导体集成电路MOS随机存储器

输出高电平电压 <I>V</I><Sub>OH</Sub>输出低电平电压<I> V</I><Sub>OL</Sub>输入负载电流 <I>I</I><Sub>LI</Sub>输出高阻态时高电平电流<I> I</I><Sub>OZH</Sub>输出高阻态时低电平电流 <I>I</I><Sub>OZL</Sub>工作状态时<I>V</I><Sub>DD</Sub>电源电流<I> I</I><Sub>DD</Sub>工作状态时<I>V</I><Sub>CC</Sub>电源电流 <I>I</I><Sub>CC</Sub>维持状态时<I>V</I><Sub>DD</Sub>电源电流<I> I</I><Sub>DDS</Sub>维持状态时<I>V</I><Sub>CC</Sub>电源电流 <I>I</I><Sub>CCS</Sub>功能测试

《半导体集成电路运算(电压)放大器测试方法的基本原理》 SJ/T10738-1996

《半导体集成电路运算(电压)放大器测试方法的基本原理》 SJ/T10738-1996

9 项检测项目

检测项目:输入失调电压 <I>V</I><Sub>IO</Sub>、输入失调电流<I>I</I><Sub>IO</Sub>、输入偏置电流 <I>I</I><Sub>IB</Sub>、静态功耗 <I>P</I><Sub>D</Sub>、开环电压增益 <I>A</I><Sub>VD</Sub>、共模抑制比 <I>K</I><Sub>CMR</Sub>、电源电压抑制比<I>K</I><Sub>SVR</Sub>、输出峰-峰电压 <I>V</I><Sub>opp</Sub> 等 9 项,点击展开全部

检测对象:半导体集成电路运算(电压)放大器

输入失调电压 <I>V</I><Sub>IO</Sub>输入失调电流<I>I</I><Sub>IO</Sub>输入偏置电流 <I>I</I><Sub>IB</Sub>静态功耗 <I>P</I><Sub>D</Sub>开环电压增益 <I>A</I><Sub>VD</Sub>共模抑制比 <I>K</I><Sub>CMR</Sub>电源电压抑制比<I>K</I><Sub>SVR</Sub>输出峰-峰电压 <I>V</I><Sub>opp</Sub>输出短路电流 <I>I</I><Sub>OS</Sub>

《非线绕预调电位器通用规范》 GJB918A-2011

《非线绕预调电位器通用规范》 GJB918A-2011

8 项检测项目

检测项目:电阻温度特性、耐湿、高温寿命、冲击(规定脉冲)、高频振动、盐雾(腐蚀)、低温工作、高温暴露

检测对象:玻璃釉电位器

电阻温度特性耐湿高温寿命冲击(规定脉冲)高频振动盐雾(腐蚀)低温工作高温暴露

GB/T14028-2018

《半导体集成电路模拟开关测试方法》

5 项检测项目

检测项目:导通电阻 <I>R</I><Sub>ON</Sub>、导通电阻路差 △<I>R</I><Sub>ON</Sub>、截止态漏极漏电流<I>I</I><Sub>D</Sub>(off)、截止态源极漏电流<I>I</I><Sub>S</Sub>(off)、导通态漏电流 <I>I</I><Sub>DS</Sub>(on)

检测对象:半导体集成电路模拟开关

导通电阻 <I>R</I><Sub>ON</Sub>导通电阻路差 △<I>R</I><Sub>ON</Sub>截止态漏极漏电流<I>I</I><Sub>D</Sub>(off)截止态源极漏电流<I>I</I><Sub>S</Sub>(off)导通态漏电流 <I>I</I><Sub>DS</Sub>(on)

GB/T4377-2018

《半导体集成电路电压调整器测试方法》

5 项检测项目

检测项目:电压调整率 <I>S</I><Sub>V</Sub>、电流调整率 <I>S</I><Sub>I</Sub>、电源纹波抑制比 <i>S</i><sub>RIP</sub>、耗散电流<i>I</i><sub>D</sub>和耗散电流变化 △<i>I</i><sub>D</sub>、基准电压 <I>V</I><Sub>REF</Sub>

检测对象:半导体集成电路电压调整器

电压调整率 <I>S</I><Sub>V</Sub>电流调整率 <I>S</I><Sub>I</Sub>电源纹波抑制比 <i>S</i><sub>RIP</sub>耗散电流<i>I</i><sub>D</sub>和耗散电流变化 △<i>I</i><sub>D</sub>基准电压 <I>V</I><Sub>REF</Sub>

《半导体集成非线性电路数字/模拟转换器和模拟/数字转换器测试方法的基本原理》 SJ/T10818-1996

《半导体集成非线性电路数字/模拟转换器和模拟/数字转换器测试方法的基本原理》 SJ/T10818-1996

3 项检测项目

检测项目:失调误差<I>E</I><Sub>O</Sub>、零点误差 <I>E</I><Sub>Z</Sub>、失码 <I>M</I><Sub>C</Sub>

检测对象:半导体集成非线性电路数字模拟转换器和模拟数字转换器(仅限14位及14位以下)

失调误差<I>E</I><Sub>O</Sub>零点误差 <I>E</I><Sub>Z</Sub>失码 <I>M</I><Sub>C</Sub>

《同轴、带状线或微带传输线用射频同轴连接器通用规范》 GJB976A-2009

《同轴、带状线或微带传输线用射频同轴连接器通用规范》 GJB976A-2009

1 项检测项目

检测项目:连接机构的保持力

检测对象:射频微带连接器

连接机构的保持力

《半导体集成非线性电路数字/模拟转换器和模拟/数字转换器测试方法的基本原理》 SJ/T10818-1996 2.3,

《半导体集成非线性电路数字/模拟转换器和模拟/数字转换器测试方法的基本原理》 SJ/T10818-1996 2.3,

1 项检测项目

检测项目:增益误差 <I>E</I><Sub>G</Sub>

检测对象:半导体集成非线性电路数字模拟转换器和模拟数字转换器(仅限14位及14位以下)

增益误差 <I>E</I><Sub>G</Sub>

《半导体集成非线性电路数字/模拟转换器和模拟/数字转换器测试方法的基本原理》 SJ/T10818-1996 2.5,

《半导体集成非线性电路数字/模拟转换器和模拟/数字转换器测试方法的基本原理》 SJ/T10818-1996 2.5,

1 项检测项目

检测项目:精度 <I>E</I><Sub>A</Sub>

检测对象:半导体集成非线性电路数字模拟转换器和模拟数字转换器(仅限14位及14位以下)

精度 <I>E</I><Sub>A</Sub>

《半导体集成非线性电路数字/模拟转换器和模拟/数字转换器测试方法的基本原理》 SJ/T10818-1996 2.7,

《半导体集成非线性电路数字/模拟转换器和模拟/数字转换器测试方法的基本原理》 SJ/T10818-1996 2.7,

1 项检测项目

检测项目:线性误差 <I>E</I><Sub>L</Sub>

检测对象:半导体集成非线性电路数字模拟转换器和模拟数字转换器(仅限14位及14位以下)

线性误差 <I>E</I><Sub>L</Sub>

《半导体集成非线性电路数字/模拟转换器和模拟/数字转换器测试方法的基本原理》 SJ/T10818-1996 2.13,

《半导体集成非线性电路数字/模拟转换器和模拟/数字转换器测试方法的基本原理》 SJ/T10818-1996 2.13,

1 项检测项目

检测项目:功耗 <I>P</I><Sub>D</Sub>

检测对象:半导体集成非线性电路数字模拟转换器和模拟数字转换器(仅限14位及14位以下)

功耗 <I>P</I><Sub>D</Sub>

机构信息

机构名称

西安环宇芯微电子有限公司

所在地区

陕西省 · 西安市

企业地址

陕西省西安市雁塔区电子西街3号西京国际电气中心A、C座4层

法定代表人

戴俊夫

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