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2026-05-12
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按标准归类为 13 个标准，每个标准下方直接显示可检测项目，点击可展开全部。
《半导体分立器件试验方法》 GJB 128B-2021 方法
《半导体分立器件试验方法》 GJB 128B-2021 方法
检测项目：漏源击穿电压、正向跨导、集电极-基极击穿电压、发射极-基极击穿电压、集电极-发射极击穿电压、集电极-发射极电压、集电极-基极截止电流、集电极-发射极截止电流 等 13 项，点击展开全部
检测对象：场效应晶体管（包含所有类型场效应晶体管及场效应晶体管模块）
检测对象：双极型晶体管(包含绝缘栅双极晶体管及晶体管模块）
检测对象：闸流晶体管(包含所有类型的闸流晶体管及GTR、GTO、SCR和桥堆）)
GB/T 17940-2000
《半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路》 第IV篇第2节
检测项目：输入失调电压、输入失调电流、输入偏置电流、电源电流、共模抑制比、电源电压抑制比、输出电压幅度、开环电压放大倍数 等 13 项，点击展开全部
检测对象：运算放大器
检测对象：半导体集成电路电压调整器
《集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理》 SJ 20961-2006
《集成电路A/D和D/A转换器测试方法的基本原理》 SJ 20961-2006
检测项目：失调误差、增益误差、线性误差、微分线性误差、功耗、信噪比、总谐波失真、数字输入高电平电流 等 12 项，点击展开全部
检测对象：线性数字/模拟转换器（DAC）
检测对象：线性数字/模拟转换器（ADC）
GB/T 4587-2023
《半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管》
检测项目：集电极-基极击穿电压、发射极-基极击穿电压、集电极-发射极击穿电压、集电极-基极截止电流、集电极-发射极截止电流、发射极-基极击截止电流、正向电流传输比、集电极-发射极饱和压降 等 9 项，点击展开全部
检测对象：双极型晶体管(包含绝缘栅双极晶体管及晶体管模块）
《半导体集成电路 电压比较器测试方法》 SJ/T 10805-2018
《半导体集成电路 电压比较器测试方法》 SJ/T 10805-2018
检测项目：输入失调电压、输入失调电流、输入偏置电流、静态功耗、共模抑制比、开环电压增益、输出高电平电压、输出低电平电压 等 9 项，点击展开全部
检测对象：电压比较器
GB/T 17574-1998
《半导体器件 集成电路 第2部分：数字集成电路》 第Ⅳ篇第2节
检测项目：输出低电平电压、输入高电平电流、输入低电平电流、输出高电平电压、功能检验、输入钳位电压、输入低电平电压、输入高电平电压
检测对象：CMOS数字集成电路
检测对象：半导体集成电路-TTL电路
GB/T 14030-92
《半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理》
检测项目：复位电压、复位电流、触发电压、触发电流、阈值电压、阈值电流、控制端电压、静态电源电流
检测对象：时基电路
GB/T 14028-2018
《半导体集成电路模拟开关测试方法》
检测项目：导通电阻、导通电阻路差、截止态漏极漏电流、截止态源极漏电流、导通态漏电流、开启时间、关断时间、通道转换时间
检测对象：模拟开关
GB/T 4586-1994
《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》 第IV章
检测项目：栅极截止电流或栅极漏泄电流、漏极电流、通态漏-源电阻、栅源阈值电压、小信号短路正向跨导
检测对象：场效应晶体管（包含所有类型场效应晶体管及场效应晶体管模块）
《半导体分立器件试验方法》 GJB 128A-1997 方法
《半导体分立器件试验方法》 GJB 128A-1997 方法
检测项目：漏源击穿电压、正向跨导、集电极-发射极击穿电压
检测对象：场效应晶体管（包含所有类型场效应晶体管及场效应晶体管模块）
检测对象：双极型晶体管(包含绝缘栅双极晶体管及晶体管模块）
《半导体光电耦合器测试方法》 SJ/T 2215-2015
《半导体光电耦合器测试方法》 SJ/T 2215-2015
检测项目：输出截止电流、电流传输比
检测对象：光电耦合器
《电子及电气元件试验方法》 GJB 360B-2009 方法
《电子及电气元件试验方法》 GJB 360B-2009 方法
检测项目：耐电压
检测对象：连接器
《半导体集成电路 电压比较器测试方法》 SJ/T 10805-2018 5.15、
《半导体集成电路 电压比较器测试方法》 SJ/T 10805-2018 5.15、
检测项目：输出电流
检测对象：电压比较器