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2026-05-12
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按标准归类为 25 个标准，每个标准下方直接显示可检测项目，点击可展开全部。
GB/T 4587-2023
《半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管》
检测项目：集电极-基极电压、发射极-基极电压、集电极-发射极电压、集电极-基极截止电流（直流法）、集电极-发射极截止电流(直流法）、发射极-基极截止电流（直流法）、共发射极正向电流传输比、集电极-发射极饱和电压 等 11 项，点击展开全部
检测对象：达林顿晶体管阵列
检测对象：半导体分立器件双极型晶体管
GB/T 17940-2000
《半导体器件 集成电路 第3部分：模拟集成电路》 第IV篇第2节
检测项目：输入失调电压、输入失调电流、输入偏置电流、电源电流、共模抑制比、电源电压抑制比、差分放大器输出电压范围、开环电压放大倍数 等 9 项，点击展开全部
检测对象：半导体集成电路运算放大器
《微电子器件试验方法和程序》 GJB 548C-2021 方法
《微电子器件试验方法和程序》 GJB 548C-2021 方法
检测项目：绝缘电阻、外部目检、X射线照相、芯片连接的超声检测、内部气体成分分析、金属化扫描电子显微镜（SEM）检查、低气压、高温试验 等 9 项，点击展开全部
检测对象：电子元器件
GB/T 36477-2018
《半导体集成电路 快闪存储器测试方法》
检测项目：输出高电平电压和输出第电平电压、传输时间、保持时间、建立时间、延迟时间、存储单元0变1功能、存储单元1变0功能、特殊数据图形功能
检测对象：半导体集成电路快闪存储器
GB/T 6571-1995
《半导体分立器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管》 第IV章第1节
检测项目：正向电压、反向电流、工作电压、工作电压的温度系数、调整电流、调整电流的温度系数、调整电流变化量、极限电压
检测对象：半导体分立器件信号二极管（包括开关二极管）
检测对象：半导体分立器件电压基准二极管和电压调整二极管
检测对象：半导体分立器件电流调整二极管
GB/T 4586-94
《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》 第IV章
检测项目：栅极截止电流或栅极泄露电流、漏极电流（A、B和C型）、漏极截止电流（A、B和C型）、栅-源截止电压（A和B型）、栅-源阈值电压（C型）、静态漏-源通态电阻、漏-源通态电压、功率场效应晶体管沟道-管壳的瞬态热阻抗和热阻
检测对象：半导体分立器件场效应晶体管
《半导体分立器件试验方法》 GJB128B-2021 方法
《半导体分立器件试验方法》 GJB128B-2021 方法
检测项目：静电放电敏感度、外部目检、X射线照相、内部气体成分分析、金属化扫描电子显微镜（SEM）检查、低气压
检测对象：电子元器件
GB/T 4023-2015
《半导体分立器件 分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管》
检测项目：正向电压、雪崩和可控雪崩整流二极管击穿电压、反向电流、热阻、瞬态热阻抗
检测对象：半导体分立器件整流二极管
GB/T 20516-2006
《半导体器件 分立器件 第4部分：微波器件》 第Ⅱ篇第1节
检测项目：正向电压、反向电流、热阻、瞬态热阻抗
检测对象：半导体分立器件微波器件
《电子及电气元件试验方法》 GJB 360B-2009 方法
《电子及电气元件试验方法》 GJB 360B-2009 方法
检测项目：绝缘电阻、介质耐电试验、X射线照相、低气压
检测对象：电子元器件
《微电子器件试验方法和程序》 GJB 548B-2005 方法
《微电子器件试验方法和程序》 GJB 548B-2005 方法
检测项目：外部目检、X射线照相、金属化扫描电子显微镜（SEM）检查、高温试验
检测对象：电子元器件
《混合集成电路“七专”技术条件》 QZJ840616 方法
《混合集成电路“七专”技术条件》 QZJ840616 方法
检测项目：内部目检、低温试验、高温试验
检测对象：电子元器件
《半导体模拟集成电路“七专”技术条件》 QZJ840615 方法
《半导体模拟集成电路“七专”技术条件》 QZJ840615 方法
检测项目：内部目检、低温试验、高温试验
检测对象：电子元器件
GB/T2423.2-2008
电工电子产品环境试验 第2部分 条件A：低温
检测项目：低温试验、高温试验
检测对象：电子元器件
《微电子器件试验方法和程序》 GJB 548C-2021 方法方法
《微电子器件试验方法和程序》 GJB 548C-2021 方法方法
检测项目：静电放电敏感度
检测对象：电子元器件
《微电子器件试验方法和程序》 GJB 548C-2021 方法2010.2、方法
《微电子器件试验方法和程序》 GJB 548C-2021 方法2010.2、方法
检测项目：内部目检
检测对象：电子元器件
《微电子器件试验方法和程序》 GJB 548B-2005 方法2010.1、方法
《微电子器件试验方法和程序》 GJB 548B-2005 方法2010.1、方法
检测项目：内部目检
检测对象：电子元器件
《半导体分立器件试验方法》 GJB128B-2021 方法 2074、方法 2069、方法2070、方法2072、方法 2073、方法
《半导体分立器件试验方法》 GJB128B-2021 方法 2074、方法 2069、方法2070、方法2072、方法 2073、方法
检测项目：内部目检
检测对象：电子元器件
GJB4027B-2021
《军用电子元器件破坏性物理分析试验》 项目
检测项目：X射线照相
检测对象：电子元器件
《军用电子元器件破坏性物理分析试验》 GJB4027B-2021 工作项目1103-
《军用电子元器件破坏性物理分析试验》 GJB4027B-2021 工作项目1103-
检测项目：芯片连接的超声检测
检测对象：电子元器件
《军用装备实验室环境试验方法》 GJB150.2A-2009 第2部分
《军用装备实验室环境试验方法》 GJB150.2A-2009 第2部分
检测项目：低气压
检测对象：电子元器件
《半导体集成电路机械和气候试验方法》 SJ/T 10745 方法
《半导体集成电路机械和气候试验方法》 SJ/T 10745 方法
检测项目：高压蒸煮
检测对象：电子元器件
《军用装备实验室环境试验方法》 GJB150.4A-2009 第4部分
《军用装备实验室环境试验方法》 GJB150.4A-2009 第4部分
检测项目：低温试验
检测对象：电子元器件
《半导体分立器件试验方法》 GJB 128B-2021 方法
《半导体分立器件试验方法》 GJB 128B-2021 方法
检测项目：高温试验
检测对象：电子元器件
《军用装备实验室环境试验方法》 GJB150.3A-2009 第3部分
《军用装备实验室环境试验方法》 GJB150.3A-2009 第3部分
检测项目：高温试验
检测对象：电子元器件