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北京微电子技术研究所检测中心

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数据更新时间

2026-05-12

能力范围

当前展示该机构前 100 条能力;该机构共 172 条能力记录。

按标准归类为 20 个标准,每个标准下方直接显示可检测项目,点击可展开全部。

GJB548C-2021

微电子器件试验方法和程序 方法

20 项检测项目

检测项目:密封、盐雾、内部目检、键合强度、芯片剪切强度、外部目检、温度循环、老炼试验 等 20 项,点击展开全部

检测对象:电工电子产品

密封盐雾温度循环热冲击耐湿机械冲击

检测对象:半导体集成电路

内部目检键合强度芯片剪切强度外部目检老炼试验稳态寿命耐溶剂性粒子碰撞噪声检测试验静电放电敏感度的分级内部水汽含量外形尺寸超声检测X射线检查

检测对象:半导体集成电路外壳

绝缘电阻

GJB548B-2005

微电子器件试验方法和程序 方法

18 项检测项目

检测项目:温度循环、内部目检、键合强度、芯片剪切强度、外部目检、老炼试验、稳态寿命、耐溶剂性 等 18 项,点击展开全部

检测对象:电工电子产品

温度循环热冲击耐湿机械冲击

检测对象:半导体集成电路

内部目检键合强度芯片剪切强度外部目检老炼试验稳态寿命耐溶剂性粒子碰撞噪声检测试验静电放电敏感度的分级内部水汽含量外形尺寸超声检测X射线检查

检测对象:半导体集成电路外壳

绝缘电阻

GJB128B-2021

半导体分立器件试验方法 方法

9 项检测项目

检测项目:X射线检查、静电放电敏感性分类、内部水汽含量、开关时间、反向恢复特性、温度循环、热冲击、耐湿 等 9 项,点击展开全部

检测对象:半导体分立器件

X射线检查静电放电敏感性分类内部水汽含量开关时间反向恢复特性

检测对象:电工电子产品

温度循环热冲击耐湿机械冲击

SJ/T10741-2000

半导体集成电路CMOS电路测试方法的基本原理

9 项检测项目

检测项目:输入钳位电压V<Sub>IK</Sub>、输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>、输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>、输入高电平电流I<Sub>IH</Sub>、输入低电平电流I<Sub>IL</Sub>、输出高电平电流I<Sub>OH</Sub>、输出低电平电流I<Sub>OL</Sub>、静态电源电流I<Sub>DD</Sub> 等 9 项,点击展开全部

检测对象:半导体集成电路

输入钳位电压V<Sub>IK</Sub>输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>输入高电平电流I<Sub>IH</Sub>输入低电平电流I<Sub>IL</Sub>输出高电平电流I<Sub>OH</Sub>输出低电平电流I<Sub>OL</Sub>静态电源电流I<Sub>DD</Sub>动态电源电流I<Sub>a</Sub>

GJB128A-1997

半导体分立器件试验方法 方法

8 项检测项目

检测项目:盐雾、静电放电敏感性分类、内部水汽含量、温度循环、热冲击、耐湿、密封、机械冲击

检测对象:电工电子产品

盐雾温度循环热冲击耐湿密封机械冲击

检测对象:半导体分立器件

静电放电敏感性分类内部水汽含量

GB/T 4587-2023

半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管 方法

8 项检测项目

检测项目:集电极-基极电压、发射极-基极电压、集电极-基极截止电流、集电极-发射极截止电流、发射极-基极截止电流、正向电流传输比、集电极-发射极饱和电压、基极-发射极饱和电压

检测对象:半导体分立器件

集电极-基极电压发射极-基极电压集电极-基极截止电流集电极-发射极截止电流发射极-基极截止电流正向电流传输比集电极-发射极饱和电压基极-发射极饱和电压

GJB360B-2009

电子及电气元件试验方法 方法

8 项检测项目

检测项目:耐溶剂性、温度循环、粒子碰撞噪声检测试验、X射线检查、引线电阻、密封、稳态湿热、机械冲击

检测对象:半导体集成电路

耐溶剂性粒子碰撞噪声检测试验X射线检查

检测对象:电工电子产品

温度循环密封稳态湿热机械冲击

检测对象:半导体集成电路外壳

引线电阻

GJB 9388-2018

集成电路模拟数字、数字模拟转换器测试方法

5 项检测项目

检测项目:信噪比SNR、总谐波失真THD、无杂散动态范围SFDR、差分非线性DNL、积分非线性INL

检测对象:半导体集成电路

信噪比SNR总谐波失真THD无杂散动态范围SFDR差分非线性DNL积分非线性INL

GB/T 6571-1995

半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第IV章第1节

2 项检测项目

检测项目:反向恢复特性、总电容

检测对象:半导体分立器件

反向恢复特性总电容

MIL-STD-750E-2006

半导体分立器件试验方法 方法

2 项检测项目

检测项目:栅极电荷、栅串联电阻

检测对象:半导体分立器件

栅极电荷栅串联电阻

GJB1217A-2009

电连接器试验方法 方法

2 项检测项目

检测项目:温度循环、耐湿

检测对象:电工电子产品

温度循环耐湿

SJ20954-2006

集成电路锁定试验

1 项检测项目

检测项目:闩锁效应

检测对象:半导体集成电路

闩锁效应

GJB9389-2018

集成电路锁定试验方法

1 项检测项目

检测项目:闩锁效应

检测对象:半导体集成电路

闩锁效应

JESD78E-2016

集成电路锁定试验

1 项检测项目

检测项目:闩锁效应

检测对象:半导体集成电路

闩锁效应

JESD51-1:1995

集成电路的热测试方法-电学测试方法(适用于单片半导体器件)

1 项检测项目

检测项目:热性能检测

检测对象:半导体集成电路

热性能检测

JESD51-14:2010

一维传热路径下半导体器件结壳热阻瞬态双界面测试法

1 项检测项目

检测项目:热性能检测

检测对象:半导体集成电路

热性能检测

GJB4027B-2021

军用电子元器件破坏性物理分析方法 工作项目1103中2.5(塑封电路)

1 项检测项目

检测项目:超声检测

检测对象:半导体集成电路

超声检测

SJ20129-1992

金属镀覆层厚度测量方法

1 项检测项目

检测项目:镀层厚度

检测对象:半导体集成电路外壳

镀层厚度

GJB1420B-2011

半导体集成电路外壳通用规范 附录B

1 项检测项目

检测项目:镀金质量

检测对象:半导体集成电路外壳

镀金质量

GB/T 36479-2018

集成电路焊柱阵列试验方法

1 项检测项目

检测项目:焊柱可焊性

检测对象:电工电子产品

焊柱可焊性

机构信息

机构名称

北京微电子技术研究所检测中心

所在地区

北京市

企业地址

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