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湖南国芯半导体科技有限公司检测中心

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湖南省 · 株洲市

地址:湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼一楼101室

联系电话:0731-28492108

数据更新时间

2026-05-12

能力范围

当前展示该机构前 100 条能力;该机构共 104 条能力记录。

按标准归类为 16 个标准,每个标准下方直接显示可检测项目,点击可展开全部。

IEC 60747-8 Edition 3.1 :2021

半导体器件-分立器件-第8部分: 场效应晶体管

28 项检测项目

检测项目:漏-源(直流)电压、栅-源(直流)电压、漏极(直流)电流、漏极峰值电流、漏极反向(直流)电流、漏极反向峰值电流、反偏安全工作区、短路安全工作区 等 28 项,点击展开全部

检测对象:场效应晶体管

漏-源(直流)电压栅-源(直流)电压漏极(直流)电流漏极峰值电流漏极反向(直流)电流漏极反向峰值电流反偏安全工作区短路安全工作区漏源极击穿电压栅极-源极阈值电压漏极漏电流栅极漏电流漏-源通态电阻漏-源通态电压降开关时间开通能量关断能量栅极电荷输入电容输出电容反向传输电容栅极内阻正向恢复时间正向恢复电荷漏-源反向电压高温阻断(HTRB)高温栅极偏置(HTGB)间歇工作寿命(负载循环)

GB/T 29332-2012

半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘栅双极晶体管(IGBT)

22 项检测项目

检测项目:集电极-发射极电压、集电极-发射极饱和电压、栅极-发射极阈值电压、集电极截止电流、栅极漏电流、栅极电荷、集电极-发射极短路时的栅极-发射极电压、开通期间的各时间间隔(td(on)、tr、ton)和开通能量Eon 等 22 项,点击展开全部

检测对象:绝缘栅双极晶体管

集电极-发射极电压集电极-发射极饱和电压栅极-发射极阈值电压集电极截止电流栅极漏电流栅极电荷集电极-发射极短路时的栅极-发射极电压开通期间的各时间间隔(td(on)、tr、ton)和开通能量Eon关断期间的各时间间隔(td(off)、tf、toff、tz)和关断能量Eoff集电极-发射极击穿电压输入电容输出电容反向传输电容栅极内阻高温阻断(HTRB)最大集电极电流高温栅极偏置(HTGB)间歇工作寿命(负载循环)最大集电极峰值电流最大反偏安全工作区最大短路安全工作区1最大短路安全工作区2

AQG 324:2021

汽车电力电子转换单元的功率模块认证

22 项检测项目

检测项目:最大短路安全工作区2、高温试验、温度冲击试验、集电极-发射极饱和电压、栅极-发射极阈值电压、集电极截止电流、栅极漏电流、集电极-发射极击穿电压 等 22 项,点击展开全部

检测对象:绝缘栅双极晶体管

最大短路安全工作区2集电极-发射极饱和电压栅极-发射极阈值电压集电极截止电流栅极漏电流集电极-发射极击穿电压最大集电极电流最大短路安全工作区1

检测对象:电工电子产品

高温试验温度冲击试验低温试验

检测对象:场效应晶体管

短路安全工作区漏源极击穿电压栅极-源极阈值电压漏极漏电流栅极漏电流漏-源通态电压降

检测对象:二极管

正向电压击穿电压

检测对象:半导体器件

功率循环稳态湿热偏置寿命高温反偏(HTRB)高温栅极偏置(HTGB)

IEC 60747-2 Edition 3.0 :2016

半导体器件-第2部分:分立器件-整流二极管

11 项检测项目

检测项目:正向电压、击穿电压、反向电压、反向电流、正向直流电流、恢复电荷、反向恢复时间、反向恢复能量 等 11 项,点击展开全部

检测对象:二极管

正向电压击穿电压反向电压反向电流正向直流电流恢复电荷反向恢复时间反向恢复能量反向恢复软度系数反向重复峰值电流总电容电荷

IEC 60747-9 Edition 3.0 :2019

半导体器件 第9部分:分立器件 绝缘栅双极晶体管(IGBTs)

3 项检测项目

检测项目:高温阻断(HTRB)、高温栅极偏置(HTGB)、间歇工作寿命(负载循环)

检测对象:绝缘栅双极晶体管

高温阻断(HTRB)高温栅极偏置(HTGB)间歇工作寿命(负载循环)

IEC 60749-23:2004+A1:2011

半导体器件 机械和气候试验方法 第23部分:高温工作寿命

2 项检测项目

检测项目:高温反偏(HTRB)、高温栅极偏置(HTGB)

检测对象:半导体器件

高温反偏(HTRB)高温栅极偏置(HTGB)

GB/T 2423.22-2012

环境试验 第2部分:试验方法 试验N:温度变化

1 项检测项目

检测项目:温度冲击试验

检测对象:电工电子产品

温度冲击试验

IEC 60068-2-14:2023

环境试验 第2-14部分:试验方法 试验N:温度变化

1 项检测项目

检测项目:温度冲击试验

检测对象:电工电子产品

温度冲击试验

IEC 60749-25:2003

半导体器件 机械和气候试验方法 第25部分 温度循环

1 项检测项目

检测项目:温度冲击试验

检测对象:电工电子产品

温度冲击试验

IIEC 60747-8 Edition 3.1 :2021

半导体器件-分立器件-第8部分: 场效应晶体管 IEC 60747-8 Edition 3.1 :2021

1 项检测项目

检测项目:栅-漏(直流)电压

检测对象:场效应晶体管

栅-漏(直流)电压

JESD 51-14: 2010

基于单一传热路径的半导体器件结壳热阻测试方法:热瞬态双界面法

1 项检测项目

检测项目:结-壳热阻和结-壳瞬态热阻抗

检测对象:半导体器件

结-壳热阻和结-壳瞬态热阻抗

IEC 60749-34 Edition 2.0 :2010

半导体器件 机械和气候试验方法 第34部分:功率循环

1 项检测项目

检测项目:功率循环

检测对象:半导体器件

功率循环

IEC 60749-5 Edition 3.0:2023

半导体器件 机械和气候试验方法 第5部分:稳态湿热偏置寿命试验

1 项检测项目

检测项目:稳态湿热偏置寿命

检测对象:半导体器件

稳态湿热偏置寿命

GB/T 2423.1-2008

电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验A:低温

1 项检测项目

检测项目:低温试验

检测对象:电工电子产品

低温试验

IEC 60068-2-1:2007

环境试验 第2-1部分:试验方法 试验A:低温

1 项检测项目

检测项目:低温试验

检测对象:电工电子产品

低温试验

JESD22-A119A:2021

低温存储寿命试验

1 项检测项目

检测项目:低温试验

检测对象:电工电子产品

低温试验

机构信息

机构名称

湖南国芯半导体科技有限公司检测中心

所在地区

湖南省 · 株洲市

企业地址

湖南省株洲市石峰区田心高科园半导体三线办公大楼一楼101室

法定代表人

罗海辉

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