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2026-05-12
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按标准归类为 22 个标准，每个标准下方直接显示可检测项目，点击可展开全部。
《半导体分立器件试验方法 》 GJB128B-2021 方法
《半导体分立器件试验方法 》 GJB128B-2021 方法
检测项目：集电极-基极截止电流（直流法）I<Sub>CBO</Sub>、发射极-基极截止电流（直流法）I<Sub>EBO</Sub>、集电极-发射极截止电流（直流法）I<Sub>CEO</Sub>、集电极-发射极饱和电压V<Sub>CEsat</Sub>、基极-发射极饱和电压V<Sub>BEsat</Sub>、共发射极正向电流传输比（输出电压保持不变）（直流或脉冲法）h21E、发射极电流为零时的集电极-基极击穿电压V(BR)<Sub>CBO</Sub>、集电极电流为零时的发射极-基极击穿电压V(BR)<Sub>EBO</Sub> 等 10 项，点击展开全部
检测对象：双极型晶体管
检测对象：半导体分立器件
GB/T4587-2023
《半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管》
检测项目：集电极-基极截止电流（直流法）I<Sub>CBO</Sub>、发射极-基极截止电流（直流法）I<Sub>EBO</Sub>、集电极-发射极截止电流（直流法）I<Sub>CEO</Sub>、集电极-发射极饱和电压V<Sub>CEsat</Sub>、基极-发射极饱和电压V<Sub>BEsat</Sub>、共发射极正向电流传输比（输出电压保持不变）（直流或脉冲法）h21E、发射极电流为零时的集电极-基极击穿电压V(BR)<Sub>CBO</Sub>、集电极电流为零时的发射极-基极击穿电压V(BR)<Sub>EBO</Sub>
检测对象：双极型晶体管
半导体光电耦合器测试方法 SJ/T2215-2015 方法
半导体光电耦合器测试方法 SJ/T2215-2015 方法
检测项目：正向电压（输入二极管）、反向电流（二极管）、反向击穿电压（二极管）、集电极-发射极击穿电压、集电极-发射极饱和电压、电流传输比、集电极-发射极截止电流（直流法）ICEO
检测对象：半导体光电耦合器
GB/T 15291-2015
《半导体分立器件第6部分 晶闸管 》 方法
检测项目：通态电压VT、擎住电流IL、维持电流IH、门极触发电压VGT、门极触发电流IGT
检测对象：闸流晶体管
GB/T4586-1994
《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》 第Ⅳ章
检测项目：栅-源阈值电压V<Sub>GS</Sub>、栅极截止电流和栅极泄漏电流、漏极截止电流、漏源通态电阻RDS（ON)
检测对象：场效应晶体管
电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法
电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法
检测项目：直流电阻、电容量、品质因数(Q)、绝缘电阻
检测对象：固定电阻器
检测对象：电容器
电子及电气元件试验方法 GJB360B-2009 方法
电子及电气元件试验方法 GJB360B-2009 方法
检测项目：温度冲击试验、微粒碰撞噪声检测、高温寿命试验
检测对象：电子及电气元件
电子设备用固定电感器第1部分：总规范 SJ/T 2885-2003 方法
电子设备用固定电感器第1部分：总规范 SJ/T 2885-2003 方法
检测项目：电感量、品质因数(Q)、直流电阻（DCR）
检测对象：电感器
《半导体分立器件试验方法 》 GJB/128B-2021 方法
《半导体分立器件试验方法 》 GJB/128B-2021 方法
检测项目：正向电压V<Sub>F</Sub>、反向电流I<Sub>R</Sub>、击穿电压VBR
检测对象：信号（包括开关）和调整二极管
GB/T6571-1995
《半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 第Ⅳ章第1节
检测项目：正向电压V<Sub>F</Sub>、反向电流I<Sub>R</Sub>
检测对象：信号（包括开关）和调整二极管
电连接器试验方法 GJB1217A-2009 方法
电连接器试验方法 GJB1217A-2009 方法
检测项目：介质耐电压、绝缘电阻
检测对象：电连接器
半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法1038条件A及条件B
半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法1038条件A及条件B
检测项目：老炼（二极管、整流管、稳压管）
检测对象：半导体分立器件
《半导体分立器件试验方法 》 GJB128B-2021 方法1038条件A、条件B
《半导体分立器件试验方法 》 GJB128B-2021 方法1038条件A、条件B
检测项目：老炼（二极管、整流管、稳压管）
检测对象：半导体分立器件
半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法1039条件A及条件B
半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法1039条件A及条件B
检测项目：老炼（晶体管）
检测对象：半导体分立器件
《半导体分立器件试验方法 》 GJB128B-2021 方法1039条件A、条件B
《半导体分立器件试验方法 》 GJB128B-2021 方法1039条件A、条件B
检测项目：老炼（晶体管）
检测对象：半导体分立器件
《半导体分立器件试验方法 》 GJB128B-2021 方法1040条件B
《半导体分立器件试验方法 》 GJB128B-2021 方法1040条件B
检测项目：老炼（闸流晶体管）
检测对象：半导体分立器件
半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法
半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法
检测项目：温度循环（空气-空气）
检测对象：半导体分立器件
半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法1071条件H1和C
半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法1071条件H1和C
检测项目：密封
检测对象：半导体分立器件
《半导体分立器件试验方法 》 GJB128B-2021 方法1071 只用条件H1和C
《半导体分立器件试验方法 》 GJB128B-2021 方法1071 只用条件H1和C
检测项目：密封
检测对象：半导体分立器件
半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法2052条件A或条件B
半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法2052条件A或条件B
检测项目：粒子碰撞噪声检测试验
检测对象：半导体分立器件
《半导体分立器件试验方法 》 GJB128B-2021 方法2052条件A、条件B
《半导体分立器件试验方法 》 GJB128B-2021 方法2052条件A、条件B
检测项目：粒子碰撞噪声检测试验
检测对象：半导体分立器件
电子及电气元件试验方法 GJB360B-2009 方法112条件C及条件E
电子及电气元件试验方法 GJB360B-2009 方法112条件C及条件E
检测项目：密封试验
检测对象：电子及电气元件