检我来检做检测,上我来检
首页能力查询检测知识库
登录
检我来检做检测,上我来检
首页能力查询检测知识库
登录
返回搜索结果

西安西谷芯创电子技术有限公司检测中心

当前查看:西安西谷芯创电子技术有限公司检测中心

陕西省 · 西安市

地址:陕西省西安市高新区成业大道4301号1号楼8层

联系电话:029-81118580

数据更新时间

2026-05-12

能力范围

当前机构按“电子元器件”筛选,展示 69 条相关能力。

按标准归类为 18 个标准,每个标准下方直接显示可检测项目,点击可展开全部。

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 工作项目1003

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 工作项目1003

6 项检测项目

检测项目:外部目检、粒子碰撞噪声检测(PIND)、密封、内部目检、键合强度、剪切强度

检测对象:有键合丝表面安装和外引线同向引出晶体管、二极管

外部目检粒子碰撞噪声检测(PIND)密封内部目检键合强度剪切强度

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027B-2021 工作项目1003

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027B-2021 工作项目1003

6 项检测项目

检测项目:外部目检、粒子碰撞噪声检测(PIND)、密封、内部目检、键合强度、剪切强度

检测对象:有键合丝表面安装和外引线同向引出晶体管、二极管

外部目检粒子碰撞噪声检测(PIND)密封内部目检键合强度剪切强度

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 工作项目1101

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 工作项目1101

6 项检测项目

检测项目:外部目检、粒子碰撞噪声检测(PIND)、密封、内部目检、键合强度、剪切强度

检测对象:密封半导体集成电路

外部目检粒子碰撞噪声检测(PIND)密封内部目检键合强度剪切强度

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027B-2021 工作项目1101

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027B-2021 工作项目1101

6 项检测项目

检测项目:外部目检、粒子碰撞噪声检测(PIND)、密封、内部目检、键合强度、剪切强度

检测对象:密封半导体集成电路

外部目检粒子碰撞噪声检测(PIND)密封内部目检键合强度剪切强度

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 工作项目0202

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027A-2006 工作项目0202

4 项检测项目

检测项目:外部目检、引出端强度(对带引线有包封层的电容器)、内部目检(对带引线有包封层的电容器)、制样镜检

检测对象:多层瓷介(独石)电容器

外部目检引出端强度(对带引线有包封层的电容器)内部目检(对带引线有包封层的电容器)制样镜检

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027B-2021 工作项目0202

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027B-2021 工作项目0202

4 项检测项目

检测项目:外部目检、引出端强度(对带引线有包封层的电容器)、内部目检(对带引线有包封层的电容器)、制样镜检

检测对象:多层瓷介(独石)电容器

外部目检引出端强度(对带引线有包封层的电容器)内部目检(对带引线有包封层的电容器)制样镜检

军用电子元器件筛选技术要求 GJB7243-2011

军用电子元器件筛选技术要求 GJB7243-2011

2 项检测项目

检测项目:介质耐电压、绝缘电阻

检测对象:射频同轴连接器转接器

介质耐电压绝缘电阻

微电子器件试验方法和程序 GJB548C-2021 方法

微电子器件试验方法和程序 GJB548C-2021 方法

7 项检测项目

检测项目:外部目检、高温贮存、温度冲击试验、密封(细检漏)、密封(粗检漏)、粒子碰撞噪声检测试验、老炼

检测对象:电子元器件

外部目检高温贮存温度冲击试验密封(细检漏)密封(粗检漏)粒子碰撞噪声检测试验老炼

半导体分立器件试验方法 GJB128B-2021 方法

半导体分立器件试验方法 GJB128B-2021 方法

6 项检测项目

检测项目:外部目检、高温贮存、温度冲击试验、密封(细检漏)、密封(粗检漏)、粒子碰撞噪声检测试验

检测对象:电子元器件

外部目检高温贮存温度冲击试验密封(细检漏)密封(粗检漏)粒子碰撞噪声检测试验

微波组件通用规范 GJB8481-2015

微波组件通用规范 GJB8481-2015

4 项检测项目

检测项目:外部目检、密封(细检漏)、密封(粗检漏)、粒子碰撞噪声检测试验

检测对象:电子元器件

外部目检密封(细检漏)密封(粗检漏)粒子碰撞噪声检测试验

微电路试验方法和程序 GJB 548B-2005 方法

微电路试验方法和程序 GJB 548B-2005 方法

4 项检测项目

检测项目:高温贮存、温度冲击试验、密封(细检漏)、密封(粗检漏)

检测对象:电子元器件

高温贮存温度冲击试验密封(细检漏)密封(粗检漏)

半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法

半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法

3 项检测项目

检测项目:外部目检、温度冲击试验、粒子碰撞噪声检测试验

检测对象:电子元器件

外部目检温度冲击试验粒子碰撞噪声检测试验

电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法

电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法

3 项检测项目

检测项目:温度冲击试验、密封(细检漏)、密封(粗检漏)

检测对象:电子元器件

温度冲击试验密封(细检漏)密封(粗检漏)

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法

2 项检测项目

检测项目:密封(细检漏)、密封(粗检漏)

检测对象:电子元器件

密封(细检漏)密封(粗检漏)

微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法

微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法

2 项检测项目

检测项目:粒子碰撞噪声检测试验、老炼

检测对象:电子元器件

粒子碰撞噪声检测试验老炼

电子及电气元件试验方法 GJB360B-2009 方法

电子及电气元件试验方法 GJB360B-2009 方法

2 项检测项目

检测项目:粒子碰撞噪声检测试验、老炼

检测对象:电子元器件

粒子碰撞噪声检测试验老炼

微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 方法

微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 方法

1 项检测项目

检测项目:外部目检

检测对象:电子元器件

外部目检

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法1031、

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法1031、

1 项检测项目

检测项目:高温贮存

检测对象:电子元器件

高温贮存

机构信息

机构名称

西安西谷芯创电子技术有限公司检测中心

所在地区

陕西省 · 西安市

企业地址

陕西省西安市高新区成业大道4301号1号楼8层

法定代表人

南鹄林

检我来检

我来检面向企业客户提供实验室资质能力搜索服务,帮助您从大量能力范围中快速找到合适实验室、对应标准和检测项目。

快速导航

  • 首页
  • 实验室能力查询
  • 检测知识库

热门检索

  • 食品接触材料检测
  • 电线电缆检测
  • 化妆品检测
  • 标准解读与检测指南

实验室合作,请联系我们

点击二维码可放大扫码

联系电话:18019561783

本站数据用于能力检索参考,具体资质范围以官方公示和实验室最新能力范围为准。

© 2026 我来检 · 做检测,上我来检 · 皖ICP备2026012831号-1