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数据更新时间
2026-05-12
当前机构按“电子器件”筛选，展示 61 条相关能力。
按标准归类为 6 个标准，每个标准下方直接显示可检测项目，点击可展开全部。
GJB 548C-2021
微电子器件试验方法和程序 方法
检测项目：可焊性、耐溶剂性、MOS场效应晶体管阈值电压、外部目检、内部目检、声学扫描电子显微镜检查、键合强度、剪切强度 等 18 项，点击展开全部
检测对象：电子元器件
检测对象：场效应晶体管
GJB 548B-2005
微电子器件试验方法和程序
检测项目：可焊性、耐溶剂性、MOS场效应晶体管阈值电压、低气压、高温、湿热、振动、温度变化 等 17 项，点击展开全部
检测对象：电子元器件
检测对象：场效应晶体管
检测对象：装备
GB/T 15651.3-2003
半导体器件分立器件和集成电路 第5-3部分 光电子器件测试方法
检测项目：集电极-发射极暗电流I<Sub>CEO</Sub>、集电极-基极暗电流I<Sub>CBO</Sub>、集电极-发射极饱和电压、电流传输比CTR、开通时间T<Sub>ON</Sub>、关断时间T<Sub>OFF</Sub>
检测对象：光电子器件
MIL-STD-883-2 w/CHANGE 1：2022
微电子器件力学试验方法 第2部分：试验方法2000-2999 方法
检测项目：耐溶剂性、X射线检查
检测对象：电子元器件
MIL-STD-883-2 w/CHANGE 1-2022
微电子器件力学试验方法 第2部分：试验方法2000-2999
检测项目：机械冲击、振动疲劳
检测对象：电子元器件
SJ/T 2215-2015
半导体光电耦合器测试方法
检测项目：集电极-发射极截止电流I<Sub>CEO</Sub>、电流传输比CTR、正向电压V<Sub>F</Sub>、正向电流I<Sub>F</Sub>、反向漏电流I<Sub>R</Sub>、反向击穿电压V<Sub>BR</Sub>、集电极-发射极击穿电压、集电极-发射极饱和电压V<Sub>CES</Sub>
检测对象：光电子器件