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2026-05-12
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GB/T 17574-1998
半导体器件集成电路 第2部分：数字集成电路 第Ⅳ篇第二节
检测项目：传输时间t<Sub>PLH</sub>、转换时间t<Sub>TLH</sub>、转换时间t<Sub>THL</sub>、输出允许时间T<Sub>en</sub>(<Sub>ZL</sub>)、输出允许时间T<Sub>en</sub>(<Sub>ZH</sub>)、输出禁止时间T<Sub>dis</sub>(<Sub>LZ</sub>)、输出禁止时间T<Sub>dis</sub>(<Sub>HZ</sub>)、差分输出电压 等 9 项，点击展开全部
检测对象：半导体集成电路微处理器及外围接口电路
半导体光电耦合器测试方法 SJ/T2215-2015
半导体光电耦合器测试方法 SJ/T2215-2015
检测项目：正向电压<I>V</I><Sub>F</Sub>、正向电流I<Sub>F</Sub>、反向击穿电压V<Sub>R</Sub>、反向电流I<Sub>R</Sub>、集电极-发射极击穿电压V<Sub>CEO</Sub>、集电极-发射极饱和电压V<Sub>CES</Sub>、集电极-发射极截止电流I<Sub>CEO</Sub>、电流传输比 CTR
检测对象：半导体光电耦合器
电子及电气元件试验方法 GJB360B-2009
电子及电气元件试验方法 GJB360B-2009
检测项目：电阻值R、总阻值R、终端电阻R<Sub>0</Sub>、电容量<I>C</I>、漏电流I<Sub>o</Sub>、绝缘电阻<I>R</I><Sub><I>I</I></Sub>、介质耐压<I>U</I><Sub><I>R</I></Sub>
检测对象：电阻器
检测对象：电位器
检测对象：钽电容器
检测对象：无极性电容器
电子及电气元件试验方法 GJB360B-2009 方法
电子及电气元件试验方法 GJB360B-2009 方法
检测项目：电阻值R、总阻值R、终端电阻R<Sub>0</Sub>、介质耐压U<Sub>R</sub>、绝缘电阻R<Sub>I</sub>、老炼
检测对象：电阻器
检测对象：电位器
检测对象：电子元器件
GB/T4586-1994
半导体器件 第8部分 场效应晶体管
检测项目：栅源短路时栅极漏电流IGSS、漏-源短路漏极电流IDSS、漏-源击穿电压BVDSS、栅极阈值电压VGS（th）、漏极电流Id（on）
检测对象：场效应晶体管
有和无可靠性指标的模制射频固定电感器通用规范 GJB 675A-2002
有和无可靠性指标的模制射频固定电感器通用规范 GJB 675A-2002
检测项目：电感量<I>L</I>、直流电阻R<Sub>m</Sub>、阻抗、绝缘电阻R<Sub>I</sub>、品质因数Q
检测对象：电感器
半导体分立器件试验方法 GJB128B-2021 方法
半导体分立器件试验方法 GJB128B-2021 方法
检测项目：漏-源击穿电压BVDSS、正向电压<I>V</I><Sub>F</Sub>、反向电流<I>I</I><Sub>R</Sub>、击穿电压V<Sub>BR</Sub>
检测对象：场效应晶体管
检测对象：整流二极管
JB/T7624-2013
整流二极管测试方法
检测项目：正向电压<I>V</I><Sub>F</Sub>、反向电流<I>I</I><Sub>R</Sub>、击穿电压V<Sub>BR</Sub>、正向特性
检测对象：整流二极管
固体电解质钽固定电容器通用规范 GJB 63C-2015
固体电解质钽固定电容器通用规范 GJB 63C-2015
检测项目：电容量<I>C</I>、漏电流I<Sub>o</Sub>、损耗角正切tanδ、ESR
检测对象：钽电容器
GB/T 4023-2015
半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管
检测项目：正向电压<I>V</I><Sub>F</Sub>、反向电流<I>I</I><Sub>R</Sub>、击穿电压V<Sub>BR</Sub>
检测对象：整流二极管
GB/T15651.3-2003
半导体分立器件和集成电路 第5-3部分：光电子器件测试方法
检测项目：集电极-发射极饱和电压V<Sub>CES</Sub>、集电极-发射极截止电流I<Sub>CEO</Sub>、电流传输比 CTR
检测对象：半导体光电耦合器
片式固体电解质钽固定电容器通用规范 GJB2283A-2014 方法
片式固体电解质钽固定电容器通用规范 GJB2283A-2014 方法
检测项目：电容量<I>C</I>、漏电流I<Sub>o</Sub>、损耗角正切tanδ
检测对象：钽电容器
有失效率等级的非固体电解质钽固定电容器通用规范 GJB733B-2011 方法
有失效率等级的非固体电解质钽固定电容器通用规范 GJB733B-2011 方法
检测项目：电容量<I>C</I>、漏电流I<Sub>o</Sub>、损耗角正切tanδ
检测对象：钽电容器
非固体电解质钽电容器总规范 GJB1312A-2001 方法
非固体电解质钽电容器总规范 GJB1312A-2001 方法
检测项目：电容量<I>C</I>、漏电流I<Sub>o</Sub>、损耗角正切tanδ
检测对象：钽电容器
电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法
电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法
检测项目：直流电阻R<Sub>m</Sub>、绝缘电阻R<Sub>I</sub>、介质耐压U<Sub>R</sub>
检测对象：电感器
微电子试验方法和程序 GJB548B-2005
微电子试验方法和程序 GJB548B-2005
检测项目：外观检查、老炼
检测对象：电子元器件
GB/T 4586-94
半导体器件 分立器件 第8部分 场效应晶体管 第Ⅳ章 方法
检测项目：栅-源截止电压V<Sub>GSSth</sub>、漏源通态电压V<Sub>DS</sub>（<Sub>on</sub>）
检测对象：场效应晶体管
GB/T6571-1995
半导体器件分立器件第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 第Ⅳ章 第1节
检测项目：正向电压<I>V</I><Sub>F</Sub>、反向电流<I>I</I><Sub>R</Sub>
检测对象：整流二极管
线绕预调电位器通用规范 GJB917A-2011
线绕预调电位器通用规范 GJB917A-2011
检测项目：总阻值R、终端电阻R<Sub>0</Sub>
检测对象：电位器
非线绕预调电位器通用规范 GJB 918A-2011
非线绕预调电位器通用规范 GJB 918A-2011
检测项目：总阻值R、终端电阻R<Sub>0</Sub>
检测对象：电位器
微电子试验方法和程序 GJB 548C-2021 方法
微电子试验方法和程序 GJB 548C-2021 方法
检测项目：老炼
检测对象：电子元器件
GB/T4586-1994 15
半导体器件 第8部分 场效应晶体管
检测项目：静态漏-源通态电阻RDS（on）
检测对象：场效应晶体管
GB/T4586-1994 10
半导体器件 第8部分 场效应晶体管
检测项目：正向跨导ggs（Vgs）
检测对象：场效应晶体管
半导体分立器件试验方法 GJB128A-97 1038条件B
半导体分立器件试验方法 GJB128A-97 1038条件B
检测项目：老炼
检测对象：电子元器件
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法1038条件B
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法1038条件B
检测项目：老炼
检测对象：电子元器件
半导体分立器件试验方法 GJB128A-97 1039条件B
半导体分立器件试验方法 GJB128A-97 1039条件B
检测项目：老炼
检测对象：电子元器件
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法1039条件B
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法1039条件B
检测项目：老炼
检测对象：电子元器件
半导体分立器件试验方法 GJB128A-97 1042条件C
半导体分立器件试验方法 GJB128A-97 1042条件C
检测项目：老炼
检测对象：电子元器件
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法1042条件C
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法1042条件C
检测项目：老炼
检测对象：电子元器件
有和无可靠性指标的模制射频固定电感器通用规范 GJB 675A-2002 方法
有和无可靠性指标的模制射频固定电感器通用规范 GJB 675A-2002 方法
检测项目：介质耐压U<Sub>R</sub>
检测对象：电感器
电连接器试验方法 GJB 1217A-2009 方法
电连接器试验方法 GJB 1217A-2009 方法
检测项目：介质耐压
检测对象：连接器
耐环境快速分离圆形电连接器总规范 GJB 598B-2011 3.6.8/
耐环境快速分离圆形电连接器总规范 GJB 598B-2011 3.6.8/
检测项目：介质耐压
检测对象：连接器
耐环境快速分离高密度小圆形电连接器通用规范 GJB 599B-2012
耐环境快速分离高密度小圆形电连接器通用规范 GJB 599B-2012
检测项目：介质耐压
检测对象：连接器
螺纹连接圆形电连接器总规范 GJB 600A-2001
螺纹连接圆形电连接器总规范 GJB 600A-2001
检测项目：介质耐压
检测对象：连接器
耐强冲击螺纹连接圆形电连接器总规范 GJB3593-99
耐强冲击螺纹连接圆形电连接器总规范 GJB3593-99
检测项目：介质耐压
检测对象：连接器