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锦州辽晶电子科技股份有限公司检验中心

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辽宁省 · 锦州市

地址:辽宁省锦州市太和区松山大街58号

联系电话:0416-4171888

数据更新时间

2026-05-12

能力范围

当前展示该机构前 74 条能力;该机构共 74 条能力记录。

按标准归类为 22 个标准,每个标准下方直接显示可检测项目,点击可展开全部。

GB/T4587-2023

半导体器件 分立器件 第 7 部分:双极型晶体管

9 项检测项目

检测项目:集电极—基极 截止电流(直 流法)、发射极—基极 截止电流(直 流法)、集电极—发射 极截止电流 (直流法)、集电极—发射极饱和电压、基极—发射极饱和电压、共发射极正向电流传输比、集电极—基极 电压、发射极—基极电压 等 9 项,点击展开全部

检测对象:双极型晶体管

集电极—基极 截止电流(直 流法)发射极—基极 截止电流(直 流法)集电极—发射 极截止电流 (直流法)集电极—发射极饱和电压基极—发射极饱和电压共发射极正向电流传输比集电极—基极 电压发射极—基极电压集电极—发射极电压

GB/T4377-2018

半导体集成电路电压调整器测试方法

6 项检测项目

检测项目:电压调整率、电流调整率、电源纹波抑制比、耗散电流、耗散电流变化、输出电压

检测对象:半导体集成电路电压调整器

电压调整率电流调整率电源纹波抑制比耗散电流耗散电流变化输出电压

GB/T4586-1994

半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管 第IV章

6 项检测项目

检测项目:漏-源通态电阻、漏-源击穿电压、正向跨导、栅极截止电流、漏极截止电流、栅-源阈值电压

检测对象:场效应晶体管

漏-源通态电阻漏-源击穿电压正向跨导栅极截止电流漏极截止电流栅-源阈值电压

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997

4 项检测项目

检测项目:高温寿命(非工作)、恒定加速度、粒子碰撞噪声检测试验、稳态工作寿命

检测对象:场效应晶体管

高温寿命(非工作)恒定加速度粒子碰撞噪声检测试验稳态工作寿命

检测对象:整流二极管

高温寿命(非工作)恒定加速度粒子碰撞噪声检测试验

检测对象:双极型晶体管

高温寿命(非工作)恒定加速度粒子碰撞噪声检测试验稳态工作寿命

半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021

半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021

4 项检测项目

检测项目:高温寿命(非工作)、恒定加速度、粒子碰撞噪声检测试验、稳态工作寿命

检测对象:场效应晶体管

高温寿命(非工作)恒定加速度粒子碰撞噪声检测试验稳态工作寿命

检测对象:整流二极管

高温寿命(非工作)恒定加速度粒子碰撞噪声检测试验

检测对象:双极型晶体管

高温寿命(非工作)恒定加速度粒子碰撞噪声检测试验稳态工作寿命

GB/T4023-2015

半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管

3 项检测项目

检测项目:正向电压、击穿电压、反向电流

检测对象:整流二极管

正向电压击穿电压反向电流

GB/T15651.3-2003

半导体分立器件和集成电路 第5-3部分:光电子器件测试方法

3 项检测项目

检测项目:电流传输比、集电极—发射极饱和电压、集电极—发射极暗电流

检测对象:光电耦合器

电流传输比集电极—发射极饱和电压集电极—发射极暗电流

GB/T 15651.2-2003

半导体分立器件和集成电路 第5-2部分:光电子器件 基本额定值和特性

3 项检测项目

检测项目:正向电压、反向电流、集电极—发射极击穿电压

检测对象:光电耦合器

正向电压反向电流集电极—发射极击穿电压

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1051条件A、B、C、F、G

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1051条件A、B、C、F、G

1 项检测项目

检测项目:温度循环(空气-空气)

检测对象:场效应晶体管

温度循环(空气-空气)

检测对象:整流二极管

温度循环(空气-空气)

检测对象:双极型晶体管

温度循环(空气-空气)

半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 1051条件A、B、C、F、G

半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 1051条件A、B、C、F、G

1 项检测项目

检测项目:温度循环(空气-空气)

检测对象:场效应晶体管

温度循环(空气-空气)

检测对象:整流二极管

温度循环(空气-空气)

检测对象:双极型晶体管

温度循环(空气-空气)

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1071条件C、H

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1071条件C、H

1 项检测项目

检测项目:密封

检测对象:场效应晶体管

密封

检测对象:整流二极管

密封

检测对象:双极型晶体管

密封

半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 1071条件C、H

半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 1071条件C、H

1 项检测项目

检测项目:密封

检测对象:场效应晶体管

密封

检测对象:整流二极管

密封

检测对象:双极型晶体管

密封

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042条件C

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1042条件C

1 项检测项目

检测项目:老炼

检测对象:场效应晶体管

老炼

半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 1042条件C

半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 1042条件C

1 项检测项目

检测项目:老炼

检测对象:场效应晶体管

老炼

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1039条件B

半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 1039条件B

1 项检测项目

检测项目:老炼

检测对象:双极型晶体管

老炼

半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 1039条件B

半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 1039条件B

1 项检测项目

检测项目:老炼

检测对象:双极型晶体管

老炼

微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 2001.1 条件A~E

微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 2001.1 条件A~E

1 项检测项目

检测项目:恒定加速度

检测对象:混合电路

恒定加速度

微电子器件试验方法和程序 GJB 548C-2021 2001.1 条件A~E

微电子器件试验方法和程序 GJB 548C-2021 2001.1 条件A~E

1 项检测项目

检测项目:恒定加速度

检测对象:混合电路

恒定加速度

微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005

微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005

1 项检测项目

检测项目:粒子碰撞噪声检测试验

检测对象:混合电路

粒子碰撞噪声检测试验

微电子器件试验方法和程序 GJB 548C-2021

微电子器件试验方法和程序 GJB 548C-2021

1 项检测项目

检测项目:粒子碰撞噪声检测试验

检测对象:混合电路

粒子碰撞噪声检测试验

微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 1014.2条件A1、C

微电子器件试验方法和程序 GJB 548B-2005 1014.2条件A1、C

1 项检测项目

检测项目:密封

检测对象:混合电路

密封

微电子器件试验方法和程序 GJB 548C-2021 1014.3条件A1、C

微电子器件试验方法和程序 GJB 548C-2021 1014.3条件A1、C

1 项检测项目

检测项目:密封

检测对象:混合电路

密封

机构信息

机构名称

锦州辽晶电子科技股份有限公司检验中心

所在地区

辽宁省 · 锦州市

企业地址

辽宁省锦州市太和区松山大街58号

法定代表人

苏舟

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