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陕西半导体先导技术中心有限公司测试工程部

当前查看:陕西半导体先导技术中心有限公司测试工程部

陕西省 · 西安市

地址:陕西省西安市高新区锦业路125号西安半导体产业园A座二层

联系电话:029-85269966

数据更新时间

2026-05-12

能力范围

当前展示该机构前 100 条能力;该机构共 122 条能力记录。

按标准归类为 21 个标准,每个标准下方直接显示可检测项目,点击可展开全部。

GB/T 6798-1996

半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理

11 项检测项目

检测项目:输入失调电压、输入失调电流、输入偏置电流、静态电源电流、开环电压增益、共模抑制比、电源电压抑制比、输出高电平电压 等 11 项,点击展开全部

检测对象:半导体集成电路电压比较器

输入失调电压输入失调电流输入偏置电流静态电源电流开环电压增益共模抑制比电源电压抑制比输出高电平电压输出低电平电压高电平输出电流低电平输出电流

GB/T 17574-1998

半导体器件 集成电路第2部分:数字集成电路

10 项检测项目

检测项目:输入钳位电压、输出低电平电压、输入高电平电流、输入低电平电流、输出短路电流、输出高阻态电流、静态条件下的电源电流、输出高电平电压 等 10 项,点击展开全部

检测对象:半导体集成电路TTL电路

输入钳位电压输出高电平电压输出低电平电压输入高电平电流输入低电平电流输出短路电流输出高阻态电流

检测对象:半导体集成电路CMOS电路

输出低电平电压输入高电平电流输入低电平电流输出短路电流输出高阻态电流静态条件下的电源电流

检测对象:半导体集成电路MOS随机存储器

输出高电平电压输出低电平电压输入高电平电流输入低电平电流输出高阻态电流动态条件下的总电源电流静态工作电源电流

检测对象:半导体集成电路微处理器及外围接口电路

输出高电平电压输出低电平电压输入高电平电流输入低电平电流输出短路电流输出高阻态电流静态工作电源电流

GB/T 17940-2000

半导体器件 集成电路第3部分:模拟集成电路

8 项检测项目

检测项目:输入失调电压、输入失调电流、输入偏置电流、静态电源电流、共模抑制比、电源电压抑制比、输出高电平电压、输出低电平电压

检测对象:半导体集成电路运算(电压)放大器

输入失调电压输入失调电流输入偏置电流静态电源电流共模抑制比电源电压抑制比输出高电平电压输出低电平电压

GB/T4587-2023

半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体管 第6章第6.3节

8 项检测项目

检测项目:集电极-基极截止电流(直流法)、集电极-发射极截止电流(直流法)、集电极-发射极饱和电压、集电极-发射极电压、基极-发射极饱和电压(直流法)、集电极-基极电压、发射极-基极电压、基极-发射极电压(直流法)

检测对象:双极型晶体管

集电极-基极截止电流(直流法)集电极-发射极截止电流(直流法)集电极-发射极饱和电压集电极-发射极电压基极-发射极饱和电压(直流法)集电极-基极电压发射极-基极电压基极-发射极电压(直流法)

GB/T 4377-2018

半导体集成电路 电压调整器测试方法

6 项检测项目

检测项目:电压调整率、电流调整率、纹波抑制比、输出电压、最小输入输出电压差、基准电压

检测对象:半导体集成电路电压调整器

电压调整率电流调整率纹波抑制比输出电压最小输入输出电压差基准电压

GB/T4586-1994

半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第Ⅳ章

6 项检测项目

检测项目:栅-源阈值电压、栅极截止电流和栅极泄漏电流、漏极电流、直流正向跨导、漏-源通态电压、漏-源通态电阻

检测对象:场效应晶体管

栅-源阈值电压栅极截止电流和栅极泄漏电流漏极电流直流正向跨导漏-源通态电压漏-源通态电阻

微电子器件试验方法和程序 GJB548C-2021

微电子器件试验方法和程序 GJB548C-2021

5 项检测项目

检测项目:外部目检、温度循环、老炼试验、稳定性烘焙、静电放电敏感度试验

检测对象:微电子器件

外部目检温度循环老炼试验稳定性烘焙静电放电敏感度试验

半导体分立器件试验方法 GJB128B-2021

半导体分立器件试验方法 GJB128B-2021

4 项检测项目

检测项目:外观及机械检验、温度循环(空气-空气)、高温寿命、静电放电敏感度试验

检测对象:半导体分立器件

外观及机械检验温度循环(空气-空气)高温寿命静电放电敏感度试验

半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021

半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021

4 项检测项目

检测项目:老炼(二极管_整流管_稳压管)、老炼(晶体管)、老炼和寿命试验、老炼试验

检测对象:半导体分立器件

老炼(二极管_整流管_稳压管)老炼(晶体管)老炼和寿命试验老炼试验

GBT6571-1995

半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第Ⅳ章 第1节

4 项检测项目

检测项目:正向电压、反向电流、工作电压、微分电阻

检测对象:开关二极管

正向电压反向电流

检测对象:电压调整二极管

工作电压微分电阻反向电流

GB/T 6346.1-2024

电子设备用固定电容器 第1部分:总规范

3 项检测项目

检测项目:损耗角正切、漏电流、绝缘电阻

检测对象:电容器

损耗角正切漏电流绝缘电阻

GB/T4023-2015

半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管

3 项检测项目

检测项目:正向电压、反向漏电流、击穿电压

检测对象:整流二极管

正向电压反向漏电流击穿电压

电子及电气元件试验方法 GJB360B-2009

电子及电气元件试验方法 GJB360B-2009

2 项检测项目

检测项目:温度冲击试验、高温寿命试验

检测对象:电子及电气元件

温度冲击试验高温寿命试验

微电子器件试验方法和程序 GJB548C-2021 1014.3细检漏:试验条件A1粗检漏:试验条件C

微电子器件试验方法和程序 GJB548C-2021 1014.3细检漏:试验条件A1粗检漏:试验条件C

1 项检测项目

检测项目:密封

检测对象:微电子器件

密封

半导体分立器件试验方法 GJB128B-2021 1071细捡漏:I类器件试验条件H1粗捡漏: 试验条件C

半导体分立器件试验方法 GJB128B-2021 1071细捡漏:I类器件试验条件H1粗捡漏: 试验条件C

1 项检测项目

检测项目:密封

检测对象:半导体分立器件

密封

半导体分立器件失效分析方法和程序 GJB3157-1998

半导体分立器件失效分析方法和程序 GJB3157-1998

1 项检测项目

检测项目:静电放电敏感度试验

检测对象:半导体分立器件

静电放电敏感度试验

半导体分立器件试验方法 GJB128B-2021 方法

半导体分立器件试验方法 GJB128B-2021 方法

1 项检测项目

检测项目:耐湿

检测对象:电子元器件

耐湿

稳态温度-湿度偏置寿命测试 JESD22-A101D.01:

稳态温度-湿度偏置寿命测试 JESD22-A101D.01:

1 项检测项目

检测项目:稳态温度-湿度偏置寿命测试

检测对象:电子元器件

稳态温度-湿度偏置寿命测试

GB-T 4377-2018

半导体集成电路 电压调整器测试方法

1 项检测项目

检测项目:静态电流

检测对象:半导体集成电路电压调整器

静态电流

GB/T 17940

半导体器件 集成电路第3部分:模拟集成电路

1 项检测项目

检测项目:开环电压增益

检测对象:半导体集成电路运算(电压)放大器

开环电压增益

半导体器件分立器件试验方法 GJB128B-2021

半导体器件分立器件试验方法 GJB128B-2021

1 项检测项目

检测项目:漏-源击穿电压

检测对象:场效应晶体管

漏-源击穿电压

机构信息

机构名称

陕西半导体先导技术中心有限公司测试工程部

所在地区

陕西省 · 西安市

企业地址

陕西省西安市高新区锦业路125号西安半导体产业园A座二层

法定代表人

何晓宁

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