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中国电子科技集团公司第五十八研究所检测中心

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北京市 · 北京市

地址:北京市海淀区万寿路27号

联系电话:010-68200821

数据更新时间

2026-05-12

能力范围

当前展示该机构前 100 条能力;该机构共 297 条能力记录。

按标准归类为 17 个标准,每个标准下方直接显示可检测项目,点击可展开全部。

GB/T17574-1998

《半导体器件集成电路 第2部分:数字集成电路 第II篇》

25 项检测项目

检测项目:输入钳位电压 V<Sub>IK</Sub>、输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>、输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>、输入高电平电流I<Sub>IH</Sub>、输入低电平电流I<Sub>IL</Sub>、电源电流I<Sub>CC</Sub>、输出高电平时电源电流I<Sub>CCH</Sub>、输出低电平时电源电流 I<Sub>CCL</Sub> 等 25 项,点击展开全部

检测对象:TTL电路

输入钳位电压 V<Sub>IK</Sub>输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>输入高电平电流I<Sub>IH</Sub>输入低电平电流I<Sub>IL</Sub>电源电流I<Sub>CC</Sub>输出高电平时电源电流I<Sub>CCH</Sub>输出低电平时电源电流 I<Sub>CCL</Sub>输出由低电平到高电平传输延迟时间t<Sub>PLH</Sub>输出由高电平到低电平传输延迟时间t<Sub>PHL</Sub>输出由高阻态到高电平传输延迟时间t<Sub>PZH</Sub>输出由高阻态到低电平传输延迟时间t<Sub>PZL</Sub>输出由高电平到高阻态传输延迟时间t<Sub>PHZ</Sub>输出由低电平到高阻态传输延迟时间t<Sub>PLZ</Sub>

检测对象:CMOS电路CPLDFPGA

输入钳位电压 V<Sub>IK</Sub>输入高电平电压V<Sub>IH</Sub>输入低电平电压V<Sub>IL</Sub>输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>输入高电平电流I<Sub>IH</Sub>输入低电平电流I<Sub>IL</Sub>电源电流I<Sub>DD</Sub>输出由低电平到高电平传输延迟时间t<Sub>PLH</Sub>输出由高电平到低电平传输延迟时间t<Sub>PHL</Sub>

检测对象:MOS随机存储器SDRAM随机存储器FLASH

全“0”全“1”功能测试校验板功能测试输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>输入负载电流 I<Sub>LI</Sub>工作状态电源电流 I<Sub>CC</Sub>维持状态电源电流 I<Sub>CCS</Sub>

检测对象:微处理器

输入高电平电流I<Sub>IH</Sub>输入低电平电流I<Sub>IL</Sub>静态工作电流I<Sub>SB</Sub>动态工作电流I<Sub>A</Sub>功能测试t<Sub>est</Sub>输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>输入高电平电压V<Sub>IH</Sub>输入低电平电压V<Sub>IL</Sub>

QJ2491/1993

半导体集成电路运算放大器测试方法

7 项检测项目

检测项目:输入失调电压 V<Sub>IO</Sub>、输入失调电流I<Sub>IO</Sub>、输入偏置电流 I<Sub>IB</Sub>、开环电压增益A<Sub>VD</Sub>、共模抑制比 K<Sub>CMR</Sub>、输出电压转换速率SR、增益带宽乘积G.BW

检测对象:运算放大器

输入失调电压 V<Sub>IO</Sub>输入失调电流I<Sub>IO</Sub>输入偏置电流 I<Sub>IB</Sub>开环电压增益A<Sub>VD</Sub>共模抑制比 K<Sub>CMR</Sub>输出电压转换速率SR增益带宽乘积G.BW

QJ 3044-1998

半导体集成电路模/数转换器和数/模转换器测试方法

7 项检测项目

检测项目:电源电流 I<Sub>D</Sub>、信噪比 S/N、线性误差E<Sub>L</Sub>、微分线性误差E<Sub>DL</Sub>、失调误差E<Sub>O</Sub>、静态电源电流I<Sub>D</Sub>、增益误差E<Sub>G</Sub>

检测对象:A/D(模数转换)

电源电流 I<Sub>D</Sub>信噪比 S/N线性误差E<Sub>L</Sub>微分线性误差E<Sub>DL</Sub>失调误差E<Sub>O</Sub>

检测对象:D/A(数模转换)

静态电源电流I<Sub>D</Sub>失调误差E<Sub>O</Sub>增益误差E<Sub>G</Sub>线性误差E<Sub>L</Sub>微分线性误差E<Sub>DL</Sub>

GJB4027B-2021

军用电子元器件破坏性物理分析方法

6 项检测项目

检测项目:扫描电子显微镜(SEM)检查、芯片剪切强度、声学扫描显微镜检查、制样镜检、玻璃钝化层完整性检查、引出端强度

检测对象:电子元器件破坏性物理分析

扫描电子显微镜(SEM)检查芯片剪切强度声学扫描显微镜检查制样镜检玻璃钝化层完整性检查引出端强度

SJ/T 10805-2000

电压比较器测试方法的基本原理 SJ/T 10805-2018

5 项检测项目

检测项目:输入失调电压 V<Sub>IO</Sub>、输入失调电流I<Sub>IO</Sub>、输入偏置电流 I<Sub>IB</Sub>、输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>、输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>

检测对象:电压比较器

输入失调电压 V<Sub>IO</Sub>输入失调电流I<Sub>IO</Sub>输入偏置电流 I<Sub>IB</Sub>输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>

GB/T4586-1994

半导体器件 分立器件 第8部分:场效应管 第IV章

5 项检测项目

检测项目:漏源击穿电压BV<Sub>DSS</Sub>、阈值电压V<Sub>GS(TO)</Sub>、栅源漏电、漏源漏电、通态漏源电阻r<Sub>ds(on)</Sub>

检测对象:场效应管

漏源击穿电压BV<Sub>DSS</Sub>阈值电压V<Sub>GS(TO)</Sub>栅源漏电漏源漏电通态漏源电阻r<Sub>ds(on)</Sub>

SJ20646-1997

混合集成电路DC/DC变换器测试方法

4 项检测项目

检测项目:输出电压 V<Sub>O</Sub>、输出电流I<Sub>O</Sub>、电压调整率S<Sub>V</Sub>、电流调整率S<Sub>I</Sub>

检测对象:DC-DC

输出电压 V<Sub>O</Sub>输出电流I<Sub>O</Sub>电压调整率S<Sub>V</Sub>电流调整率S<Sub>I</Sub>

GB/T 4587-2023

半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管

4 项检测项目

检测项目:集电极-发射极击穿电压V<Sub>(BR) CEO</Sub>、集电极-基极截止电流I<Sub>CBO</Sub>、集电极-发射极饱和电压V<Sub>CEsat</Sub>、基极-发射极饱和电压V<Sub>BEsat</Sub>

检测对象:三极管

集电极-发射极击穿电压V<Sub>(BR) CEO</Sub>集电极-基极截止电流I<Sub>CBO</Sub>集电极-发射极饱和电压V<Sub>CEsat</Sub>基极-发射极饱和电压V<Sub>BEsat</Sub>

GJB548A-1996

微电子器件试验方法和程序 方法1004A

3 项检测项目

检测项目:耐湿(交变)、热冲击(液体介质)、盐雾(腐蚀)

检测对象:电子元器件

耐湿(交变)热冲击(液体介质)盐雾(腐蚀)

GB/T4377-1996

半导体集成电路电压调整器测试方法 GB/T4377-2018

3 项检测项目

检测项目:输出电压V<Sub>o</Sub>、电压调整率SV、电流调整率SI

检测对象:电压调整器

输出电压V<Sub>o</Sub>电压调整率SV电流调整率SI

GB/T14028-1992

半导体集成电路模拟开关测试方法 GB/T14028-2018

3 项检测项目

检测项目:模拟电压工作范围V<Sub>A</Sub>、导通电阻R<Sub>ON</Sub>、截止态漏极漏电流I<Sub>D(OFF)</Sub>

检测对象:模拟开关

模拟电压工作范围V<Sub>A</Sub>导通电阻R<Sub>ON</Sub>截止态漏极漏电流I<Sub>D(OFF)</Sub>

GB/T 4023-2015

半导体分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管

3 项检测项目

检测项目:正向压降V<Sub>F</Sub>、反向电流I<Sub>R</Sub>、反向击穿电压V<Sub>BR</Sub>

检测对象:二极管

正向压降V<Sub>F</Sub>反向电流I<Sub>R</Sub>反向击穿电压V<Sub>BR</Sub>

GJB360B-2009

电子及电气元件试验方法 方法

2 项检测项目

检测项目:温度冲击(气体介质)、热冲击(液体介质)

检测对象:电子元器件

温度冲击(气体介质)热冲击(液体介质)

GJB128B-2021

半导体分立器件试验方法 方法

2 项检测项目

检测项目:温度冲击(气体介质)、热冲击(液体介质)

检测对象:电子元器件

温度冲击(气体介质)热冲击(液体介质)

JESD22-A104F.01-2023

温度循环

1 项检测项目

检测项目:温度冲击(气体介质)

检测对象:电子元器件

温度冲击(气体介质)

GJB548B-2005

微电子器件试验方法和程序 方法

1 项检测项目

检测项目:热冲击(液体介质)

检测对象:电子元器件

热冲击(液体介质)

微电子器件试验方法和程序 GJB548C-2021 方法

微电子器件试验方法和程序 GJB548C-2021 方法

1 项检测项目

检测项目:热冲击(液体介质)

检测对象:电子元器件

热冲击(液体介质)

机构信息

机构名称

中国电子科技集团公司第五十八研究所检测中心

所在地区

北京市 · 北京市

企业地址

北京市海淀区万寿路27号

法定代表人

王海波

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