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2026-05-12
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GB/T 4587-2023
半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
检测项目：集电极-基极电压、集电极-发射极电压、发射极-基极电压、集电极—发射极截止电流、集电极—基极截止电流、发射极—基极截止电流、集电极-发射极饱和电压、基极-发射极饱和电压 等 9 项，点击展开全部
检测对象：双极型晶体管
GB/T 29332-2012
半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)
检测项目：集电极-发射极电压、集电极-发射极饱和电压、栅极-发射极阈值电压、集电极截止电流、栅极漏电流、输入电容、输出电容、反向传输电容
检测对象：绝缘栅双极晶体管
GJB 128B-2021
半导体分立器件试验方法 方法
检测项目：间歇工作寿命、外观及机械检查、静电放电敏感度分类、耐焊接热、老炼、温度循环
检测对象：电子元器件
IEC 60747-8:2010/AMD1:2021
半导体器件 分立器件 第8部分 场效应晶体管
检测项目：栅极截止电流、漏源击穿电压、漏极截止电流、栅-源阈值电压、静态漏-源通态电阻
检测对象：场效应晶体管
GB/T 4586-1994
半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 IV-
检测项目：栅极截止电流、漏极截止电流、栅-源阈值电压、静态漏-源通态电阻
检测对象：场效应晶体管
JESD22-A108G:2022
温度、偏压、工作寿命
检测项目：高温反偏、高温栅偏、高温工作寿命测试
检测对象：电子元器件
GB/T 4023-2015
半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管
检测项目：反向电流、正向电压、击穿电压
检测对象：二极管
MIL-STD-750-1B:2023
半导体器件的环境试验方法 第1部分：方法1000至1999 方法
检测项目：间歇工作寿命、高温反偏、稳态工作
检测对象：半导体分立器件
GB/T 6571-1995
半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 IV-1-1,IV-2-
检测项目：反向电流、正向电压
检测对象：二极管
IEC 60749-25:2003
半导体器件 机械和气候试验方法 第25部分：温度循环
检测项目：温度冲击试验（TST）、温度循环
检测对象：功率模块
检测对象：电子元器件
GB/T 4937.23-2023
半导体器件 机械和气候试验方法 第23部分：高温工作寿命
检测项目：高温反偏（HTRB）、高温栅偏（HTGB）
检测对象：功率模块
IEC 60749-23:2004+A1:2011
半导体器件 机械和气候试验方法 第23部分：高温工作寿命
检测项目：高温反偏（HTRB）、高温栅偏（HTGB）
检测对象：功率模块
MIL-STD-750-2B:2025
半导体器件的机械试验方法 第2部分：方法2001 至2999 方法
检测项目：键合线拉力强度、芯片剪切强度
检测对象：半导体分立器件
GB/T 2423.1-2008
电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验A：低温
检测项目：低温试验
检测对象：电子元器件
IEC 60749-34-1:2010
半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 34 部分：功率循环
检测项目：功率循环
检测对象：电子元器件
IEC 60749-34-1:2025
半导体器件 - 机械和气候测试方法 - 第 34 部分：功率循环
检测项目：功率循环
检测对象：电子元器件
JESD22-A102E:2015（R2021）
加速耐湿性无偏压高压蒸煮 3
检测项目：高压蒸煮
检测对象：电子元器件
JESD22-A110E.01:2021
高加速温湿度应力试验 3.1
检测项目：高加速温湿度应力
检测对象：电子元器件
JESD22-A118B.01:2021
加速耐湿性无偏压高加速应力
检测项目：无偏压高加速应力
检测对象：电子元器件
JESD22-A101D.01:2021
恒定温湿度偏压寿命试验 3.1
检测项目：恒定温湿度偏压寿命试验
检测对象：电子元器件
GJB 360B-2009
电子及电气元件试验方法 方法
检测项目：恒定温湿度偏压寿命试验
检测对象：电子元器件
JESD22-B101D:2022
外观检查
检测项目：外观及机械检查
检测对象：电子元器件
AEC-Q101-001 Rev-A(2005)
人体模型(HBM)静电放电(ESD)测试 AEC-Q101-001 Rev-A（2005）
检测项目：静电放电敏感度分类
检测对象：电子元器件
JESD22-B106E:2016(R2023)
通孔安装器件的耐焊接热冲击能力 4.2.1
检测项目：耐焊接热
检测对象：电子元器件
JESD22-A104F.01:2023
温度循环
检测项目：温度循环
检测对象：电子元器件
IEC 60747-15:2024 RLV
半导体器件 分立器件 第15部分：隔离功率半导体器件
检测项目：测定热阻（Rth值）
检测对象：功率模块
IEC 60749-6:2017
半导体器件 机械和气候试验方法 第 6 部分：高温储存
检测项目：高温储存(HTS)
检测对象：功率模块
JESD22-A119A:2015 (Reaffirmed May 2021)
低温存储寿命
检测项目：低温储存（LTS)
检测对象：功率模块
IEC 60749-5:2023 RLV
半导体器件 机械和气候试验方法 第 5 部分：稳态温度湿度偏置寿命试验
检测项目：高温高湿反向偏置（H3TRB）
检测对象：功率模块
GB/T 2423.22-2012
环境试验 第2部分：试验方法 试验N：温度变化 7
检测项目：温度循环
检测对象：电子元器件
AEC-Q101-003-REV-A:2005
键合球剪切强度
检测项目：键合线剪切强度
检测对象：半导体分立器件
JESD22-B116B:2017
键合线剪切试验方法
检测项目：键合线剪切强度
检测对象：半导体分立器件
GB/T 2423.2-2008
电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验B：高温
检测项目：高温试验
检测对象：电子元器件