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2026-05-12
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GB/T17574-1998
半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路 第3节
检测项目：输入钳位电压V<Sub>IK</Sub>、输出高电平电压V<Sub>OH</Sub>、输出低电平电压V<Sub>OL</Sub>、输入高电平电流I<Sub>IH</Sub>、输入低电平电流I<Sub>IL</Sub>、输出短路电流I<Sub>OS</Sub>、输出高阻态电流I<Sub>OZ</Sub>、静态条件下的电源电流 等 13 项，点击展开全部
检测对象：TTL集成电路
检测对象：半导体集成电路存储器
检测对象：半导体集成电路微处理器及外围接口电路
GB/T 6798-1996
半导体集成电路电压比较器测试方法的基本原理 方法
检测项目：输入失调电压V<Sub>IO</Sub>、输入失调电流I<Sub>IO</Sub>、输入偏置电流I<Sub>IB</Sub>、静态功耗P<Sub>D</Sub>、开环电压增益A<Sub>VD</Sub>、共模抑制比K<Sub>CMR</Sub>、电源电压抑制比K<Sub>SVR</Sub>、输出高电平电压V<Sub>OH</Sub> 等 13 项，点击展开全部
检测对象：半导体集成电路电压比较器
半导体集成电路运算放大器测试方法 GJB 9147-2017 方法
半导体集成电路运算放大器测试方法 GJB 9147-2017 方法
检测项目：输入失调电压V<Sub>IO</Sub>、输入失调电流I<Sub>IO</Sub>、输入偏置电流I<Sub>IB</Sub>、静态功耗P<Sub>D</Sub>、开环电压增益A<Sub>VO</Sub>、共模抑制比K<Sub>CMR</Sub>、电源电压抑制比K<Sub>SVR</Sub>、输出峰峰电压V<Sub>OPP</Sub> 等 9 项，点击展开全部
检测对象：半导体集成电路运算电压放大器
半导体光电耦合器测试方法 SJ/T2215-2015 方法
半导体光电耦合器测试方法 SJ/T2215-2015 方法
检测项目：正向电压（输入二极管）V<Sub>F</Sub>、反向电流（二极管）I<Sub>R</Sub>、反向击穿电压（二极管）V<Sub>BR</Sub>、集电极-发射极击穿电压V<Sub>(BR)CEO</Sub>、集电极-发射极饱和电压V<Sub>CE(sat)</Sub>、电流传输比CTR、集电极-发射极截止电流（直流法）I<Sub>CEO</Sub>
检测对象：半导体光电耦合器
GB/T 4587-2023
半导体器件 分立器件 第7部分：双极型晶体管
检测项目：集电极-基极截止电流（直流法）I<Sub>CBO</Sub>、发射极-基极截止电流（直流法）I<Sub>EBO</Sub>、集电极-发射极截止电流（直流法）I<Sub>CEO</Sub>、集电极-发射极饱和电压V<Sub>CEsat</Sub>、基极-发射极饱和电压V<Sub>BEsat</Sub>、共发射极正向电流传输比（输出电压保持不变） （直流或脉冲法）h<Sub>21E</Sub>
检测对象：双极型晶体管
微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法
微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法
检测项目：恒定加速度、X射线检查、芯片粘接的超声检测、外部目检
检测对象：微电子器件
微电子器件试验方法和程序 GJB548C-2021 方法
微电子器件试验方法和程序 GJB548C-2021 方法
检测项目：恒定加速度、X射线检查、芯片粘接的超声检测、外部目检
检测对象：微电子器件
电子及电气元件试验方法 GJB360B-2009 方法
电子及电气元件试验方法 GJB360B-2009 方法
检测项目：温度冲击试验、密封、粒子碰撞噪声检测试验、高温寿命试验
检测对象：电子及电气元件
半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法
半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法
检测项目：粒子碰撞噪声检测试验、老炼（二极管、整流管、稳压管）、老炼（晶体管）、老炼和寿命试验【功率场效应晶体管或绝缘栅双极晶体管（IGBT）】
检测对象：半导体分立器件
电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法
电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法
检测项目：直流电阻、电容量、品质因数(Q)、绝缘电阻
检测对象：固定电阻器
检测对象：电容器
半导体分立器件试验方法 GJB128B-2021 方法
半导体分立器件试验方法 GJB128B-2021 方法
检测项目：老炼（二极管、整流管、稳压管）、老炼（晶体管）、老炼和寿命试验【功率场效应晶体管或绝缘栅双极晶体管（IGBT）】
检测对象：半导体分立器件
电子设备用固定电感器第1部分：总规范 SJ/T 2885-2003 方法
电子设备用固定电感器第1部分：总规范 SJ/T 2885-2003 方法
检测项目：电感量、品质因数(Q)、直流电阻（DCR）
检测对象：固定电感器
GB/T 4586-1994
半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 第Ⅳ章
检测项目：栅极截止电流或栅极泄漏电流、漏极截止电流、栅-源阈值电压V <Sub>GS（TO）</Sub>
检测对象：场效应晶体管
军用电子元器件破坏性物理分析 GJB 4027A-2006 工作项目1103
军用电子元器件破坏性物理分析 GJB 4027A-2006 工作项目1103
检测项目：X射线检查、塑封半导体集成电路扫描声学显微镜检查
检测对象：微电子器件
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法
检测项目：温度循环（空气-空气）、粒子碰撞噪声检测试验
检测对象：半导体分立器件
GB/T 6571-1995
半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 第Ⅳ章第1节
检测项目：正向电压V<Sub>F</Sub>、反向电流I<Sub>R</Sub>
检测对象：信号（包括开关）和调整二极管
GB/T 4587-1994
半导体分立器件和集成电路 第7部分：双极型晶体管 第Ⅳ章第1节
检测项目：发射极电流为零时的集电极-基极击穿电压V <Sub>（BR）CBO</Sub>、集电极电流为零时的发射极-基极击穿电压V <Sub>(BR)EBO</Sub>
检测对象：双极型晶体管
军用电子元器件破坏性物理分析 GJB4027A-2006 工作项目1101
军用电子元器件破坏性物理分析 GJB4027A-2006 工作项目1101
检测项目：X射线检查
检测对象：微电子器件
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027B-2021 工作项目1101
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027B-2021 工作项目1101
检测项目：X射线检查
检测对象：微电子器件
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027B-2021 工作项目1103
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027B-2021 工作项目1103
检测项目：X射线检查
检测对象：微电子器件
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027B-2021 工作项目1103
军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027B-2021 工作项目1103
检测项目：塑封半导体集成电路扫描声学显微镜检查
检测对象：微电子器件
GB/T 2423.2-2008
电工电子产品环境试验第2部分：试验方法 试验B：高温
检测项目：高温试验
检测对象：微电子器件
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法
检测项目：温度循环（空气-空气）
检测对象：半导体分立器件
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法1071条件H1及C
半导体分立器件试验方法 GJB 128A-1997 方法1071条件H1及C
检测项目：密封
检测对象：半导体分立器件
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法1071条件H1及C
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法1071条件H1及C
检测项目：密封
检测对象：半导体分立器件