中国人民解放军海军七〇一工厂检测中心

电子产品环境应力筛选方法 GJB 1032A-

电子产品环境应力筛选方法 GJB 1032A-

微电子器件试验方法和程序 GJB548C-2021 方法

微电子器件试验方法和程序 GJB548C-2021 方法

半导体分立器件试验方法 GJB128B-2021 方法

半导体分立器件试验方法 GJB128B-2021 方法

电子及电气元件试验方法 GJB360B-2009 方法

电子及电气元件试验方法 GJB360B-2009 方法

电连接器试验方法 GJB1217A-2009 方法

电连接器试验方法 GJB1217A-2009 方法

半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法

半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法

军用通信设备通用规范 GJB 367A-2001 3.10.2.1方法A

军用通信设备通用规范 GJB 367A-2001 3.10.2.1方法A

微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法

微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027B-2021 工作项目1004、

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027B-2021 工作项目1004、

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027B-2021 工作项目0103、0202、0901、0902、1003、1004、1101、1102、1103、

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027B-2021 工作项目0103、0202、0901、0902、1003、1004、1101、1102、1103、

军用装备实验室环境试验方法 第4部分：低温试验 GJB150.4A-

军用装备实验室环境试验方法 第4部分：低温试验 GJB150.4A-

军用装备实验室环境试验方法 第3部分：高温试验 GJB150.3A-

军用装备实验室环境试验方法 第3部分：高温试验 GJB150.3A-

军用通信设备通用规范 GJB 367A-2001 3.10.2.5 方法A

军用通信设备通用规范 GJB 367A-2001 3.10.2.5 方法A

军用装备实验室环境试验方法 第9部分：湿热试验 GJB150.9A-

军用装备实验室环境试验方法 第9部分：湿热试验 GJB150.9A-

军用通信设备通用规范 GJB 367A-2001

军用通信设备通用规范 GJB 367A-2001

军用装备实验室环境试验方法 第16部分：振动试验 GJB150.16A-

军用装备实验室环境试验方法 第16部分：振动试验 GJB150.16A-

半导体分立器件试验方法 GJB128B-2021 方法2046、2051、

半导体分立器件试验方法 GJB128B-2021 方法2046、2051、

微电子器件试验方法和程序 GJB548C-2021 方法2005.1、2007、

微电子器件试验方法和程序 GJB548C-2021 方法2005.1、2007、

电子及电气元件试验方法 GJB360B-2009 方法201,204,

电子及电气元件试验方法 GJB360B-2009 方法201,204,

半导体集成电路机械和气候试验方法 SJ/T10745-1996

半导体集成电路机械和气候试验方法 SJ/T10745-1996

军用装备实验室环境试验方法 第5部分：温度冲击试验 GJB150.5A-

军用装备实验室环境试验方法 第5部分：温度冲击试验 GJB150.5A-

电子及电气元件试验方法 GJB360B-2009 方法107-

电子及电气元件试验方法 GJB360B-2009 方法107-

微电子器件试验方法和程序 GJB548C 方法

微电子器件试验方法和程序 GJB548C 方法

半导体分立器件试验方法 GJB128B-2021 方法1041、

半导体分立器件试验方法 GJB128B-2021 方法1041、

军用装备实验室环境试验方法 第11部分：盐雾试验 GJB150.11A-

军用装备实验室环境试验方法 第11部分：盐雾试验 GJB150.11A-

半导体分立器件试验方法 GJB128B-2021 方法2073~

半导体分立器件试验方法 GJB128B-2021 方法2073~

微电子器件试验方法和程序 GJB548C-2021 方法2010.2、2013、2014、2017.2、

微电子器件试验方法和程序 GJB548C-2021 方法2010.2、2013、2014、2017.2、

GB/T4937.3-2012

半导体器件 机械和气候试验方法 第3部分：外部目检

半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法1026、

半导体分立器件试验方法 GJB128A-1997 方法1026、

半导体分立器件试验方法 GJB128B-2021 方法1027、

半导体分立器件试验方法 GJB128B-2021 方法1027、

微电子器件试验方法和程序 GJB548C-2021 方法1005.1、1006、

微电子器件试验方法和程序 GJB548C-2021 方法1005.1、1006、

金属镀覆层厚度测量方法 SJ20129-

金属镀覆层厚度测量方法 SJ20129-

GB/T4937.4-2012

半导体器件机械和气候试验方法 第4部分：强加速稳态湿热试验(HAST)

半导体集成电路机械和气候试验方法 SJ/T10745-

半导体集成电路机械和气候试验方法 SJ/T10745-

GB/T4857.5-1992

运输包装件跌落试验方法

半导体分立器件试验方法GJB128B-2021方法

半导体分立器件试验方法GJB128B-2021方法

微电子器件试验方法和程序GJB548C-2021方法1001 试验条件A到D

微电子器件试验方法和程序GJB548C-2021方法1001 试验条件A到D

电子及电气元件试验方法GJB360B-2009方法

电子及电气元件试验方法GJB360B-2009方法

军用设备实验室环境试验方法 第2部分：低气压(高度)试验GJB150.2A-

军用设备实验室环境试验方法 第2部分：低气压(高度)试验GJB150.2A-

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027B-2021 工作项目0103、0202、0701、0801、0802、0803、0901、0902、1001、1003、1004、1101、1102、1103、

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027B-2021 工作项目0103、0202、0701、0801、0802、0803、0901、0902、1001、1003、1004、1101、1102、1103、

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027B-2021 工作项目0701、0801、0901、0902、1001、1003、1101、1102、

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027B-2021 工作项目0701、0801、0901、0902、1001、1003、1101、1102、

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027B-2021 工作项目0202、0802、

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027B-2021 工作项目0202、0802、

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027B-2021 工作项目0801、0802、0901、0902、1001、1003、1004、1101、1102、1103、

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027B-2021 工作项目0801、0802、0901、0902、1001、1003、1004、1101、1102、1103、

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027B-2021 工作项目0701、0901、0902、1003、1101、1102、

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027B-2021 工作项目0701、0901、0902、1003、1101、1102、

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027B-2021 工作项目0701、0901、0902、1002、1003、1101、1102、

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027B-2021 工作项目0701、0901、0902、1002、1003、1101、1102、

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027B-2021 工作项目0901、0902、1003、1004、1101、1102、1103、

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027B-2021 工作项目0901、0902、1003、1004、1101、1102、1103、

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027B-2021 工作项目0902、10031004、1101、1102、1103、

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027B-2021 工作项目0902、10031004、1101、1102、1103、

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027B-2021 工作项目0902、1003、1101、1102、

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB4027B-2021 工作项目0902、1003、1101、1102、