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北京芯准检测技术研究院有限公司

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地址:北京市大兴区物顺南路7号院2号楼1层

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数据更新时间

2026-05-12

能力范围

当前展示该机构前 100 条能力;该机构共 118 条能力记录。

按标准归类为 34 个标准,每个标准下方直接显示可检测项目,点击可展开全部。

电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法

电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法

10 项检测项目

检测项目:电容量、X射线检查、品质因数、绝缘电阻、介质耐电压试验、直流电阻、高温、电阻值 等 10 项,点击展开全部

检测对象:电容器

电容量品质因数绝缘电阻介质耐电压试验

检测对象:电子元器件

X射线检查高温老炼稳态湿热

检测对象:电感器

直流电阻

检测对象:电阻器

电阻值

半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法

半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法

9 项检测项目

检测项目:内部目检、X射线检查、正向电压、反向电流、击穿电压、外部目检(包含外观及机械检查)、高温、温度循环 等 9 项,点击展开全部

检测对象:电子元器件

内部目检X射线检查外部目检(包含外观及机械检查)高温温度循环老炼

检测对象:二极管

正向电压反向电流击穿电压

GB/T 4587-1994

半导体分立 器件和集成 电路第7部分 :双极型晶体管 第Ⅳ章 第1节

8 项检测项目

检测项目:发射极电流为零时的集电极 基极击穿电压V<SUB>((BR)CBO)</SUB>、集电极电流为零时的发射极 基极击穿电压V<Sub>((BR)EBO)</Sub>、集电极-发射极击穿电压V<Sub>((BR)CE)</Sub>、集电极-基极截止电流(反向电流)(I<Sub>CBO</Sub>)、发射极-基极截止电流(反向电流)(I<Sub>EBO</Sub>)、集电极-发射极截止电流(直流法)(I<SUB>CEO</SUB>,I<SUB>CER</SUB>,I<SUB>CEX</SUB>,I<SUB>CES</SUB>)、集电极-发射极饱和电压(V<Sub>CEsat</Sub>)、基极-发射极饱和电压(V<Sub>BEsat</Sub>)

检测对象:双极型晶体管

发射极电流为零时的集电极 基极击穿电压V<SUB>((BR)CBO)</SUB>集电极电流为零时的发射极 基极击穿电压V<Sub>((BR)EBO)</Sub>集电极-发射极击穿电压V<Sub>((BR)CE)</Sub>集电极-基极截止电流(反向电流)(I<Sub>CBO</Sub>)发射极-基极截止电流(反向电流)(I<Sub>EBO</Sub>)集电极-发射极截止电流(直流法)(I<SUB>CEO</SUB>,I<SUB>CER</SUB>,I<SUB>CEX</SUB>,I<SUB>CES</SUB>)集电极-发射极饱和电压(V<Sub>CEsat</Sub>)基极-发射极饱和电压(V<Sub>BEsat</Sub>)

半导体光电耦合器测试 SJ/T 2215-2015 方法

半导体光电耦合器测试 SJ/T 2215-2015 方法

8 项检测项目

检测项目:正向降压、正向电流、反向击穿电压、反向电流、集电极-发射极击穿电压、集电极-发射极饱和压降、反截止电流、电流传输比

检测对象:光电耦合器测试

正向降压正向电流反向击穿电压反向电流集电极-发射极击穿电压集电极-发射极饱和压降反截止电流电流传输比

微电子器件试验方法和程序 GJB 548C-2021 方法

微电子器件试验方法和程序 GJB 548C-2021 方法

6 项检测项目

检测项目:内部目检、玻璃钝化层完整性检查、X射线检查、超声检测、外部目检(包含外观及机械检查)、温度循环

检测对象:电子元器件

内部目检玻璃钝化层完整性检查X射线检查超声检测外部目检(包含外观及机械检查)温度循环

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027B-

军用电子元器件破坏性物理分析方法 GJB 4027B-

5 项检测项目

检测项目:玻璃钝化层完整性检查、X射线检查、超声检测、制样镜检、外部目检(包含外观及机械检查)

检测对象:电子元器件

玻璃钝化层完整性检查X射线检查超声检测制样镜检外部目检(包含外观及机械检查)

电磁继电器通用规范 GJB 1042A-2002

电磁继电器通用规范 GJB 1042A-2002

3 项检测项目

检测项目:规定的动作或自保持/复归、保持和释放电压、动作和释放时间、触点回跳

检测对象:电磁继电器

规定的动作或自保持/复归、保持和释放电压动作和释放时间触点回跳

半导体集成电路失效分析程序和方法 GJB 3233-1998

半导体集成电路失效分析程序和方法 GJB 3233-1998

3 项检测项目

检测项目:内部目检、X射线检查、外部目检(包含外观及机械检查)

检测对象:电子元器件

内部目检X射线检查外部目检(包含外观及机械检查)

有和无可靠性指标的模制射频固定电感器通用规范 GJB 675A-2002

有和无可靠性指标的模制射频固定电感器通用规范 GJB 675A-2002

3 项检测项目

检测项目:电感量、Q值、直流电阻

检测对象:电感器

电感量Q值直流电阻

GB/T 4377-2018

半导体集成电路电压调整器测试方法

3 项检测项目

检测项目:电流调整 率(S<Sub>I</Sub>)、电压调整率(S<Sub>v</Sub>)、电源纹波抑制比(Srip)

检测对象:电压调整器

电流调整 率(S<Sub>I</Sub>)电压调整率(S<Sub>v</Sub>)电源纹波抑制比(Srip)

塑封通用电磁继电器总规范 GJB 2449-1995

塑封通用电磁继电器总规范 GJB 2449-1995

3 项检测项目

检测项目:动作、保持和释放电压(或电流)、动作和释放时间(及回跳)、静态接触电阻(或电压降)

检测对象:电磁继电器

动作、保持和释放电压(或电流)动作和释放时间(及回跳)静态接触电阻(或电压降)

GB/T 4586-1994

半导体器件分立器件 第 8部分:场效应晶体管 第 Ⅳ章

3 项检测项目

检测项目:漏极截止电流(A、B和C型)、栅-源阈值电压(C型)(V<Sub>GS(TO)</Sub>)、通态漏-源电阻(在小信号条件下)(r<Sub>ds(on)</Sub>)

检测对象:场效应晶体管

漏极截止电流(A、B和C型)栅-源阈值电压(C型)(V<Sub>GS(TO)</Sub>)通态漏-源电阻(在小信号条件下)(r<Sub>ds(on)</Sub>)

固体电解质钽固定电容器通用规范 GJB 63C-2015

固体电解质钽固定电容器通用规范 GJB 63C-2015

2 项检测项目

检测项目:直流漏电流、电容量

检测对象:固体电解质钽电容器

直流漏电流电容量

GB/T 4023-2015

半导体分立器件第2部分:整流二极管

2 项检测项目

检测项目:正向电压、反向电流

检测对象:二极管

正向电压反向电流

JB/T 7624-2013

整流二极管测试方法

2 项检测项目

检测项目:正向电压、反向电流

检测对象:二极管

正向电压反向电流

GB/T 6571-1995

半导体器件分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第Ⅳ章 第1节

2 项检测项目

检测项目:正向电压、反向电流

检测对象:二极管

正向电压反向电流

非密封封装电子元器件的声学显微检测 J-STD-035A-

非密封封装电子元器件的声学显微检测 J-STD-035A-

1 项检测项目

检测项目:超声检测

检测对象:电子元器件

超声检测

多层瓷介电容器及其类似元器件剖面制备及检验方法 GJB 4152A-

多层瓷介电容器及其类似元器件剖面制备及检验方法 GJB 4152A-

1 项检测项目

检测项目:制样镜检

检测对象:电子元器件

制样镜检

外部目检 JESD22-B101D-

外部目检 JESD22-B101D-

1 项检测项目

检测项目:外部目检(包含外观及机械检查)

检测对象:电子元器件

外部目检(包含外观及机械检查)

GB/T 2423.1-2008

电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验A:低温

1 项检测项目

检测项目:低温

检测对象:电子元器件

低温

低温储存寿命 JESD22-A119A-

低温储存寿命 JESD22-A119A-

1 项检测项目

检测项目:低温

检测对象:电子元器件

低温

GB/T 2423.2-2008

电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验B:高温

1 项检测项目

检测项目:高温

检测对象:电子元器件

高温

微电子器件试验方法和程序 GJB 548C-

微电子器件试验方法和程序 GJB 548C-

1 项检测项目

检测项目:高温

检测对象:电子元器件

高温

高温储存试验 JESD22-A103E.01-

高温储存试验 JESD22-A103E.01-

1 项检测项目

检测项目:高温

检测对象:电子元器件

高温

IEC 60068-2-14 2023

环境试验 第2-14部分试验 试验N温度变化

1 项检测项目

检测项目:温度循环

检测对象:电子元器件

温度循环

GB/T 2423.22-2012

环境试验 第2部分:试验方法N:温度变化

1 项检测项目

检测项目:温度循环

检测对象:电子元器件

温度循环

温度循环试验 JESD22-A104F.01-

温度循环试验 JESD22-A104F.01-

1 项检测项目

检测项目:温度循环

检测对象:电子元器件

温度循环

功率和温度循环试验 JESD22-A105D-

功率和温度循环试验 JESD22-A105D-

1 项检测项目

检测项目:温度循环

检测对象:电子元器件

温度循环

电子及电气元件试验 GJB 360B-2009 方法

电子及电气元件试验 GJB 360B-2009 方法

1 项检测项目

检测项目:温度冲击

检测对象:电子元器件

温度冲击

温度偏置工作寿命 JESD22-A108G-

温度偏置工作寿命 JESD22-A108G-

1 项检测项目

检测项目:老炼

检测对象:电子元器件

老炼

GB/T 2423.3-2016

环境试验 第2部分:试验方法 试验Cab:恒定湿热试验

1 项检测项目

检测项目:稳态湿热

检测对象:电子元器件

稳态湿热

稳态温湿度偏压寿命试验 JESD22-A101D.01-

稳态温湿度偏压寿命试验 JESD22-A101D.01-

1 项检测项目

检测项目:稳态湿热

检测对象:电子元器件

稳态湿热

GB/T 2423.4-2008

电工电子产品环境试验第2部分:试验方法 试验Db:交变湿热(12h 12h循环)

1 项检测项目

检测项目:交变湿热试验

检测对象:电子元器件

交变湿热试验

加速抗湿-无偏压HAST JESD22-A118B.01-

加速抗湿-无偏压HAST JESD22-A118B.01-

1 项检测项目

检测项目:高加速温湿度

检测对象:电子元器件

高加速温湿度

机构信息

机构名称

北京芯准检测技术研究院有限公司

所在地区

北京市 · 北京市

企业地址

北京市大兴区物顺南路7号院2号楼1层

法定代表人

李耿

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