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西安华芯微半导体有限公司检测中心

当前查看:西安华芯微半导体有限公司检测中心

陕西省 · 西安市

地址:陕西省西安市高新区定昆池三路621号芯片之家科技园1幢108室

联系电话:029-88863535

数据更新时间

2026-05-12

能力范围

当前展示该机构前 92 条能力;该机构共 92 条能力记录。

按标准归类为 22 个标准,每个标准下方直接显示可检测项目,点击可展开全部。

微电子器件试验方法和程序 GJB 548C-2021

微电子器件试验方法和程序 GJB 548C-2021

10 项检测项目

检测项目:高温贮存、恒定加速度、引线牢固性、外部目检、温度循环、绝缘电阻、粒子碰撞噪声检测、密封 等 10 项,点击展开全部

检测对象:半导体器件、集成电路

高温贮存恒定加速度引线牢固性外部目检温度循环绝缘电阻粒子碰撞噪声检测密封键合强度剪切强度

半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021

半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021

10 项检测项目

检测项目:剪切强度、恒定加速度、引线牢固性、外部目检、高温贮存、温度循环、耐湿(交变湿热)、粒子碰撞噪声检测 等 10 项,点击展开全部

检测对象:半导体器件、集成电路

剪切强度恒定加速度引线牢固性外部目检高温贮存温度循环耐湿(交变湿热)粒子碰撞噪声检测密封键合强度

GB/T4587-2023

半导体器件 分立器件 第7部分:双极型晶体

8 项检测项目

检测项目:集电极-基极截止电流、发射极-基极截止电流、集电极-发射极截止电流、集电极-发射极饱和电压、基极-发射极饱和电压、集电极-基极电压、发射极-基极电压、共发射极正向电流传输比

检测对象:晶体三极管(双极型晶体管)

集电极-基极截止电流发射极-基极截止电流集电极-发射极截止电流集电极-发射极饱和电压基极-发射极饱和电压集电极-基极电压发射极-基极电压共发射极正向电流传输比

GB/T 17574-1998

半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第IV篇 第2节

8 项检测项目

检测项目:输出高电平电压、输出低电平电压、输入高电平电流、输入低电平电流、输出短路电流、静态条件下的电源电流、输入箝位电压、数字集成电路的功能检验方法

检测对象:数字集成电路

输出高电平电压输出低电平电压输入高电平电流输入低电平电流输出短路电流静态条件下的电源电流输入箝位电压数字集成电路的功能检验方法

半导体集成电路运算放大器测试方法 GJB 9147-2017

半导体集成电路运算放大器测试方法 GJB 9147-2017

8 项检测项目

检测项目:静态电流、输入失调电压、输入失调电流、输入偏置电流、开环电压增益、共模抑制比、电源电压抑制比、输出电压

检测对象:模拟集成电路

静态电流输入失调电压输入失调电流输入偏置电流开环电压增益共模抑制比电源电压抑制比输出电压

半导体光电耦合器测试方法 SJ/T 2215-2015

半导体光电耦合器测试方法 SJ/T 2215-2015

6 项检测项目

检测项目:电流传输比、正向电压(输入二极管)、反向电流(二极管)、集电极-发射极击穿电压、集电极-发射极饱和电压、输出截止电流

检测对象:光电耦合器

电流传输比正向电压(输入二极管)反向电流(二极管)集电极-发射极击穿电压集电极-发射极饱和电压输出截止电流

GB/T 4377-2018

半导体集成电路 电压调整器测试方法

6 项检测项目

检测项目:基准电压、电压调整率、电流调整率、纹波抑制比、最小输入输出电压差、输出电压

检测对象:模拟集成电路

基准电压电压调整率电流调整率纹波抑制比最小输入输出电压差输出电压

微电子器件试验方法和程序 GJB548C-2021 方法

微电子器件试验方法和程序 GJB548C-2021 方法

4 项检测项目

检测项目:机械冲击、静电放电敏感度分类、物理尺寸、玻璃熔封盖板的扭矩

检测对象:半导体器件、集成电路

机械冲击静电放电敏感度分类物理尺寸玻璃熔封盖板的扭矩

GB/T4586-1994

半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第IV章

4 项检测项目

检测项目:栅源阈值电压、栅极泄漏电流、漏极电流、漏源通态电阻

检测对象:场效应晶体管

栅源阈值电压栅极泄漏电流漏极电流漏源通态电阻

GB/T 17940-2000

半导体器件 集成电路第3部分:模拟集成电路 第IV篇 第3节

4 项检测项目

检测项目:静态电流、静态导通态电阻、截止态电流、导通态电流

检测对象:模拟集成电路

静态电流静态导通态电阻截止态电流导通态电流

电子及电气元件试验方法 GJB360B-2009 方法

电子及电气元件试验方法 GJB360B-2009 方法

3 项检测项目

检测项目:绝缘电阻、恒定湿热、机械冲击

检测对象:半导体器件、集成电路

绝缘电阻恒定湿热机械冲击

微电子器件试验方法和程序 GJB548C-2021

微电子器件试验方法和程序 GJB548C-2021

3 项检测项目

检测项目:耐湿(交变湿热)、热冲击、盐雾

检测对象:半导体器件、集成电路

耐湿(交变湿热)热冲击盐雾

半导体分立器件试验方法 GJB128B-2021

半导体分立器件试验方法 GJB128B-2021

3 项检测项目

检测项目:热冲击、盐雾、振动

检测对象:半导体器件、集成电路

热冲击盐雾振动

半导体分立器件试验方法 GJB128B-2021 方法

半导体分立器件试验方法 GJB128B-2021 方法

3 项检测项目

检测项目:机械冲击、静电放电敏感度分类、物理尺寸

检测对象:半导体器件、集成电路

机械冲击静电放电敏感度分类物理尺寸

GB/T 4023-2015

半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分:整流二极管

3 项检测项目

检测项目:正向电压、反向电流、反向击穿电压

检测对象:二极管

正向电压反向电流反向击穿电压

GB/T6571-1995

半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第IV章第2节

3 项检测项目

检测项目:正向电压、反向电流、工作电压

检测对象:二极管

正向电压反向电流工作电压

半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 1027、1038、1039、

半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 1027、1038、1039、

1 项检测项目

检测项目:老炼和寿命

检测对象:半导体器件、集成电路

老炼和寿命

微电子器件试验方法和程序 GJB 548C-2021 1005.1、

微电子器件试验方法和程序 GJB 548C-2021 1005.1、

1 项检测项目

检测项目:老炼和寿命

检测对象:半导体器件、集成电路

老炼和寿命

微电子器件试验方法和程序 GJB 548C-2021 2010.2、2014、

微电子器件试验方法和程序 GJB 548C-2021 2010.2、2014、

1 项检测项目

检测项目:内部目检

检测对象:半导体器件、集成电路

内部目检

半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 2069、2072、2073、

半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 2069、2072、2073、

1 项检测项目

检测项目:内部目检

检测对象:半导体器件、集成电路

内部目检

微电子器件试验方法和程序 GJB548C-2021 2007、

微电子器件试验方法和程序 GJB548C-2021 2007、

1 项检测项目

检测项目:振动

检测对象:半导体器件、集成电路

振动

半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法

半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法

1 项检测项目

检测项目:漏源击穿电压

检测对象:场效应晶体管

漏源击穿电压

机构信息

机构名称

西安华芯微半导体有限公司检测中心

所在地区

陕西省 · 西安市

企业地址

陕西省西安市高新区定昆池三路621号芯片之家科技园1幢108室

法定代表人

范志文

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