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2026-05-12
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半导体集成电路电压调整器测试 GB∕T 4377-2018
半导体集成电路电压调整器测试 GB∕T 4377-2018
检测项目：电压调整率Sv、电流调整率Si、输出电压长期稳定性St、备用消耗电流ID和备用消耗电流变化dID、短路电流IOS、基准电压VREF、最小输入输出压差VDRO
检测对象：电压调整器
GB/T 14028-2018
半导体集成电路 模拟开关测试方法
检测项目：导通电阻Ron、导通电阻路差dRon、截止态漏极漏电流Idoff、截止态源极漏电流Isoff、导通态漏电流IDSon、开启时间Ton、关断时间Toff
检测对象：模拟开关
GB/T4586-1994
半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管 第Ⅳ章
检测项目：栅-源阈值电压、栅极截止电流和栅极泄漏电流、漏-源通态电压、漏-源通态电阻
检测对象：场效应晶体管
微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法
微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法
检测项目：稳定性烘焙、老炼、温度循环
检测对象：集成电路（IC）
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法
检测项目：温度循环、高温寿命
检测对象：分立器件（MOS/二极管、三极管、场效应管）
微电子器件试验方法和程序 GJB548C-2021 方法
微电子器件试验方法和程序 GJB548C-2021 方法
检测项目：稳定性烘焙、温度循环
检测对象：集成电路（IC）
GB/T6571-1995
半导体器件 分立器件 第3部分：信号(包括开关)和调整二极管 第Ⅳ章 第2节
检测项目：微分电阻、反向电流
检测对象：电压调整二极管
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法1038、1039、
半导体分立器件试验方法 GJB 128B-2021 方法1038、1039、
检测项目：老炼
检测对象：分立器件（MOS/二极管、三极管、场效应管）
半导体集成电路机械和气候试验方法 SJ/T10745-1996
半导体集成电路机械和气候试验方法 SJ/T10745-1996
检测项目：高压蒸汽
检测对象：分立器件（MOS/二极管、三极管、场效应管）
检测对象：集成电路（IC）
微电子器件试验方法和程序GJB548C-2021 方法
微电子器件试验方法和程序GJB548C-2021 方法
检测项目：老炼
检测对象：集成电路（IC）
半导体器件分立器件试验方法 GJB128B-2021 方法
半导体器件分立器件试验方法 GJB128B-2021 方法
检测项目：漏-源击穿电压
检测对象：场效应晶体管
GBT6571-1995
半导体器件 分立器件 第3部分：信号(包括开关)和调整二极管 第Ⅳ章 第2节
检测项目：工作电压
检测对象：电压调整二极管