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2026-05-12
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GB/T 29332-2012
半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)
检测项目：集电极-发射极饱和电压 （VCEsat）、开通时间（td(on),tr）和开通能量（Eon）、关断时间（td(off),tf）和关断能量（Eoff）、栅极-发射极阈值电压 （VGE(th)）、高温阻断（HTRB）、高温栅极偏置、集电极截止电流（ICES）、栅极漏电流（IGES）
检测对象：半导体器件
IEC 60747-8：2021
半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管
检测项目：栅极-源极阈值电压（VGS(th)）、漏极漏电流（IDSS）、栅极漏电流（IGSS）、漏极-源极导通电阻（rDS(on)）或漏极-源极导通电压（VDS(on)）、漏极-源极反向电压（VSD）、开关时间（td(on),tr,td(off),tf）、开通损耗（每脉冲）（Eon）、关断损耗（每脉冲）（Eoff）
检测对象：半导体器件
IEC 60747-9:2019
半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT)
检测项目：集电极-发射极饱和电压 （VCEsat）、开通时间（td(on),tr）和开通能量（Eon）、关断时间（td(off),tf）和关断能量（Eoff）、高温阻断（HTRB）、高温栅极偏置、栅极-发射极阈值电压 （VGE(th)）、集电极截止电流（ICES）、栅极漏电流（IGES）
检测对象：半导体器件
IEC 60747-2：2025
半导体器件 第2部分：分立器件 整流二极管
检测项目：正向电压（VF）、雪崩整流二极管的击穿电压（V(BR)）、反向电流（IR）、恢复电荷（Qr）、反向恢复时间（trr）、反向恢复损耗（Err）
检测对象：半导体器件
GB/T 4023-2015
半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管
检测项目：雪崩整流二极管的击穿电压（V(BR)）、反向电流（IR）、正向电压（VF）
检测对象：半导体器件
IIEC 60664-1:2020+AMD1:2025 CSV
低压供电系统内设备的绝缘配合-第1部分：原则、要求和测试 IEC 60664-1:2020+AMD1:2025 CSV
检测项目：交流工频电压测试
检测对象：半导体器件
IEC 60664-1:2020+AMD1:2025 CSV
低压供电系统内设备的绝缘配合-第1部分：原则、要求和测试
检测项目：直流电压测试
检测对象：半导体器件
IEC 60749-5：2023
半导体器件 机械和气候试验方法 第5部分：稳态温度湿度偏置寿命试验
检测项目：稳态温度湿度偏置寿命试验
检测对象：半导体器件
IEC 60749-6：2017
半导体器件 机械和气候试验方法 第6部分：高温储存
检测项目：高温储存
检测对象：半导体器件
JEDEC JESD22-A119A-2015(2021)
低温储存寿命
检测项目：低温储存寿命
检测对象：半导体器件
JEDEC JESD51-14-2010
单通道热流半导体器件结壳热阻瞬态双界面测试方法
检测项目：热阻测试
检测对象：半导体器件
IEC 60749-34:2010
半导体器件 机械和气候试验方法 第34部分：功率循环
检测项目：功率循环
检测对象：半导体器件
IEC 60068-2-14:2023
环境试验 第 2-14 部分：试验 试验N：温度变化
检测项目：温度变化
检测对象：半导体器件
GB/T 2423.56-2023
环境试验 第2部分：试验方法 试验Fh: 宽带随机振动和导则
检测项目：随机振动
检测对象：半导体器件
IEC 60068-2-64:2019
环境试验 第2-64部分:试验 试验Fh:振动、宽带和随机指南
检测项目：随机振动
检测对象：半导体器件
GB/T 2423.10-2019
环境试验 第2部分：试验方法 试验Fc: 振动(正弦)
检测项目：振动（正弦）
检测对象：半导体器件
IEC 60068-2-6:2007
环境试验 第2-6部分: 试验 试验Fc 振动(正弦)
检测项目：振动（正弦）
检测对象：半导体器件
GB/T 2423.5-2019
环境试验 第2部分:试验方法 试验Ea和导则:冲击
检测项目：冲击
检测对象：半导体器件
IEC 60068-2-27:2008
环境试验 第2-27部分:试验 试验Ea和指南:冲击
检测项目：冲击
检测对象：半导体器件