当前查看：北京国创先进技术检测有限公司
北京市 · 北京市
地址：北京市北京经济技术开发区泰河三街九号院一区4号楼1层1002室
联系电话：010-53970240
数据更新时间
2026-05-12
当前机构按“电子元器件”筛选，展示 70 条相关能力。
按标准归类为 61 个标准，每个标准下方直接显示可检测项目，点击可展开全部。
JEDEC JESD22-A108G 2022
温度、偏置和使用寿命
检测项目：低温工作寿命 LTOL、高温工作寿命HTOL、高温栅极偏压HTGB、高温反偏HTRB
检测对象：电子元器件
IEC 62228-3:2019
集成电路-收发器的EMC评估-第3部分:CAN收发器
检测项目：集成电路-传导发射CE -1Ω/150Ω直接耦合法、集成电路-电磁抗扰度CI-射频功率直接注入法DPI、集成电路-脉冲抗扰度-非同步瞬态注入法、静电放电抗扰度ESD
检测对象：电子元器件
JEDEC JESD22-A117E-2018
电可擦可编程ROM (eeprom)程序/擦除耐久性和数据保持测试
检测项目：NVM读写耐久性NVCE、NVM 循环后高温数据保持能力PCHTDR、NVM 低温数据保持能力和读干扰LTDR
检测对象：电子元器件
MIL-STD-750-2B-2022
半导体器件的机械试验方法 第2部分:试验方法2001至2999 方法
检测项目：引线键合拉力强度WBP、芯片剪切强度DS
检测对象：电子元器件
JEDEC JESD22-A113I:2020
可靠性测试前非密封表面贴装装置的预处理
检测项目：预处理PC
检测对象：电子元器件
JEDEC JESD22-A103E.01-2021
高温贮存寿命试验
检测项目：高温贮存寿命HTSL
检测对象：电子元器件
JEDEC JESD22-A119A-2015
低温贮存寿命
检测项目：低温贮存寿命LTSL
检测对象：电子元器件
MIL-STD-750-1B-2022
半导体器件环境试验方法第1部分:试验方法1000到1999 方法1038、
检测项目：高温反偏HTRB
检测对象：电子元器件
MIL-STD-750F-2021
半导体器件的试验方法 方法
检测项目：间歇工作寿命IOL
检测对象：电子元器件
JEDEC J-STD-020F:2022
非密封表面贴装设备(SMDs)的湿度/回流灵敏度分类
检测项目：湿度敏感度MLS
检测对象：电子元器件
JEDEC JESD22-B116B-2017
引线键合剪切测试
检测项目：引线键合剪切强度WBS
检测对象：电子元器件
JEDEC JESD22-B120-2022
引线键合拉力测试
检测项目：引线键合拉力强度WBP
检测对象：电子元器件
MIL-STD883L-2019
微电路测试方法 方法
检测项目：引线键合拉力强度WBP
检测对象：电子元器件
IEC 60749-34:2010
半导体器件 机械和气候试验方法第 34部分:功率循环
检测项目：功率循环PC
检测对象：电子元器件
EIA/IPC/JEDEC J-STD-002E-2017
元件引线、端子、接线片、端子和电线的可焊性试验
检测项目：可焊性SD
检测对象：电子元器件
JEDEC JESD24- 4-1990
JESD24附录4 -双极晶体管的热阻抗测量(基极-发射极电压法)
检测项目：热阻TR
检测对象：电子元器件
JEDEC JESD24- 6-1991
JESD24附录6 -绝缘栅双极晶体管的热阻抗测量
检测项目：热阻TR
检测对象：电子元器件
JEDEC JESD24- 3-1990
JESD24附录3 -垂直功率场效应管的热阻抗测量(源漏电压法)
检测项目：热阻TR
检测对象：电子元器件
JOINT IPC/JEDEC J-STD-035A-2022
非密封封装电子器件用声显微
检测项目：超声扫描SAT
检测对象：电子元器件
JEDEC JESD22-B100B：2003
物理尺寸
检测项目：物理尺寸PD
检测对象：电子元器件
JEDEC JESD22-B117B：2014
锡球剪切
检测项目：焊球剪切强度SBS
检测对象：电子元器件
MIL-STD-883L-2019
微电路测试方法 方法
检测项目：芯片剪切强度DS
检测对象：电子元器件
JEDEC JS-001-2024
人体模型静电放电试验
检测项目：静电放电-人体模型ESD-HBM
检测对象：电子元器件
JEDEC JS-002-2022
带电器件模型静电放电试验
检测项目：静电放电-器件模型ESD-CDM
检测对象：电子元器件
JJEDEC JESD78F.02-2023
芯片闩锁效应试验 JEDEC JESD78F.02-
检测项目：芯片闩锁效应LU
检测对象：电子元器件
IEC 60749-25:2003
半导体器件 机械和气候试验方法 第25部分:温度循环
检测项目：温度冲击TST
检测对象：电子元器件
MIL-STD-750- 2B-2022 Method 2036
半导体器件的机械试 验方法 第 2 部分:试 验方法 2001 至 2999 MIL-STD-750- 2B-2022 方法
检测项目：引出端强度TS
检测对象：电子元器件
JEDEC JESD22-B101D-2022
外观检测
检测项目：外观检测EV
检测对象：电子元器件
JEDEC JESD22-A101D.1 2021
稳态高温高湿偏压寿命试验
检测项目：稳态高温高湿偏压寿命THB
检测对象：电子元器件
JEDEC JESD22-A111B-2018
表面贴装器件通过全身焊料浸渍来确定底部侧板连接能力的评估
检测项目：耐焊接热RSH
检测对象：电子元器件
JESD22-B106E Nov 2016
通孔器件的耐焊料热冲击性
检测项目：耐焊接热RSH
检测对象：电子元器件
IEC 60749-15:2020 RLV
半导体器件 机械和气候试验方法 第15部分：通孔安装器件的耐焊接温度能力
检测项目：耐焊接热RSH
检测对象：电子元器件
JEDEC JESD22-A121A-2008
锡和锡合金表面镀层上的晶须生长测量
检测项目：晶须生长评估WG
检测对象：电子元器件
JEDEC JESD86A-2009
电气参数评估
检测项目：电分配ED
检测对象：电子元器件
GB/T2423.1-2008
电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验A：低温
检测项目：低温试验
检测对象：电子元器件
GB/T 2423.2-2008
电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验B：高温
检测项目：高温试验
检测对象：电子元器件
SAE J1752/3-2017
集成电路辐射发射测量 - TEM (150kHz-1GHz)/宽带TEM（GTEM）法（150kHz-8GHz）
检测项目：集成电路-辐射发射RE-TEM小室法
检测对象：电子元器件
IEC 61967-2:2005
集成电路 150kHz 至 1GHz 电磁发射的测量 第2部分:辐射发射的测量 TEM 小室和宽带TEM 小室法
检测项目：集成电路-辐射发射RE-TEM小室法
检测对象：电子元器件
IEC TS 61967-3:2014
集成电路-电磁发射测量-第3部分:辐射发射测量-表面扫描法
检测项目：集成电路-辐射发射RE-表面扫描法
检测对象：电子元器件
JEDEC JESD22-A110E.01:2021
高加速温度和湿度应力试验
检测项目：偏压高加速应力HAST
检测对象：电子元器件
IEC 61967-4:2021
集成电路 电磁发射测量 第4部分：传导发射测量 1Ω/150Ω直接耦合法
检测项目：集成电路-传导发射CE -1Ω/150Ω直接耦合法
检测对象：电子元器件
GB/T 44937.4-2024
集成电路 电磁发射测量 第4部分:传导发射测量 1Ω/150Ω直接耦合法 4.2,
检测项目：集成电路-传导发射CE -1Ω/150Ω直接耦合法
检测对象：电子元器件
IEC 62132-2:2010
集成电路 电磁抗扰度测量 第2部分：辐射抗扰度的测量 TEM小室和宽带TEM小室法
检测项目：集成电路-辐射抗扰度RI-TEM小室法
检测对象：电子元器件
GB/T 42968.2-2024
集成电路 电磁抗扰度测量 第2部分:辐射抗扰度测量 TEM小室和宽带TEM小室法
检测项目：集成电路-辐射抗扰度RI-TEM小室法
检测对象：电子元器件
IEC 62132-4:2006
集成电路 150kHz至1GHz 电磁抗扰度测量 第4部分:直接射频功率注入法
检测项目：集成电路-电磁抗扰度CI-射频功率直接注入法DPI
检测对象：电子元器件
GB/T 42968.4-2024
集成电路 电磁抗扰度测量 第4部分：射频功率直接注入法
检测项目：集成电路-电磁抗扰度CI-射频功率直接注入法DPI
检测对象：电子元器件
GB/T 43034.3-2023
集成电路 脉冲抗扰度测量 第3部分:非同步瞬态注入法
检测项目：集成电路-脉冲抗扰度-非同步瞬态注入法
检测对象：电子元器件
IEC 62215-3:2013
集成电路-脉冲抗扰度的测量-第3部分:非同步瞬态注入法
检测项目：集成电路-脉冲抗扰度-非同步瞬态注入法
检测对象：电子元器件
JEDEC JESD22-A102E-2015
加速防潮-无偏高压蒸煮试验
检测项目：高压蒸煮AC
检测对象：电子元器件
GB/T 17626.2-2018
电磁兼容 试验和测量技术 静电放电抗扰度试验
检测项目：静电放电抗扰度ESD
检测对象：电子元器件
IEC 61000-4-2:2008
电磁兼容 试验和测量技术 静电放电抗扰度试验
检测项目：静电放电抗扰度ESD
检测对象：电子元器件
GB/T 29332-2012
半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
检测项目：电参数-IGBT
检测对象：电子元器件
IEC 60747-9:2019
半导体器件 分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管（IGBT）
检测项目：电参数-IGBT
检测对象：电子元器件
GB/T 4586-1994
半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
检测项目：电参数-场效应晶体管
检测对象：电子元器件
IEC 60747- 8:2010+AMD1:2021 CSV
半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管
检测项目：电参数-场效应晶体管
检测对象：电子元器件
GB/T 4023-2015
半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管
检测项目：电参数-整流二极管
检测对象：电子元器件
GB/T 17574-1998
半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路
检测项目：电参数-数字集成电路
检测对象：电子元器件
JEDEC JESD22 A118B.01: 2021
加速耐湿性-无偏置高加速温湿度试验
检测项目：无偏高加速应力UHST
检测对象：电子元器件
GB/T 17940-2000
半导体器件 集成电路 第3部分:模拟集成电路
检测项目：电参数-模拟集成电路
检测对象：电子元器件
JEDEC JESD22-A104F.01 2023
温度循环试验
检测项目：温度循环TC
检测对象：电子元器件
JEDEC JESD22-A105D:2020
功率和温度循环
检测项目：功率温度循环PTC
检测对象：电子元器件