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西安力芯电子科技有限公司检测分析中心

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陕西省 · 西安市

地址:陕西省西安市高新区天谷五路999号5号楼1层

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数据更新时间

2026-05-12

能力范围

当前展示该机构前 67 条能力;该机构共 67 条能力记录。

按标准归类为 11 个标准,每个标准下方直接显示可检测项目,点击可展开全部。

半导体光电耦合器测试方法 SJ/T2215-2015

半导体光电耦合器测试方法 SJ/T2215-2015

12 项检测项目

检测项目:正向电压、正向电流、反向击穿电压、反向电流、集电极-发射极击穿电压、集电极-发射极饱和电压、集电极-发射极截止电流、电流传输比 等 12 项,点击展开全部

检测对象:半导体光电耦合器

正向电压正向电流反向击穿电压反向电流集电极-发射极击穿电压集电极-发射极饱和电压集电极-发射极截止电流电流传输比输出高电平电压输出低电平电压高电平电源电流低电平电源电流

GB/T4587-2023

半导体分立器件和集成电路第7部分:双极型晶体管

10 项检测项目

检测项目:集电极-基极击穿电压、发射极-基极击穿电压、集电极-发射极击穿电压、集电极-基极截止电流、集电极-发射极截止电流、发射极-基极截止电流、正向电流传输比、集电极-发射极饱和电压 等 10 项,点击展开全部

检测对象:双极型晶体管

集电极-基极击穿电压发射极-基极击穿电压集电极-发射极击穿电压集电极-基极截止电流集电极-发射极截止电流发射极-基极截止电流正向电流传输比集电极-发射极饱和电压基极-发射极饱和电压基极-发射极电压

GB/T4586-1994

半导体器件 第8部分 场效应晶体管 第Ⅳ章 测试方法

8 项检测项目

检测项目:栅极截止电流或栅极泄露电流、漏极截止电流、栅-源阈值电压、栅-源截止电压、通态漏-源电阻、漏极电流、小信号短路正向跨导、漏源通态电压

检测对象:场效应晶体管

栅极截止电流或栅极泄露电流漏极截止电流栅-源阈值电压栅-源截止电压通态漏-源电阻漏极电流小信号短路正向跨导漏源通态电压

电子及电气元件试验方法 GJB360B-2009 方法

电子及电气元件试验方法 GJB360B-2009 方法

7 项检测项目

检测项目:电阻值、介质耐压、总阻值、终端电阻、电容量、品质因数、绝缘电阻

检测对象:电阻器

电阻值

检测对象:电容器

介质耐压电容量品质因数绝缘电阻

检测对象:电位器

总阻值终端电阻

GB/T15291-2015

半导体器件 第6部分:晶闸管

7 项检测项目

检测项目:门极触发电流、门极触发电压、通态电压、断态电流、反向峰值电流、维持电流、擎住电流

检测对象:晶闸管

门极触发电流门极触发电压通态电压断态电流反向峰值电流维持电流擎住电流

GB/T6571-1995

半导体器件分立器件第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第Ⅳ章 第3节

6 项检测项目

检测项目:正向电压、反向电流、工作电压、微分电阻、调整电流、极限电压

检测对象:开关二极管

正向电压反向电流

检测对象:调整二极管

正向电压反向电流工作电压微分电阻调整电流极限电压

GB/T 29332-2012

半导体器件 分立器件 第9部分:绝缘双极晶体管(IGBT)

5 项检测项目

检测项目:栅极漏电流、集电极截止电流、栅极-发射极阈值电压、集电极-发射极饱和电压、集电极-发射极电压

检测对象:绝缘栅双极晶体管(IGBT)

栅极漏电流集电极截止电流栅极-发射极阈值电压集电极-发射极饱和电压集电极-发射极电压

有和无可靠性指标的模制射频固定电感器通用规范 GJB 675A-2002

有和无可靠性指标的模制射频固定电感器通用规范 GJB 675A-2002

3 项检测项目

检测项目:电感量、Q值、直流电阻

检测对象:电感器

电感量Q值直流电阻

GB/T4023-2015

半导体分立器件第2部分:整流二极管

3 项检测项目

检测项目:正向电压、反向电流、击穿电压

检测对象:整流二极管

正向电压反向电流击穿电压

固体电解质钽固定电容器通用规范 GJB 63C-2015

固体电解质钽固定电容器通用规范 GJB 63C-2015

3 项检测项目

检测项目:电容量、损耗角正切、漏电流

检测对象:钽电容器

电容量损耗角正切漏电流

电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法

电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法

1 项检测项目

检测项目:直流电阻

检测对象:电感器

直流电阻

机构信息

机构名称

西安力芯电子科技有限公司检测分析中心

所在地区

陕西省 · 西安市

企业地址

陕西省西安市高新区天谷五路999号5号楼1层

法定代表人

冯瑜

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