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2026-05-12
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SJ20388-1993
红外探测器用蓝宝石窗口规范
检测项目：表面粗糙度、几何尺寸、结晶完整性、气候环境试验、透过率、平行度、弯曲度、外观
检测对象：光电子材料
SJ20640-1997
红外探测器用锑化铟单晶片规范
检测项目：位错密度、导电类型、电阻率、霍尔系数、迁移率、载流子浓度、表面质量、表面粗糙度、抛光片厚度、短轴尺寸、A和B原子面
检测对象：光电子材料
GB/T 30656-2023
碳化硅单晶抛光片
检测项目：直径测量、表面粗糙度、X射线双晶摇摆曲线半高宽、多型
检测对象：微电子材料
SJ20641-1997
红外探测器用锑化铟单晶规范
检测项目：位错密度、导电类型、电阻率、霍尔系数、迁移率、载流子浓度、规格尺寸、宏观质量
检测对象：光电子材料
GB/T11072-2009
锑化铟多晶、单晶及切割片
检测项目：位错密度、导电类型、电阻率、霍尔系数、迁移率、载流子浓度、表面质量、直径及厚度
检测对象：光电子材料
GB/T 5593-2015
电子元器件结构陶瓷材料
检测项目：体积电阻率、介电常数和介质损耗角正切值、热膨胀系数、导热系数
检测对象：陶瓷材料
GB/T25075-2010
太阳能电池用砷化镓单晶
检测项目：导电类型、电阻率、霍尔系数、迁移率、载流子浓度、外形尺寸、外观、质量
检测对象：微电子材料
GB/T 20230-2022
磷化铟单晶
检测项目：直径测量、外观、质量、导电类型、电阻率、霍尔系数、迁移率、载流子浓度
检测对象：微电子材料
SJ/T11199-2016
压电石英晶体片
检测项目：外观、外形尺寸、切角允差
检测对象：压电声光晶体材料
GB/T5596-1996
电容器用陶瓷介质材料
检测项目：体积电阻率、介电常数和介质损耗角正切值、热膨胀系数
检测对象：陶瓷材料
GB/T 14619-2013
厚膜集成电路用氧化铝陶瓷基片 GB/T14619-2013
检测项目：体积电阻率、介电常数和介质损耗角正切值、热膨胀系数
检测对象：陶瓷材料
SJ 20389-1993
电子和电气设备用氧化铍陶瓷制品规范
检测项目：体积电阻率、介电常数和介质损耗角正切值、热膨胀系数
检测对象：陶瓷材料
GB/T 12963-2022
电子级多晶硅
检测项目：硅多晶断面夹层、外观、质量
检测对象：微电子材料
GJB1927A-2021
砷化镓单晶材料测试方法
检测项目：半绝缘砷化镓单晶中碳浓度、导电类型、电阻率、霍尔系数、迁移率、载流子浓度
检测对象：微电子材料
GB/T20228-2021
砷化镓单晶
检测项目：外形尺寸、导电类型、电阻率、霍尔系数、迁移率、载流子浓度
检测对象：微电子材料
GB/T 13388-2009
硅片参考面结晶学取向X射线测试方法
检测项目：参考面结晶学取向
检测对象：微电子材料
GB/T 12965-2018
硅单晶切割片和研磨片
检测项目：直径测量
检测对象：微电子材料
GB/T 30866-2014
碳化硅单晶片直径测试方法
检测项目：直径测量
检测对象：微电子材料
GB/T5238-2019
锗单晶和锗单晶片
检测项目：几何参数
检测对象：微电子材料
GB/T 14144-2009
硅晶体中间隙氧含量径向变化测量方法
检测项目：硅晶体中间隙氧含量径向变化
检测对象：微电子材料
GB/T 4061-2009
硅多晶断面夹层化学腐蚀检验方法
检测项目：硅多晶断面夹层
检测对象：微电子材料
GB/T 4058-2009
硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法
检测项目：硅抛光片氧化诱生缺陷
检测对象：微电子材料
GB/T 12964-2018
硅单晶抛光片
检测项目：硅抛光片氧化诱生缺陷
检测对象：微电子材料
GB/T 19199-2015
半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法
检测项目：半绝缘砷化镓单晶中碳浓度
检测对象：微电子材料
GB/T 34481-2017
低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法
检测项目：低位错锗单晶片腐蚀坑密度
检测对象：微电子材料
GB/T 29505-2013
硅片平坦表面的表面粗糙度测量方法
检测项目：表面粗糙度
检测对象：微电子材料
GB/T 1031-2009
产品几何技术规范（GPS) 表面结构 轮廓法 表面粗糙度参数及其数值
检测项目：表面粗糙度
检测对象：微电子材料
SJ/T 11503-2015
碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法
检测项目：表面粗糙度
检测对象：微电子材料
GB/T 32189-2015
氮化镓单晶衬底表面粗糙度的原子力显微镜检验法
检测项目：表面粗糙度
检测对象：微电子材料
GB/T 14849.4-2014
工业硅化学分析方法 第4部分：杂质元素含量的测定 电感耦合等离子体原子发射光谱法
检测项目：工业硅中杂质元素含量
检测对象：微电子材料
GB/T 32188-2015
氮化镓单晶衬底片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法
检测项目：X射线双晶摇摆曲线半高宽
检测对象：微电子材料
GB/T 42676-2023
半导体单晶晶体质量的测试 X射线衍射法
检测项目：X射线双晶摇摆曲线半高宽
检测对象：微电子材料
GB/T 34612-2017
蓝宝石晶体X射线双晶衍射摇摆曲线测量方法
检测项目：X射线双晶摇摆曲线半高宽
检测对象：微电子材料
GB/T 43313-2023
碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试 共焦点微分干涉法
检测项目：微管密度
检测对象：微电子材料
GB/T 30868-2014
碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法
检测项目：微管密度
检测对象：微电子材料
GB/T 40219-2021
拉曼光谱仪通用规范
检测项目：多型
检测对象：微电子材料
GB/T 41751-2022
氮化镓单晶衬底片晶面曲率半径测试方法
检测项目：晶面曲率半径
检测对象：微电子材料
GB/T 24576-2009
高分辩率X射线衍射测量GaAs衬底生长的AlGaAs中Al成分的试验方法
检测项目：Al成分
检测对象：微电子材料
GJB 6190-2008
电磁屏蔽材料屏蔽效能测量方法
检测项目：电磁屏蔽效能
检测对象：微电子材料
GB/T11297.6-1989
锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法
检测项目：位错密度
检测对象：光电子材料
GB/T11297.7-1989
锑化铟单晶电阻率及霍尔系数测试方法
检测项目：导电类型、电阻率、霍尔系数、迁移率、载流子浓度
检测对象：光电子材料
GB/T3505-2009
产品几何技术规范（GPS） 表面结构 轮廓法 术语、定义及表面结构参数
检测项目：表面粗糙度
检测对象：光电子材料
GB/T 1554-2009
硅晶体完整性化学择优腐蚀检验方法
检测项目：硅晶体完整性
检测对象：微电子材料
SJ20387-1993
红外探测器用蓝宝石窗口性能试验方法
检测项目：蓝宝石透过率
检测对象：光电子材料
GB/T 14142-2017
硅外延层晶体完整性检查方法 腐蚀法
检测项目：硅晶体完整性
检测对象：微电子材料
GB/T3284-2015
石英玻璃化学成分分析方法
检测项目：石英化学成分
检测对象：压电声光晶体材料
JB/T 9495.3-1999
光学晶体透过率 测量方法
检测项目：透过率
检测对象：压电声光晶体材料
GB/T 5594.5-1985
电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 体积电阻率测试方法
检测项目：体积电阻率
检测对象：陶瓷材料
GB/T 25076-2018
太阳电池用硅单晶
检测项目：硅晶体完整性
检测对象：微电子材料
GB/T 5594.4-2015
电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 第4部分：介电常数和介质损耗角正切值测试方法
检测项目：介电常数和介质损耗角正切值
检测对象：陶瓷材料
GB/T 7265.2-1987
固体电介质微波复介电常数的测试方法 "开式腔"法
检测项目：介电常数和介质损耗角正切值
检测对象：陶瓷材料
GB/T 12962-2015
硅单晶
检测项目：硅晶体完整性
检测对象：微电子材料
GB/T16535-2008
精细陶瓷热膨胀系数试验方法 顶杆法
检测项目：热膨胀系数
检测对象：陶瓷材料
GB/T 5594.3-2015
电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 第3部分：平均线膨胀系数测试方法
检测项目：热膨胀系数
检测对象：陶瓷材料
GB/T 5598-2015
氧化铍瓷导热系数测定方法
检测项目：导热系数
检测对象：陶瓷材料
GB/T 5594.6-2015
电子元器件结构陶瓷材料性能测试方法 第6部分：化学稳定性测试方法
检测项目：化学稳定性
检测对象：陶瓷材料