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2026-05-12
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按标准归类为 13 个标准，每个标准下方直接显示可检测项目，点击可展开全部。
《半导体分立器件试验方法》 GJB 128B-2021 方法
《半导体分立器件试验方法》 GJB 128B-2021 方法
检测项目：漏源击穿电压、正向跨导、正向电压、反向漏电流、击穿电压、反向恢复特性、集电极-基极截止电流、发射极-基极截止电流 等 15 项，点击展开全部
检测对象：场效应晶体管
检测对象：信号（包括开关）和调整二极管
检测对象：双极型晶体管
《微电子器件试验方法和程序》 GJB548C-2021 方法
《微电子器件试验方法和程序》 GJB548C-2021 方法
检测项目：温度循环、密封、粒子碰撞噪声检测、外部目检、老炼试验、稳定性烘焙、恒定加速度、稳态寿命 等 15 项，点击展开全部
检测对象：微电子器件
半导体光电耦合器测试方法 SJ/T 2215-2015
半导体光电耦合器测试方法 SJ/T 2215-2015
检测项目：正向电压（输入二极管）、正向电流（二极管）、反向电流（二极管）、反向击穿电压（二极管）、集电极-发射极击穿电压、集电极-发射极饱和电压、输出截止电流、电流传输比 等 12 项，点击展开全部
检测对象：半导体分立器件和集成电路光电子器件
GB/T17574-1998
半导体器件集成电路第2部分：数字集成电路 第Ⅳ篇第2节
检测项目：输入钳位电压、输出允许时间和禁止时间、功能测试、输出高电平电压、输出低电平电压、输入高电平电流I、输入低电平电流、输出高阻态电流 等 10 项，点击展开全部
检测对象：半导体集成电路TTL电路
检测对象：半导体集成电路CMOS电路
检测对象：半导体集成电路时基电路
GB/T 14030-92
半导体集成电路时基电路测试方法的基本原理
检测项目：复位电压、复位电流、触发电压、触发电流、阈值电压、阈值电流、控制端电压、静态电源电流
检测对象：半导体集成电路时基电路
GB/T 15291-2015
半导体器件 分立器件 第6部分：晶闸管》
检测项目：通态电压、反向峰值电流、擎住电流、维持电流、断态电流、门极触发电压、门极触发电流
检测对象：闸流晶体管
《半导体光电耦合器测试方法》 SJ/T 2215-2015
《半导体光电耦合器测试方法》 SJ/T 2215-2015
检测项目：脉冲上升时间、脉冲下降时间、下降传输延迟时间、上升传输延迟时间、输入触发电流、隔离电容、隔离电阻
检测对象：半导体分立器件和集成电路光电子器件
微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法
微电子器件试验方法和程序 GJB548B-2005 方法
检测项目：温度循环、密封、粒子碰撞噪声检测、外部目检、老炼试验、稳定性烘焙、恒定加速度
检测对象：微电子器件
GB/T4586-1994
《半导体器件 分立器件 第8部分：场效应晶体管》 第Ⅳ章
检测项目：漏极电流、栅-源截止电压、漏源通态电压、静态漏源通态电阻
检测对象：场效应晶体管
GB/T6571-1995
半导体器件 分立器件 第3部分：信号（包括开关）和调整二极管 第Ⅳ章第1节
检测项目：正向电压、反向漏电流、工作电压、微分电阻
检测对象：信号（包括开关）和调整二极管
电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法
电子及电气元件试验方法 GJB 360B-2009 方法
检测项目：直流电阻、电容量、品质因数(Q)、绝缘电阻
检测对象：固定电阻值电阻器
检测对象：电容器
《固体电解质钽固定电容器通用规范》 GJB 63C-2015
《固体电解质钽固定电容器通用规范》 GJB 63C-2015
检测项目：电容量、直流漏电流、损耗角正切、等效串联电阻
检测对象：电容器
《球栅阵列（BGA）试验方法》 GJB7677-2012
《球栅阵列（BGA）试验方法》 GJB7677-2012
检测项目：可焊性
检测对象：微电子器件