当前查看：西安西谷微电子有限责任公司元器件检测中心
陕西省 · 西安市
地址：陕西省西安市高新区成业大道4301号1号楼
联系电话：029-68590620
数据更新时间
2026-05-12
当前机构按“电子元器件”筛选，展示 222 条相关能力。
按标准归类为 37 个标准，每个标准下方直接显示可检测项目，点击可展开全部。
《军用电子元器件失效分析要求与方法》 GJB8897-2017
《军用电子元器件失效分析要求与方法》 GJB8897-2017
检测项目：附加电测试、外部检查、电测验证、X射线检查、外部封装清洗、粒子碰撞噪声检测、密封性检查、内部目检 等 14 项，点击展开全部
检测对象：微电子器件
检测对象：半导体器件
检测对象：多层瓷介电容器
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目0902
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目0902
检测项目：外部目检、封装表面镀涂材料分析、X射线检查、密封、粒子碰撞噪声检测（PIND）、内部目检、键合强度、剪切强度 等 10 项，点击展开全部
检测对象：晶体振荡器
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目1101
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目1101
检测项目：外部目检、封装表面镀涂材料分析、粒子碰撞噪声检测（PIND）、X射线检查、密封、内部目检、键合强度、剪切强度 等 10 项，点击展开全部
检测对象：密封半导体集成电路
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目1201
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目1201
检测项目：外部目检、封装表面镀涂材料分析、粒子碰撞噪声检测（PIND）、X射线检查、密封、内部目检、键合强度、剪切强度 等 10 项，点击展开全部
检测对象：光耦合器
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目0702
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目0702
检测项目：外部目检、封装表面镀涂材料分析、X射线检查、粒子碰撞噪声检测（PIND）、密封、内部目检、键合强度、扫描电子显微镜(SEM)检查 等 10 项，点击展开全部
检测对象：固体继电器
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目1003
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目1003
检测项目：外部目检、封装表面镀涂材料分析、X射线检查、粒子碰撞噪声检测（PIND）、密封、内部目检、键合强度、剪切强度 等 10 项，点击展开全部
检测对象：有键合丝表面安装和外引线同向引出晶体管、二极管
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目1102
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目1102
检测项目：外部目检、封装表面镀涂材料分析、X射线检查、粒子碰撞噪声检测（PIND）、密封、内部目检、键合强度、扫描电子显微镜(SEM)检查 等 10 项，点击展开全部
检测对象：混合集成电路（含多芯片组件）
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目1103
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目1103
检测项目：外部目检、封装表面镀涂材料分析、X射线检查、声学扫描显微镜检查、内部目检、键合强度、扫描电子显微镜(SEM)检查、玻璃钝化层完整性检查 等 9 项，点击展开全部
检测对象：塑封半导体集成电路
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目1004
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目1004
检测项目：外部目检、封装表面镀涂材料分析、X射线检查、声学扫描显微镜检查、内部目检、键合强度、扫描电子显微镜(SEM)检查、玻璃钝化层完整性检查 等 9 项，点击展开全部
检测对象：有键合丝塑封半导体分立器件
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目1104
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目1104
检测项目：外部目检、焊球/焊柱的材料分析、X射线检查、扫描声学显微镜检查、剪切强度、内部目检、扫描电子显微镜(SEM)检查、玻璃钝化层完整性检查 等 9 项，点击展开全部
检测对象：倒装焊半导体集成电路
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目1002
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目1002
检测项目：外部目检、封装表面镀涂材料分析、X射线检查、密封、内部检查、引出端强度、剪切强度、结构基线（适用时）
检测对象：无键合丝螺栓安装和轴向引线金属外壳二极管
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027A-2006 工作项目1102
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027A-2006 工作项目1102
检测项目：外部目检、X射线检查、粒子碰撞噪声检测（PIND）、密封、内部目检、键合强度、扫描电子显微镜(SEM)检查、剪切强度
检测对象：混合集成电路（含多芯片组件）
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目0207
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目0207
检测项目：外部目检、封装表面镀涂材料分析、X射线检查、密封（对密封电容器）、内部目检、制样镜检、结构基线（适用时）
检测对象：固体电解质钽电容器
检测对象：片式固体电解质钽电容器
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目1001
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目1001
检测项目：外部目检、封装表面镀涂材料分析、X射线检查、密封、引出端强度、内部检查、结构基线（适用时）
检测对象：无键合丝玻璃外壳、玻璃钝化和塑料封装二极管
军用电子元器件破坏性物理分析 GJB4027A-2006 工作项目1003
军用电子元器件破坏性物理分析 GJB4027A-2006 工作项目1003
检测项目：外部目检、X射线检查、粒子碰撞噪声检测（PIND）、密封、内部目检、键合强度、剪切强度
检测对象：有键合丝表面安装和外引线同向引出晶体管、二极管
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目0101
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目0101
检测项目：外部目检、封装表面镀涂材料分析、密封（仅对密封型）、内部目检、制样镜检、结构基线（适用时）
检测对象：金属膜固定电阻器
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目0202
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目0202
检测项目：外部目检、封装表面镀涂材料、内部目检（对带引线有包封层的电容器）、引出端强度（对带引线有包封层的电容器）、制样镜检、结构基线（适用时）
检测对象：多层瓷介（独石）电容器
军用电子元器件破坏性物理分析 GJB4027A-2006 工作项目0902
军用电子元器件破坏性物理分析 GJB4027A-2006 工作项目0902
检测项目：外部目检、X射线检查、密封、内部目检、键合强度、剪切强度
检测对象：晶体振荡器
军用电子元器件破坏性物理分析 GJB4027A-2006 工作项目1101
军用电子元器件破坏性物理分析 GJB4027A-2006 工作项目1101
检测项目：外部目检、粒子碰撞噪声检测（PIND）、密封、内部目检、键合强度、剪切强度
检测对象：密封半导体集成电路
军用电子元器件破坏性物理分析 GJB4027A-2006 工作项目1201
军用电子元器件破坏性物理分析 GJB4027A-2006 工作项目1201
检测项目：外部目检、粒子碰撞噪声检测（PIND）、密封、内部目检、键合强度、剪切强度
检测对象：光耦合器
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目0205
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目0205
检测项目：外部目检、封装表面镀涂材料分析、密封、内部目检、结构基线（适用时）
检测对象：非固体电解质钽电容器
军用电子元器件破坏性物理分析 GJB4027A-2006 工作项目0207
军用电子元器件破坏性物理分析 GJB4027A-2006 工作项目0207
检测项目：外部目检、X射线检查、密封（对密封电容器）、内部目检、制样镜检
检测对象：固体电解质钽电容器
军用电子元器件破坏性物理分析 GJB4027A-2006 工作项目1103
军用电子元器件破坏性物理分析 GJB4027A-2006 工作项目1103
检测项目：外部目检、X射线检查、声学扫描显微镜检查、内部目检、键合强度
检测对象：塑封半导体集成电路
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目0103
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目0103
检测项目：外部目检、封装表面镀涂材料分析、内部目检、制样镜检、结构基线（适用时）
检测对象：片式固定电阻器
军用电子元器件破坏性物理分析 GJB4027A-2006 工作项目1002
军用电子元器件破坏性物理分析 GJB4027A-2006 工作项目1002
检测项目：外部目检、X射线检查、密封、内部检查、剪切强度
检测对象：无键合丝螺栓安装和轴向引线金属外壳二极管
军用电子元器件破坏性物理分析 GJB4027A-2006 工作项目0101
军用电子元器件破坏性物理分析 GJB4027A-2006 工作项目0101
检测项目：外部目检、密封（仅对密封型）、内部目检、制样镜检
检测对象：金属膜固定电阻器
军用电子元器件破坏性物理分析 GJB4027A-2006 工作项目0202
军用电子元器件破坏性物理分析 GJB4027A-2006 工作项目0202
检测项目：外部目检、内部目检（对带引线有包封层的电容器）、制样镜检
检测对象：多层瓷介（独石）电容器
军用电子元器件破坏性物理分析 GJB4027A-2006 工作项目0205
军用电子元器件破坏性物理分析 GJB4027A-2006 工作项目0205
检测项目：外部目检、密封、内部目检
检测对象：非固体电解质钽电容器
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目0208
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027B-2021 工作项目0208
检测项目：外部目检、封装表面镀涂材料分析、制样镜检
检测对象：片式固体电解质钽电容器
军用电子元器件破坏性物理分析 GJB4027A-2006 工作项目0208
军用电子元器件破坏性物理分析 GJB4027A-2006 工作项目0208
检测项目：外部目检、制样镜检
检测对象：片式固体电解质钽电容器
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027A-2006 工作项目1103
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027A-2006 工作项目1103
检测项目：扫描电子显微镜(SEM)检查、玻璃钝化层完整性检查
检测对象：塑封半导体集成电路
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027A-2006 工作项目1201
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027A-2006 工作项目1201
检测项目：X射线检查、扫描电子显微镜(SEM)检查
检测对象：光耦合器
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027A-2006 工作项目0202
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027A-2006 工作项目0202
检测项目：引出端强度（对带引线有包封层的电容器）
检测对象：多层瓷介（独石）电容器
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027A-2006 工作项目0902
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027A-2006 工作项目0902
检测项目：扫描电子显微镜(SEM)检查
检测对象：晶体振荡器
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027A-2006 工作项目1101
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027A-2006 工作项目1101
检测项目：扫描电子显微镜(SEM)检查
检测对象：密封半导体集成电路
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027A-2006 工作项目1002
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027A-2006 工作项目1002
检测项目：引出端强度
检测对象：无键合丝螺栓安装和轴向引线金属外壳二极管
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027A-2006 工作项目1003
《军用电子元器件破坏性物理分析方法》 GJB4027A-2006 工作项目1003
检测项目：扫描电子显微镜(SEM)检查
检测对象：有键合丝表面安装和外引线同向引出晶体管、二极管