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数据更新时间
2026-05-12
当前机构按“电子元器件”筛选，展示 124 条相关能力。
按标准归类为 83 个标准，每个标准下方直接显示可检测项目，点击可展开全部。
GJB 4027B-2021
军用电子元器件破坏性物理分析方法 工作项目0901
检测项目：超声检测、键合强度
检测对象：电子元器件
GJB 548C-2021
微电子器件试验方法和程序 方法
检测项目：内部目检、外部目检、超声检测、X射线检查、耐湿、扫描电子显微镜(SEM)检查、可焊性、温度变化 等 15 项，点击展开全部
检测对象：电子元器件
GJB 128B-2021
半导体分立器件试验方法 方法
检测项目：内部目检、外部目检、X射线检查、扫描电子显微镜(SEM)检查、可焊性、耐焊接热、温度变化、剪切强度 等 12 项，点击展开全部
检测对象：电子元器件
GJB 360B-2009
电子及电气元件试验方法 方法
检测项目：X射线检查、稳态湿热试验、可焊性、温度变化、高温工作寿命试验、盐雾试验、恒定加速度、振动 等 9 项，点击展开全部
检测对象：电子元器件
MIL-STD-750-2B w/CHANGE 1：2023
半导体器件机械试验方法 第2部分：方法2001~2999 方法
检测项目：剪切强度、键合强度
检测对象：电子元器件
AEC-Q101 Rev-E:2021
基于失效机理的汽车应用分立半导体器件应力试验认证 表格2-C
检测项目：剪切强度、键合强度
检测对象：电子元器件
JEDEC JESD22-A108G:2022
温度、偏置和工作寿命
检测项目：低温工作寿命试验、高温工作寿命试验
检测对象：电子元器件
GJB 548B-2005
微电子器件试验方法和程序
检测项目：高温工作寿命试验、高温试验
检测对象：电子元器件
IEC 62215-3:2013
集成电路-脉冲抗扰度的测量-第3部分:非同步瞬态注入法
检测项目：芯片传导抗扰度(EFT)、芯片传导抗扰度(PESD)
检测对象：电子元器件
JESD22-B101D-2022
外部目检
检测项目：外部目检
检测对象：电子元器件
GB/T 4937.3-2012
半导体器件 机械和气候试验方法 第3部分：外部目检
检测项目：外部目检
检测对象：电子元器件
IEC 60749-3:2017
半导体器件 机械和气候试验方法 第3部分：外部目检
检测项目：外部目检
检测对象：电子元器件
JEDEC JESD22-A100E:2020
偏压温湿度循环寿命测试
检测项目：偏压温湿度循环寿命测试
检测对象：电子元器件
JEDEC JESD22-A101D.01:2021
稳态温度湿度偏压寿命测试
检测项目：稳态温度湿度偏压寿命测试
检测对象：电子元器件
JEDEC JESD22-A103E.01:2021
高温存储寿命测试
检测项目：高温存储寿命试验
检测对象：电子元器件
JEDEC JESD22-A104F.01:2023
温度循环测试
检测项目：温度循环试验(TC)
检测对象：电子元器件
JEDEC JESD22-A105D:2020
功率温度循环试验
检测项目：功率温度循环试验
检测对象：电子元器件
GB/T 4937.21-2018
半导体器件 机械和气候试验方法 第21部分：可焊性
检测项目：可焊性
检测对象：电子元器件
IEC 60749-21:2011
半导体器件 机械和气候试验方法 第21部分：可焊性
检测项目：可焊性
检测对象：电子元器件
GB/T 2423.32-2008
电工电子产品环境试验 第2部分：试验方法 试验Ta: 润湿称量法可焊性
检测项目：可焊性
检测对象：电子元器件
JEDEC JESD22-A106B.02:2022
冷热冲击
检测项目：冷热冲击
检测对象：电子元器件
GB/T 4937.15-2018
半导体器件 机械和气候试验方法 第15部分：通孔安装器件的耐焊接热
检测项目：耐焊接热
检测对象：电子元器件
IEC 60749-15:2020
半导体器件 机械和气候试验方法 第15部分：通孔安装器件的耐焊接热
检测项目：耐焊接热
检测对象：电子元器件
JEDEC JESD22-B116B:2017
引线键合点剪切试验
检测项目：剪切强度
检测对象：电子元器件
JEDEC JESD22-B117B:2014
焊锡球剪切
检测项目：剪切强度
检测对象：电子元器件
GB/T 4937.19-2018
半导体器件 机械和气候试验方法 第19部分：芯片剪切强度
检测项目：剪切强度
检测对象：电子元器件
IEC 60749-19:2010
半导体器件 机械和气候试验方法 第19部分：芯片剪切强度
检测项目：剪切强度
检测对象：电子元器件
AEC - Q100-001 REV-C-1998
引线键合点剪切试验
检测项目：剪切强度
检测对象：电子元器件
AEC - Q100-010 REV-A-2003
焊锡球剪切测试
检测项目：剪切强度
检测对象：电子元器件
GB/T 4937.22-2018
半导体器件 机械和气候试验方法 第22部分：键合强度
检测项目：键合强度
检测对象：电子元器件
IEC 60749-22:2002
半导体器件 机械和气候试验方法 第22部分：键合强度
检测项目：键合强度
检测对象：电子元器件
AEC-Q101-003 Rev-A:2005
金球推力测试方法
检测项目：键合强度
检测对象：电子元器件
AEC - Q100-008 - REV-A-2003
早期寿命失效率
检测项目：早期寿命失效率
检测对象：电子元器件
JEDEC JESD22-A117E:2018
电子可清除可编程ROM (EEPROM) 程序/清除耐久力和数据保持测试
检测项目：擦写耐久性和数据保持试验
检测对象：电子元器件
AEC - Q100-005 - REV-D1 -2012
非易失性存储器程序/擦除持久性，数据保留，和操作寿命测试
检测项目：擦写耐久性和数据保持试验
检测对象：电子元器件
JEDEC JESD22-A110E.01:2021
高加速温湿度应力测试
检测项目：高加速温湿度应力试验（HAST）
检测对象：电子元器件
GB/T 4937.4-2012
半导体器件 机械和气候试验方法 第4部分：强加速稳态湿热试验（HAST）
检测项目：高加速温湿度应力试验（HAST）
检测对象：电子元器件
IEC 60749-4:2017
半导体器件 机械和气候试验方法 第4部分：强加速稳态湿热试验（HAST）
检测项目：高加速温湿度应力试验（HAST）
检测对象：电子元器件
JEDEC JESD22-A113I:2020
非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理
检测项目：预处理
检测对象：电子元器件
GB/T 4937.30-2018
半导体器件 机械和气候试验方法 第30部分：非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理
检测项目：预处理
检测对象：电子元器件
IEC 60749-30：2020
半导体器件 机械和气候试验方法 第30部分：非密封表面安装器件在可靠性试验前的预处理
检测项目：预处理
检测对象：电子元器件
JEDEC JESD22-A118B.01:2021
加速抗湿性-无偏 HAST
检测项目：温度、湿度、高压测试
检测对象：电子元器件
IEC 60749-24:2004
半导体器件机械和气候试验方法 第24部分：加速耐湿 无偏置强加速应力试验
检测项目：温度、湿度、高压测试
检测对象：电子元器件
IEC 60749-33:2004
半导体器件 机械和气候试验方法 第33部分：加速耐湿 无偏置高压蒸煮
检测项目：温度、湿度、高压测试
检测对象：电子元器件
JEDEC JESD22-A119A:2015
低温存储寿命测试
检测项目：低温存储寿命试验
检测对象：电子元器件
MIL-STD-883 J CHANGE 1-2013
微电子测试方法标准
检测项目：高温试验
检测对象：电子元器件
GB/T 4937.13-2018
半导体器件 机械和气候试验方法 第13部分：盐雾
检测项目：盐雾试验
检测对象：电子元器件
IEC 60749-13:2018
半导体器件 机械和气候试验方法 第13部分：盐雾
检测项目：盐雾试验
检测对象：电子元器件
GB/T 2423.15-2008
电子电工产品环境试验 第2部分：试验方法 试验Ga和导则：稳态加速度
检测项目：恒定加速度
检测对象：电子元器件
IEC 60068-2-7:1986
电子电工产品环境试验 第2部分：试验方法 试验Ga和导则：稳态加速度
检测项目：恒定加速度
检测对象：电子元器件
IEC 60749-36:2003
半导体器件 - 机械和气候试验方法 - 第36部分：稳态加速
检测项目：恒定加速度
检测对象：电子元器件
IEC 60749-20:2020
半导体器件 - 机械和气候试验方法 - 第20部分：塑料封装表面贴装器件耐湿气和焊接热的综合影响
检测项目：耐湿气和焊接热
检测对象：电子元器件
GB/T 4937.20-2018
半导体器件 - 机械和气候试验方法 - 第20部分：塑料封装表面贴装器件耐湿气和焊接热的综合影响
检测项目：耐湿气和焊接热
检测对象：电子元器件
AEC - Q100-002 REV-E -2013
人体模型静电放电试验
检测项目：静电放电敏感度分类测试
检测对象：电子元器件
AEC-Q100-011 Rev-D:2019
带电装置模型(CDM)静电放电试验
检测项目：静电放电敏感度分类测试
检测对象：电子元器件
JEDEC JESD22-A115C:2010
静电放电敏感度测试，机器模型 (MM)
检测项目：静电放电敏感度分类测试
检测对象：电子元器件
ANSI/ESDA/JEDEC JS-001H-2024
静电放电敏感度测试，人体模型(HBM) 器件级
检测项目：静电放电敏感度分类测试
检测对象：电子元器件
ANSI/ESDA/JEDEC JS-002:2022
静电放电灵敏度试验-充电器件模型(CDM)-器件级
检测项目：静电放电敏感度分类测试
检测对象：电子元器件
JEDEC JESD22-C101F-2013
静电放电敏感度测试，场感应器件放电模型
检测项目：静电放电敏感度分类测试
检测对象：电子元器件
JEDEC JESD78F.02:2023
集成电路闩锁测试
检测项目：集成电路闩锁测试
检测对象：电子元器件
AEC-Q100-004D:2012
集成电路闩锁测试
检测项目：集成电路闩锁测试
检测对象：电子元器件
IEC 62132-2:2010
集成电路-电磁抗扰度的测量-第2部分:辐射抗扰度的测量-TEM小室和宽带TEM小室法
检测项目：芯片辐射抗扰度
检测对象：电子元器件
GB/T 42968.2-2024
集成电路-电磁抗扰度的测量-第2部分:辐射抗扰度的测量-TEM小室和宽带TEM小室法
检测项目：芯片辐射抗扰度
检测对象：电子元器件
SJ21473.2-2018
军用集成电路电磁抗扰度测量方法 第2 部分:辐射抗扰度测量—TEM小室和宽带TEM小室法
检测项目：芯片辐射抗扰度
检测对象：电子元器件
IEC 61967-2:2005
集成电路电磁发射测试第2部分：辐射发射测试-TEM小室和宽带TEM小室
检测项目：芯片级辐射发射测试-TEM小室法
检测对象：电子元器件
军用集成电路电磁发射测量方法第2 部分:辐射发射测量-TEM小室和宽带TEM小室法 SJ21147.2-
军用集成电路电磁发射测量方法第2 部分:辐射发射测量-TEM小室和宽带TEM小室法 SJ21147.2-
检测项目：芯片级辐射发射测试-TEM小室法
检测对象：电子元器件
SAE J1752-3：2017
集成电路辐射发射测量方法-TEM/宽带TEM(GTEM)小室法;TEM小室（150kHz~1GHz),宽带TEM小室法 （150kHz~8GHz)
检测项目：芯片级辐射发射测试-TEM小室法
检测对象：电子元器件
IEC TS 61967-3:2014
集成电路电磁发射测试第3部分：辐射发射测试-表面扫描法
检测项目：芯片级辐射发射测试-表面扫描法
检测对象：电子元器件
IEC 61967-4:2021
集成电路-电磁发射的测量-第4部分:传导发射测量- 1Ω&150Ω直接耦合法
检测项目：芯片级传导发射测试-1Ω&150Ω直接耦合法
检测对象：电子元器件
IEC 61967-4:2006
集成电路-电磁发射的测量-第4部分:传导发射测量- 1Ω&150Ω直接耦合法
检测项目：芯片级传导发射测试-1Ω&150Ω直接耦合法
检测对象：电子元器件
IEC 61967-4:2002
集成电路-电磁发射的测量-第4部分:传导发射测量- 1Ω&150Ω直接耦合法
检测项目：芯片级传导发射测试-1Ω&150Ω直接耦合法
检测对象：电子元器件
军用集成电路电磁发射测量方法 第4 部分:传导发射测 量—1Ω/150Ω直接耦合法 SJ21147.4-
军用集成电路电磁发射测量方法 第4 部分:传导发射测 量—1Ω/150Ω直接耦合法 SJ21147.4-
检测项目：芯片级传导发射测试-1Ω&150Ω直接耦合法
检测对象：电子元器件
IEC 62132-4：2006
集成电路.电磁抗扰度150khz~1ghz的测量.第4部分:直接射频功率注入法
检测项目：芯片传导抗扰度 -直接射频功率注入法 (DPI)
检测对象：电子元器件
军用集成电路电磁抗扰度测量方法第 4 部分:传导抗扰度测量—射频功率直接注入法 SJ21473.4-
军用集成电路电磁抗扰度测量方法第 4 部分:传导抗扰度测量—射频功率直接注入法 SJ21473.4-
检测项目：芯片传导抗扰度 -直接射频功率注入法 (DPI)
检测对象：电子元器件
JEDEC JESD22-B103B.01:2016
振动，变频
检测项目：振动
检测对象：电子元器件
JEDEC JESD28-A-2001
直流应力下NMOS器件热载流子退化测试方法
检测项目：直流应力下NMOS器件热载流子退化测试
检测对象：电子元器件
JEDEC JESD60A-2004
直流应力下PMOS器件热载流子退化测试方法
检测项目：直流应力下PMOS器件热载流子退化测试
检测对象：电子元器件
JEDEC JESD241-2015
晶圆级偏置温度不稳定性直流特性测量方法
检测项目：NBTI负偏压不稳定性测试
检测对象：电子元器件
JEDEC JESD92-2003
超薄栅极电介质时间相关介电击穿特性表征方法
检测项目：TDDB经时击穿测试
检测对象：电子元器件
JEDEC JESD35-A-2001
薄介电层晶圆级测试方法
检测项目：Vramp电压斜坡测试
检测对象：电子元器件
JEDEC JESD63-1998
电流密度和温度的电迁移模型参数计算标准方法
检测项目：EM电迁移测试
检测对象：电子元器件
JEP139-2000
恒温老化法用于表征应力诱发空洞产生的铝互连金属化特性
检测项目：SM应力迁移测试
检测对象：电子元器件
JEP001-2A-2018
晶圆工艺确认指南 - 前段晶体管层级
检测项目：P2ID等离子工艺诱导损伤
检测对象：电子元器件